专利名称：GaAs基超薄芯片的制作方法
技术领域：
本发明涉及GaAs基超薄芯片,具体的说,涉及一种GaAs基超薄芯片的制作方法，属于LED芯片的技术领域。
背景技术：
作为四元系红黄光LED芯片的衬底材料，GaAs基优势明显。GaAs基的化学性质十分稳定，而且与四元材料晶格匹配良好，具有导电性、导热性均良好的特点。另一方面，GaAs基本身也是十分重要的半导体材料，在制造成本和制造尺寸方面优势都很明显。然而，同类产品中有关GaAs基的制作方法基本上均是采取直接蚀刻减薄至100 u m，然后先制作负极金属层，高温合金工序后再制作正极金属层，芯片由于一次性蚀刻减薄至100 u m会导致GaAs基板严重翘曲，在制作正极金属层时，由于需要进行光刻工序，而翘曲度太大导致无法在曝光机台对准光罩，而不得不采取人为切片的作业方式，然而，通过这种传统方法做出来的产品，不仅费时费力，而且产品的良率只有正常200 厚度芯片良率的50%，损失巨大，不便于市场上的普及与推广。
发明内容
本发明克服了现有技术中的缺点，提供了一种GaAs基超薄芯片的制作方法，具有少破片、高效率、高质量、高良率的优良特征，是目前生产GaAs基超薄芯片的最优化的制作方法。为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的
GaAs基超薄芯片的制作方法，GaAs基超薄芯片包括基板和嘉晶层，基板的上表面嘉晶有嘉晶层，先对基板的下表面进行第一次蚀刻，将基板减薄至200 u m±20 u m ;再在嘉晶层 蒸镀加工出正电极，对由磊晶层和正电极形成的上表面进行上蜡处理；然后对基板的下表面进行二次蚀刻，将基板减薄至100 y m±20 y m,对磊晶层和正电极形成的上表面下蜡清洗处理后，对基板的下表面蒸镀加工出负电极。进一步，在对基板的下表面进行第一次蚀刻之前，先对磊晶层进行磨边处理。进一步，上蜡处理包括依次进行的上蜡平坦化工序以及冷却工序。进一步，上蜡平坦化工序是采用4kg的翻转压盘进行，在具有冷却系统的翻转压盘上的冷却时间为5分钟以上，并需进行芯片背面的清洗工序。进一步，上蜡处理的蜡层厚度为5 U m。进一步，下蜡清洗处理是采用无尘纸沾拭IPA溶液，对芯片背面及蚀刻台面进行去蜡的清洁。进一步，下蜡清洗处理包括一次清洗和二次清洗，一次清洗包括芯片在加热至沸腾的去蜡溶液浸泡5分钟，直至芯片移动，然后进行二次清洗，二次清洗为用毛刷沾冷脱齐U，并清扫芯片表面30秒，在快排冲洗槽里面用高纯水冲洗10分钟以上。进一步，蒸镀使用电子束溅镀及钨舟热蒸镀的方式。
与现有技术相比，本发明的有益效果是
通过本发明的生产方法，此超薄芯片将不需要人为切破，从而避免在黃光微影工序中由于芯片过于翘曲，不能与机台贴合，影响芯片充分曝光，而被迫切一为四，同时避免了由于破片过多而造成的混料、破片、报废等异常，具有破片少，报废少，良率闻，质量闻的特点，达到了业内同类产品先进的水平，极大的降低了生产成本。
附图用来提供对本发明的进一步理解，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制，在附图中
图I是本发明GaAs基超薄芯片加工出正电极后的结构示意 图2是本发明GaAs基超薄芯片二次蚀刻后的结构示意图； 图3是本发明GaAs基超薄芯片加工出负电极后的结构示意图。其中，I——嘉晶层；
2——基板；
3——正电极；
4——负电极。
具体实施例方式以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。GaAs基超薄芯片的制作方法，具体如下
A、参见图I，先对基板2的下表面进行第一次蚀刻，将基板2减薄至200ii m±20 ii m，在对基板2的下表面进行减薄之前应先对芯片进行磨边处理；
B、参见图3，再在磊晶层I上蒸镀加工出正电极3，尽量保持芯片为圆片，此将有利于后续二次蚀刻；
C、对由磊晶层I和正电极3形成的上表面进行上蜡处理，保护已镀好的正电极3，上蜡工序包括依次进行的上蜡平坦化的工序及冷却工序，上蜡平坦化的工序采用4kg的翻转压盘进行，在具有冷却系統的翻转压盘上的冷却时间为5分钟以上，并需进行芯片背面的清洗工序，上蜡工序的蜡层厚度为5 ii m ;
D、参见图2，然后对基板2的下表面进行二次蚀刻，将基板2减薄至100iim±20iim;
E、对磊晶层I和正电极3形成的上表面下蜡清洗处理后，以防止背面基板2因为不洁净而导致的基板2凸起及黑点，保持芯片洁净及无破片，因为这最终关系到超薄芯片良率的成败，下蜡清洗包括一次清洗和二次清洗，一次清洗包括芯片在加热至沸腾的去蜡溶液浸泡5分钟，直至芯片移动，然后进行二次清洗，二次清洗为用毛刷沾冷脱剂，并清扫芯片表面30秒，在快排冲洗槽(QDR)里面用高纯水冲洗10分钟以上；
F、参见图3，对基板2的下表面蒸镀加工出负电极4，蒸镀加工负电极4时，由于芯片翘曲方向为向下，上片则变的简单，需要注意的是小心上片。通过本发明的生产方法，此超薄芯片将不需要人为切破，从而避免在黃光微影工序中由于芯片过于翘曲，不能与机台贴合，影响芯片充分曝光，而被迫切一为四，同时避免了由于破片过多而造成的混料、破片、报废等异常，具有破片少，报废少，良率闻，质量闻的特点，达到了业内同类产品先进的水平，极大的降低了生产成本。
最后应说明的是以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，但是凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.GaAs基超薄芯片的制作方法，GaAs基超薄芯片包括基板和嘉晶层，所述基板的上表面磊晶有磊晶层，其特征在于先对基板的下表面进行第一次蚀刻，将基板减薄至200 iim±20iim;再在磊晶层蒸镀加工出正电极，对由磊晶层和正电极形成的上表面进行上腊处理；然后对基板的下表面进行_■次蚀刻，将基板减薄至100 y m±20 y m,对嘉晶层和正电极形成的上表面下蜡清洗处理后，对基板的下表面蒸镀加工出负电极。
2.根据权利要求I所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于在对基板的下表面进行第一次蚀刻之前，先对磊晶层进行磨边处理。
3.根据权利要求I所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于所述上蜡处理包括依次进行的上蜡平坦化工序及冷却工序。
4.根据权利要求3所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于所述上蜡平坦化工序是采用4kg的翻转压盘进行，在具有冷却系统的翻转压盘上的冷却时间为5分钟以上，并需进行芯片背面的清洗工序。
5.根据权利要求I所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于所述上蜡处理的腊层厚度为5 ii m。
6.根据权利要求I所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于所述下蜡清洗处理是采用无尘纸沾拭IPA溶液，对芯片背面及蚀刻台面进行去蜡的清洁。
7.根据权利要求I所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于所述下蜡清洗处理包括一次清洗和二次清洗，所述一次清洗包括芯片在加热至沸腾的去蜡溶液浸泡5分钟，直至芯片移动，然后进行二次清洗，所述二次清洗为用毛刷沾冷脱剂，并清扫芯片表面30秒，在快排冲洗槽里面用高纯水冲洗10分钟以上。
8.根据权利要求I所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于所述蒸镀使用电子束溅镀及钨舟热蒸镀的方式。
全文摘要
本发明公开了GaAs基超薄芯片的制作方法，GaAs基超薄芯片包括基板和磊晶层，先对基板的下表面进行第一次蚀刻；在磊晶层蒸镀加工出正电极，对由磊晶层和正电极形成的上表面进行上蜡处理；然后对基板的下表面进行二次蚀刻，将基板减薄至100μm±20μm，对磊晶层和正电极形成的上表面下蜡清洗处理后，对基板的下表面蒸镀加工出负电极。此超薄芯片将不需要人为切破，从而避免在黃光微影工序中由于芯片过于翘曲，不能与机台贴合，影响芯片充分曝光，而被迫切一为四，同时避免了由于破片过多而造成的混料、破片、报废等异常，具有破片少，报废少，良率高，质量高的特点，达到了业內同类产品先进的水平，极大的降低了生产成本。
文档编号H01L33/00GK102709408SQ20121017615
公开日2012年10月3日 申请日期2012年5月31日 优先权日2012年5月31日
发明者周晓莉, 戴世攀, 方飞, 王湘军, 许智源, 陈昆男 申请人:东莞洲磊电子有限公司