一种制备反射膜的方法、太阳能电池板及其晶体硅片的制作方法
【专利摘要】本发明提供了制备反射膜的方法，包括：向反应装置中充入保护气体、加压并发射微波，将反应装置调至第一温度，充入硅烷和一氧化二氮，体积比例在1∶1-1∶3；反应20-100分钟，得到第一层二氧化硅薄膜；达到时间后，停止充入硅烷和一氧化二氮，充入四异丙基钛和氧气，体积比例在1∶1-1∶2，温度调至第二温度；反应10-60分钟，得到第二层二氧化钛薄膜；四异丙基钛和氧气达到时间后，停止充入四异丙基钛和氧气，温度调至第一温度，充入硅烷和一氧化二氮；反应10-60分钟，得到第三层二氧化硅薄膜。本发明使阳光的透射率显著降低，还提供了一种具有通过上述方法得到的反射膜的晶体硅片，以及具有此晶体硅片的太阳能电池板。
【专利说明】一种制备反射膜的方法、太阳能电池板及其晶体硅片
【技术领域】
[0001]本发明涉及太阳能电池【技术领域】，更具体地说，涉及一种制备反射膜的方法，本发明还涉及一种其背表面设置有利用上述方法制备的反射膜的晶体硅片，和具有上述晶体硅片的太阳能电池板。
【背景技术】
[0002]随着对太阳能电池研究的不断深入，晶体硅太阳能电池发展的重点是高效率及低成本。
[0003]常规太阳能电池板的晶体硅片采用背面印刷全铝背场结构，其具体生产工艺是:晶体硅片在经制绒、扩散、去PSG (Phospho Silicate Glass，含有较高磷浓度的硅氧化层，被称为磷硅玻璃)和正面形成减反射膜(晶体硅片受光面所涂的一层减少阳光反射的膜)后，在其背表面设置一层铝层，以提高开路电压及短路电流，即全铝背场。尽管采用此种工艺设置的结构有很多优点，但由于烧结形成的铝硅合金背表面在减少复合(复合:晶体硅片背面的少数载流子减少的一种方式)和背反射效果方面具有一定的局限，特别是铝硅合金区本身即高复合区的局限更加明显，而且铝背场对太阳光的反射率偏低，长波响应较差，限制了太阳能电池光电转换效率的进一步提闻。
[0004]在当前的技术水平下，短时间内大幅提高晶体硅片光电转换效率的发展空间不是很大，所以就需要在降低生产成本方面做出改进。为了降低原料成本，人们开始采用更薄的晶体硅片，而对于薄片化的晶体硅片来说，在其背表面仅仅设置全铝背场，不但限制了光电转换效率的进一步提高，还会因为晶体硅片本身较薄，使得太阳光容易从晶体硅片的背面透射过去，降低了晶体硅片吸收太阳光的效率。
[0005]综上所述，如何提供一种制备反射膜的方法，以实现降低晶体硅片背表面太阳光的透射率，进一步提高晶体硅片的光电转换效率，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。
【发明内容】
[0006]有鉴于此，本发明提供了一种制备反射膜的方法，以降低晶体硅片背表面太阳光的透射率，进一步提高晶体硅片的光电转换效率，
[0007]为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0008]一种制备反射膜的方法，用于在晶体硅片的背表面制备反射膜，包括以下步骤:
[0009]11)将经过制绒、扩散、去硅氧化层和正表面形成减反射膜处理的晶体硅片放置到反应装置中；
[0010]12)向反应装置中充入保护气体，将所述反应装置中的温度设置为200°C -600°C,压强设置为反应压强并向所述反应装置中发射微波；
[0011]13)向所述反应装置中充入SiH4和N2O,保持其体积比例在1:1-1:3的范围内；
[0012]14)持续反应20min-100min,得到第一层SiO2薄膜；
[0013]15)待SiHjP N2O达到步骤14)中所述反应时间后，停止充入SiH4和N2O,并向所述反应装置内充入Ti (OC3H7) 4和02，保持其体积比例在1:1-1:2的范围内，并将温度调整至4000C -8000C ;持续反应10min-60min，得到第二层TiO2薄膜；
[0014]16)待Ti (OC3H7)4和O2达到步骤15)中所述反应时间后，停止充入Ti (OC3H7)4和O2，将温度调整至200°C -600°C，并重复步骤13);持续反应10min-60min，得到第三层SiO2薄膜。
[0015]优选的，上述制备反射膜的方法中，还包括以下步骤:
[0016]21)在所述第三层SiO2薄膜上刻蚀接触窗；
[0017]22)在所述接触窗上设置一层铝膜。
[0018]优选的，上述制备反射膜的方法中，所述接触窗通过激光刻蚀的方式设置在所述第三层SiO2薄膜的表面。
[0019]优选的，上述制备反射膜的方法中，所述铝膜通过丝网印刷的方式设置在所述接触窗上。
[0020]优选的，上述制备反射膜的方法中，所述反应装置为石英炉管。
[0021]优选的，上述制备反射膜的方法中，所述保护气体为N2。
[0022]优选的,上述制备反射膜的方法中，所述反应压强的范围为0.02mbar-0.2mbar。
[0023]优选的，上述制备反射膜的方法中，所述微波的功率为2500-3500W。
[0024]基于上述提供的制备反射膜的方法，本发明还提供了一种晶体硅片，所述晶体硅片的背表面设置有反射膜，所述反射膜包括通过上述任意一项所述的制备反射膜的方法制备的第一层Si02薄膜、第二层Ti02薄膜和第三层Si02薄膜。本发明还提供了一种具有上述晶体硅片的太阳能电池板。
[0025]本发明提供的制备反射膜的方法中，采用PECVD (Plasma Enhanced ChemicalVapour Deposition的英文缩写，等离子增强化学气相沉积,一种借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，并在基片上沉积出薄膜，是半导体工业中普遍用来沉积多种材料的技术，其过程为:将两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，并沉积到基片表面上。在这其中，反应室内的压力、基片的温度、气体的流动速率、气体通过基片的路程、气体的化学成份、一种气体相对于另一种气体的比率、反应的中间产品起的作用、以及是否需要其它反应室外的外部能量来源加速或诱发想得到的反应等因素都会对生成的薄膜造成影响，在太阳能电池领域中，基片为晶体硅片)法在晶体硅片的背表面制备由三层薄膜构成的钝化(利用薄膜里的离子使晶体硅材料的晶体硅片沉底中的缺陷造成的悬挂键得以饱和，同时可以使金属杂质失去其电活性，提高少数载流子寿命，使得晶体硅片对阳光的利用率更高)结构:第一层SiO2薄膜是在200°C _600°C的温度、压强、微波射频条件下，通入比例范围在1:1-1:3的SiH4和N2O,反应20min-100min，得到厚度在lO-lOOnm，折射率为1_2的薄膜；第二层TiO2薄膜是在400°C _800°C的温度，相同的压强和微波射频范围内，通入比例范围在1:1-1:2的Ti (OC3H7) 4和02，反应10min-60min，得到厚度在20-80nm，折射率为1.5-2.5的薄膜；第三层SiO2薄膜的制备条件与第一层SiO2薄膜的制备条件相同，得到厚度为5nm-50nm，折射率为2_3的薄膜。
[0026]通过由以上三层薄膜构成的钝化结构对晶体硅片背表面的悬挂键进行钝化，提高了晶体硅片对阳光的利用率，而且采用三层膜的设置方式，使得钝化结构沿靠近晶体硅片背表面到远离晶体硅片背表面的方向，折射率依次由低到高，膜厚依次由高到低，进而对阳光形成多重反射，最大程度的提高了晶体硅片背表面的反射率，增强了其对阳光的再吸收，与现有技术中晶体硅片背表面只设置全铝背场相比，阳光的透射率显著降低，大大提高了晶体硅片的光电转换效率。此外，通过刻蚀接触窗，在接触窗上设置铝膜而形成的局部铝背场，与全铝背场相比，因为铝背场的高复合区域减小，其对晶体硅片背表面的少数载流子寿命的影响也相应降低，进一步提闻了晶体娃片的光电转换效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为本发明实施例提供的制备反射膜方法的流程图；
[0029]图2为本发明实施例提供的晶体硅片的结构示意图。
[0030]以上图1-图2中:
[0031]第一层SiO2薄膜1、第二层TiO2薄膜2、第三层SiO2薄膜3、局部铝背场4、晶体硅片5。
【具体实施方式】
[0032]为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方式进行描述，但是应当理解，这些描述只是为了进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
[0033]本发明提供了一种制备反射膜的方法，降低了晶体硅片背表面太阳光的透射率，进一步提高了晶体硅片的光电转换效率，本发明还提供了一种其背表面具有通过上述方法制备的反射膜的晶体硅片，以及具有此晶体硅片的太阳能电池板。
[0034]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0035]本发明实施例提供的制备反射膜的方法，用于在晶体硅片5的背表面制备反射膜，包括以下步骤:
[0036]Slll将经过制绒、扩散、去硅氧化层和正表面形成减反射膜处理的晶体硅片5放置到反应装置中；
[0037]SI 12向反应装置中充入保护气体，将反应装置中的温度设置为200°C -600°C，压强设置为反应压强并向反应装置中发射微波；
[0038]S113向反应装置中充入SiH4和N2O,保持其体积比例在1:1_1:3的范围内；
[0039]SI 14持续反应20min-100min,得到第一层SiO2薄膜I ;
[0040]S115待SiHjP N2O达到步骤S 114中反应时间后，停止充入SiH4和N2O,并向反应装置内充入Ti (OC3H7)4和O2，保持其体积比例在1:1-1:2的范围内，并将温度调整至400°C -800°C ;持续反应 10min-60min，得到第二层 TiO2 薄膜 2 ；
[0041]SI 16待Ti (OC3H7)4和O2达到步骤SI 15中所述反应时间后，停止充入Ti (OC3H7)4和O2，将温度调整至200°C _6001:，并重复步骤3113 ;持续反应10min-60min，得到第三层SiO2薄膜3。
[0042]本发明提供的制备反射膜的方法中，采用PECVD (Plasma Enhanced ChemicalVapour Deposition的英文缩写，等离子增强化学气相沉积,一种借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，并在基片上沉积出薄膜，是半导体工业中普遍用来沉积多种材料的技术，其过程为:将两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，并沉积到基片表面上。在这其中，反应室内的压力、基片的温度、气体的流动速率、气体通过基片的路程、气体的化学成份、一种气体相对于另一种气体的比率、反应的中间产品起的作用、以及是否需要其它反应室外的外部能量来源加速或诱发想得到的反应等因素都会对生成的薄膜造成影响，在太阳能电池领域中，基片为晶体硅片5)法在晶体硅片5的背表面制备由三层薄膜构成的钝化(利用薄膜里的离子使晶体硅材料的晶体硅片5沉底中的缺陷造成的悬挂键得以饱和，同时可以使金属杂质失去其电活性，提高少数载流子寿命，使得晶体硅片5对阳光的利用率更高)结构:第一层SiO2薄膜I是在2000C _600°C的温度、一定压强和一定微波射频条件下，通入比例范围在1: 1-1:3的SiH4和N2O,反应20min-100min，得到厚度在lO-lOOnm，折射率为1_2的薄膜；第二层TiO2薄膜2是在400°C -800°C的温度，相同的压强和微波射频范围内，通入比例范围在1:1-1:2的Ti (OC3H7)4和O2,反应10min-60min,得到厚度在20_80nm，折射率为1.5-2.5的薄膜；第三层SiO2薄膜3的制备条件与第一层SiO2薄膜I的制备条件相同，而得到厚度为5-50nm，折射率为2-3的薄膜。
[0043]通过由以上三层薄膜构成的钝化结构对晶体硅片5背表面的悬挂键进行钝化，提高了晶体硅片5对阳光的利用率，而且采用三层膜的设置方式，使得钝化结构沿靠近晶体硅片5背表面到远离晶体硅片5背表面的方向，折射率依次由高到低，膜厚依次由低到高，进而对阳光形成多重反射，最大程度的提高了晶体硅片5背表面的反射率，增强了其对阳光的再吸收，与现有技术中晶体硅片5背表面只设置全铝背场相比，阳光的透射率显著降低，大大提闻了晶体娃片5的光电转换效率。
[0044]为了进一步优化上述技术方案，本实施例提供的制备反射膜的方法中，还包括以下步骤:
[0045]S221在第三层SiO2薄膜3上刻蚀接触窗；
[0046]S222在接触窗上设置一层铝膜。
[0047]此外，通过刻蚀接触窗，在接触窗上设置铝膜而形成的局部铝背场4，与全铝背场相比，因为铝背场的高复合区域减小，其对晶体硅片5背表面的少数载流子寿命的影响也相应降低，进一步提闻了晶体娃片5的光电转换效率。
[0048]具体的，接触窗通过激光刻蚀的方式设置在第三层SiO2薄膜3表面，铝膜通过丝网印刷的方式设置在接触窗上。以上两种分别设置接触窗和印刷丝网的方式，是太阳能电池生产过程中采用最为广泛的两种方式，在无需更改生产工艺和生产设备的情况下，可以方便的实现技术方案，不会增加额外的生产成本。[0049]优选的，本实施例提供的制备反射膜的方法中，步骤Slll中反应装置为石英炉管。在太阳能电池领域中，采用PECVD法制备薄膜的主要设备有管式扩散炉和平板式扩散炉两种，而管式扩散炉大多数采用石英炉管作为沉积腔室，石英炉管因其具有耐高温、耐腐蚀、热稳定性好、电绝缘性好等优点，能够较为理想的满足沉积反射膜的工作要求。
[0050]进一步的，在本实施例提供的制备反射膜的方法中，保护气体为N2、反应压强的范围为0.02mbar-0.2mbar (毫巴，气压单位)、微波的功率为2500-3500W。
[0051]实施例1
[0052]将经过制绒、扩散、去硅氧化层和正表面形成减反射膜的晶体硅片5放置到石英炉管中，充入N2作为保护气体，将石英炉管内的温度升至200°C，压强大小升至0.02mbar,向石英炉管中发射功率为2500W的微波，将SiH4和N2O以1:1的体积比例持续的充入石英炉管中，使得SiH4和N2O发生化学反应，反应时间持续20min，以在晶体硅片5的背表面上沉积第一层SiO2薄膜I ;上述过程完成后，将石英炉管中温度升至400°C，压强大小和微波功率仍然分别为0.02mbar和2500W，以1:1的体积比例向石英炉管中充入Ti (OC3H7)JP 02，反应时间维持20min，进而得到第二层TiO2薄膜2 ;第二层TiO2薄膜2沉积完成后，将石英炉管中的温度再次调至200°C，压强大小和微波功率依然不变，同样的以1:1的比例充入SiH4和N2O,并持续反应lOmin，最终得到第三层SiO2薄膜3。
[0053]以上过程中，得到的第一层SiO2薄膜I的厚度为30nm，折射率为1.1，得到的第二层TiO2薄膜2的厚度为20nm，折射率为1.7，得到的第三层SiO2薄膜3的厚度为IOnmJB射率为2。利用上述方法得到的钝化结构，其膜厚依次减小，折射率依次增高，通过多重反射的方式来提闻晶体娃片5对阳光的吸收率，进而提闻晶体娃片5的光电转换效率。
[0054]实施例2
[0055]将经过制绒、扩散、去硅氧化层和正表面形成减反射膜厚的晶体硅片5放置到石英炉管中，充入N2作为保护气体，将石英炉管内的温度升至300°C，压强大小升至0.065mbar,向石英炉管中发射功率为2750W的微波，将SiH4和N2O以1: 1.5的体积比例持续的充入石英炉管中，使得SiH4和N2O发生化学反应，反应时间持续40min，以在晶体硅片5的背表面上沉积第一层SiO2薄膜I ;上述过程完成后，将石英炉管中温度升至500°C，压强大小和微波功率仍然分别为0.065mbar和2750W，以1: 1.25的体积比例向石英炉管中充入Ti (OC3H7)4和02，反应时间维持30min，进而得到第二层TiO2薄膜2 ;第二层TiO2薄膜2沉积完成后，将石英炉管中的温度再次调至300°C，压强大小和微波功率依然不变，同样的以1: 1.5的比例充入SiH4和N2O,并持续反应20min，最终得到第三层SiO2薄膜3。
[0056]以上过程中，得到的第一层SiO2薄膜I的厚度为50nm，折射率为1.3，得到的第二层TiO2薄膜2的厚度为35nm，折射率为1.9，得到的第三层SiO2薄膜3的厚度为20nm，折射率为2.25。利用上述方法得到的钝化结构，其膜厚依次减小，折射率依次增高，通过多重反射的方式来提闻晶体娃片5对阳光的吸收率,进而提闻晶体娃片5的光电转换效率。
[0057]实施例3
[0058]将经过制绒、扩散、去硅氧化层和正表面形成减反射膜厚的晶体硅片5放置到石英炉管中，充入N2作为保护气体，将石英炉管内的温度升至400°C，压强大小升至0.1lmbar,向石英炉管中发射功率为3000W的微波，将SiH4和N2O以1:2的体积比例持续的充入石英炉管中，使得SiH4和N2O发生化学反应，反应时间持续60min，以在晶体硅片5的背表面上沉积第一层SiO2薄膜I ;上述过程完成后，将石英炉管中温度升至600°C，压强大小和微波功率仍然分别为0.1lmbar和3000W，以1:1.5的体积比例向石英炉管中充入Ti (OC3H7)4和02，反应时间维持40min，进而得到第二层TiO2薄膜2 ;第二层TiO2薄膜2沉积完成后，将石英炉管中的温度再次调至400°C，压强大小和微波功率依然不变，同样的以1:2的比例充入SiH4和N2O,并持续反应30min，最终得到第三层SiO2薄膜3。
[0059]以上过程中，得到的第一层SiO2薄膜I的厚度为70nm，折射率为1.5，得到的第二层TiO2薄膜2的厚度为50nm，折射率为2.1，得到的第三层SiO2薄膜3的厚度为30nm，折射率为2.5。利用上述方法得到的钝化结构，其膜厚依次减小，折射率依次增高，通过多重反射的方式来提闻晶体娃片5对阳光的吸收率，进而提闻晶体娃片5的光电转换效率。
[0060]实施例4
[0061]将经过制绒、扩散、去硅氧化层和正表面形成减反射膜厚的晶体硅片5放置到石英炉管中，充入N2作为保护气体，将石英炉管内的温度升至500°C，压强大小升至
0.155mbar,向石英炉管中发射功率为3250W的微波，将SiH4和N2O以1:2.5的体积比例持续的充入石英炉管中，使得SiH4和N2O发生化学反应，反应时间持续80min，以在晶体硅片5的背表面上沉积第一层SiO2薄膜I ;上述过程完成后，将石英炉管中温度升至700°C，压强大小和微波功率仍然分别为0.155mbar和3250W，以1: 1.75的体积比例向石英炉管中充入Ti (OC3H7)4和02，反应时间维持50min，进而得到第二层TiO2薄膜2 ;第二层TiO2薄膜2沉积完成后，将石英炉管中的温度再次调至500°C，压强大小和微波功率依然不变，同样的以1:2.5的比例充入SiH4和N2O,并持续反应40min，最终得到第三层SiO2薄膜3。
[0062]以上过程中，得到的第一层SiO2薄膜I的厚度为90nm，折射率为1.8，得到的第二层TiO2薄膜2的厚度为65nm，折射率为2.3，得到的第三层SiO2薄膜3的厚度为45nm，折射率为2.75。利用上述方法得到的钝化结构，其膜厚依次减小，折射率依次增高，通过多重反射的方式来提闻晶体娃片5对阳光的吸收率,进而提闻晶体娃片5的光电转换效率。
[0063]实施例5
[0064]将经过制绒、扩散、去硅氧化层和正表面形成减反射膜厚的晶体硅片5放置到石英炉管中，充入N2作为保护气体，将石英炉管内的温度升至600°C，压强大小升至0.2mbar,向石英炉管中发射功率为3500W的微波，将SiHjPN2O以1:3的体积比例持续的充入石英炉管中，使得SiH4和N2O发生化学反应，反应时间持续lOOmin，以在晶体硅片5的背表面上沉积第一层SiO2薄膜I ;上述过程完成后，将石英炉管中温度升至800°C，压强大小和微波功率仍然分别为0.2mbar和3500W，以1:2的体积比例向石英炉管中充入Ti(OC3H7)JP O2，反应时间维持60min，进而得到第二层TiO2薄膜2 ;第二层TiO2薄膜2沉积完成后，将石英炉管中的温度再次调至600°C，压强大小和微波功率依然不变，同样的以1:3的比例充入SiH4和N2O,并持续反应50min，最终得到第三层SiO2薄膜3。
[0065]以上过程中，得到的第一层SiO2薄膜I的厚度为lOOnm，折射率为2，得到的第二层TiO2薄膜2的厚度为80nm，折射率为2.5，得到的第三层SiO2薄膜3的厚度为50nm，折射率为3。利用上述方法得到的钝化结构，其膜厚依次减小，折射率依次增高，通过多重反射的方式来提闻晶体娃片5对阳光的吸收率，进而提闻晶体娃片5的光电转换效率。
[0066]基于上述实施例中提供的制备反射膜的方法，本发明实施例还提供了一种晶体硅片5，该晶体硅片5的背表面设置有利用上述方法制备的反射膜，本发明实施例还提供了一种具有该晶体硅片5的太阳能电池板。
[0067]由于该太阳能电池板及其晶体硅片5具有利用上述实施例提供的方法制备的反射膜，所以该太阳能电池板及其晶体硅片5由制备反射膜的方法带来的有益效果请参考上述实施例中相应的部分，在此不再赘述。
[0068]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【权利要求】
1.一种制备反射膜的方法，用于在晶体娃片(5)的背表面制备反射膜,其特征在于,包括以下步骤: 11)将经过制绒、扩散、去硅氧化层和正表面形成减反射膜处理的晶体硅片(5)放置到反应装置中； 12)向反应装置中充入保护气体，将所述反应装置中的温度设置为200°C-600°C，压强设置为反应压强并向所述反应装置中发射微波； 13)向所述反应装置中充入SiH4和N2O,保持两者体积比例在1: 1-1: 3的范围内； 14)持续反应20min-100min,得到第一层SiO2薄膜(I)； 15)待SiH4和N2O达到步骤14)中反应时间后，停止充入SiH4和N2O,并向所述反应装置内充入Ti (OC3H7) 4和O2，保持其体积比例在1: 1-1: 2的范围内，并将温度调整至4000C -8000C ;持续反应 10min-60min，得到第二层 TiO2 薄膜(2)； 16)待Ti(OC3H7)4和O2达到步骤15)中所述反应时间后，停止充入Ti (OC3H7)4和O2，将温度调整至200°C _600°C，并重复步骤13);持续反应10min-60min，得到第三层SiO2薄膜(3)。
2.根据权利要求1所述的制备反射膜的方法，其特征在于，还包括以下步骤: 21)在所述第三层SiO2薄膜(3)上刻蚀接触窗； 22)在所述接触窗上设置一层铝膜。
3.根据权利要求2所述的制备反射膜的方法，其特征在于，所述接触窗通过激光刻蚀的方式设置在所述第三层SiO2薄膜(3)的表面。
4.根据权利要求3所述的制备反射膜的方法，其特征在于，所述铝膜通过丝网印刷的方式设置在所述接触窗上。
5.根据权利要求1所述的制备反射膜的方法，其特征在于，所述反应装置为石英炉管。
6.根据权利要求5所述的制备反射膜的方法，其特征在于，所述保护气体为N2。
7.根据权利要求6所述的制备反射膜的方法，其特征在于，所述反应压强的范围为0.02mbar-0.2mbar。
8.根据权利要求7所述的制备反射膜的方法，其特征在于，所述微波的功率为2500-3500W。
9.一种晶体硅片，其特征在于，所述晶体硅片的背表面设置有反射膜，所述反射膜包括通过上述权利要求1-8中任意一项所述的制备反射膜的方法制备的第一层Si02薄膜(I)、第二层Ti02薄膜(2)和第三层Si02薄膜(3)。
10.一种太阳能电池板，其特征在于，其具有权利要求9中所述的晶体硅片。
【文档编号】H01L31/18GK103474504SQ201210184818
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2012年6月6日 优先权日:2012年6月6日
【发明者】徐世贵, 王立建 申请人:浙江昱辉阳光能源江苏有限公司