专利名称：有机发光显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明的一个或多个方面涉及有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术：
近来，显示装置已经被便携式薄平板显示装置代替。在薄平板显示装置中，作为自发光显示装置的有机发光显示装置由于具有广视角、高对比度以及短响应时间这些优点而有望成为下一代显示装置。有机发光显示装置包括中间层、第一电极和第二电极。中间层包括有机发光层。当在第一电极和第二电极之间施加电压时，有机发光层发射可见光线。此外，有机发光显示装置包括产生电信号的驱动电路单元和发射由驱动电路单元产生的电信号的焊盘单元。关于这一方面，不容易执行驱动电路单元和焊盘单元之间的焊接处理，因此驱动电路单元和焊盘单元之间的粘合特性以及驱动电路单元和有机发光显示装置的基板之间的粘合特性变差。因此，在提高有机发光显示装置的耐久性方面存在局限。在本背景技术中公开的上述信息仅用于增进本发明的背景的理解，因此其可以包含不构成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的一个或多个方面提供一种具有改进的耐腐蚀性的有机发光显示装置。本发明的一个或多个方面还提供一种制造有机发光显示装置的方法。根据本发明的方面，本发明提供了一种有机发光显示装置，包括:薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、绝缘层、源电极和漏电极，所述栅电极与所述有源层绝缘并且包括下栅电极和上栅电极，所述绝缘层覆盖所述栅电极，并且所述源电极和所述漏电极形成在所述绝缘层上并且接触所述有源层；有机发光二极管，与所述薄膜晶体管电连接并且包括像素电极、中间层和对置电极，所述像素电极与所述下栅电极形成在相同的层级，所述中间层包括发射层，其中所述像素电极、所述中间层和所述对置电极是顺序地堆叠的；以及焊盘电极，包括下焊盘电极和上焊盘电极，所述下焊盘电极与所述下栅电极形成在相同的层级，所述上焊盘电极与所述上栅电极形成在相同的层级，其中所述绝缘层覆盖所述上焊盘电极的上表面，其中在所述绝缘层和所述上焊盘电极中形成有开口，以暴露所述下焊盘电极的一部分。所述上焊盘电极可以具有底切的形状，其中所述绝缘层完全覆盖所述上焊盘电极并且突出于所述上焊盘电极上方。
所述底切的形状可以形成为使得所述上焊盘电极比所述绝缘层更向里面。所述上焊盘电极具有完全由所述绝缘层包围的表面，所述绝缘层的一部分延伸到所述上焊盘电极的表面以外。所述下焊盘电极的上表面可以通过所述开口暴露给外界，所述上焊盘电极的侧面可以与驱动集成电路(IC)电连接，所述驱动IC供应电流来使所述有机发光显示装置工作。所述下焊盘电极的所述上表面可以通过所述开口暴露给外界，所述上焊盘电极的所述侧面可以通过导电球与所述驱动IC电连接。所述焊盘电极可以通过导线与所述薄膜晶体管或所述有机发光二极管电连接。所述下焊盘电极可以包括比所述上焊盘电极的材料更耐腐蚀的材料。所述下栅电极、所述像素电极和所述下焊盘电极可以包括透明导电金属氧化物，并且所述上栅电极和所述上焊盘电极可以包括从银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钥(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、Moff和铜(Cu)中选择的至少一种。所述有机发光显示装置可以进一步包括:电容器，包括下电容器电极和上电容器电极并且与所述薄膜晶体管电连接，所述下电容器电极与所述有源层形成在相同的层级，所述上电容器电极与所述栅电极形成在相同层级。根据本发明的另一方面，本发明提供一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括:第一掩膜工艺，在基板上形成薄膜晶体管的有源层；第二掩膜工艺，在所述基板上形成第一电极单元、栅电极和第二电极单元，所述第一电极单元用于形成像素电极，所述第二电极单元用于形成焊盘电极；第三掩膜工艺，形成暴露所述有源层的两侧的接触孔、暴露所述第一电极单元的一部分的开口、暴露所述第二电极单元的一部分的开口，并且在所述第二电极单元上形成层间绝缘层，以暴露所述第二电极单元的一部分；第四掩膜工艺，形成通过所述接触孔接触所述有源层的源电极和漏电极，从所述第一电极单元中形成所述像素电极，以及从所述第二电极单元中形成具有底切的形状的所述焊盘电极，其中所述绝缘层完全覆盖所述上焊盘电极并且突出于所述上焊盘电极上方；以及第五掩膜工艺，形成暴露所述像素电极的至少一部分的像素限定层。所述第二掩膜工艺可以包括:在所述基板上顺序地形成第一绝缘层、第一导电层和第二导电层，以覆盖所述有源层；以及同时将所述第一导电层和所述第二导电层图形化，以便形成所述栅电极，使得所述第一导电层的一部分是下栅电极并且所述第二导电层的一部分是上栅电极，以及以便形成所述第二电极单元，使得所述第一导电层的一部分是下焊盘电极并且所述第二导电层的一部分是上焊盘电极。所述第四掩膜工艺可以包括:在所述层间绝缘层上形成第三导电层；将所述第三导电层图形化，以形成所述源电极和所述漏电极；以及除去所述第二导电层的构成所述第一电极单元的一部分，以形成包括所述第一导电层的一部分的像素电极，以及部分地除去所述上焊盘电极的构成所述第二电极单元的一部分，以通过形成暴露所述下焊盘电极的一部分的开口而形成所述焊盘电极。由于所述开口，所述层间绝缘层和所述上焊盘电极具有相同的蚀刻面。所述第三掩膜工艺可以包括:在所述第一电极单元上、所述栅电极和所述焊盘电极形成充当所述层间绝缘层的第二绝缘层；以及将所述第二绝缘层图形化，以形成暴露所述第一电极单元的一部分的开口和暴露所述第二电极单元的一部分的开口。所述第五掩膜工艺可以包括:在所述基板的整个表面上形成第三绝缘层，以覆盖所述源电极和所述漏电极；以及将所述第三绝缘层图形化，以形成所述像素限定层，并且除去在所述层间绝缘层上的所述第三绝缘层的形成在所述焊盘电极上的部分。在除去在所述层间绝缘层上的所述第三绝缘层的形成在所述焊盘电极上的部分时，在所述上焊盘电极中形成底切的形状，其中所述层间绝缘层完全覆盖所述上焊盘电极并且突出于所述上焊盘电极之上。所述第一掩膜工艺还可以包括在基板上在与所述有源层相同的层级形成下电容器电极，所述第二掩膜工艺还可以包括在所述下电容器电极的上表面上形成上电容器电极。在所述第五掩膜工艺以后，所述方法还可以包括在所述像素电极上形成包括发射层的中间层和对置电极。根据本发明的另一方面，提供一种有机发光显示装置，其包括薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、绝缘层、源电极和漏电极，所述栅电极与所述有源层绝缘并且包括下栅电极和上栅电极，所述绝缘层覆盖所述栅电极，并且所述源电极和所述漏电极形成在所述绝缘层上并且接触所述有源层；有机发光二极管，电连接至所述薄膜晶体管并且包括像素电极、中间层和对置电极，所述像素电极与所述下栅电极形成在相同的层级，所述中间层包括发射层，所述像素电极、所述中间层和所述对置电极是顺序地堆叠的；焊盘电极，包括下焊盘电极和上焊盘电极，所述下焊盘电极与所述下栅电极形成在相同的层级，所述上焊盘电极与所述上栅电极形成在相同的层级，所述绝缘层覆盖所述上焊盘电极的上表面，所述上焊盘电极具有底切的形状，其中所述绝缘层完全覆盖所述上焊盘电极并且突出于所述上焊盘电极之上；驱动1C，布置在所述绝缘层上，提供电流来使所述有机发光显示装置工作；以及多个导电球，布置在所述底切的形状的区域中，形成所述焊盘电极与所述驱动IC之间的电连接，其中在所述绝缘层和所述上焊盘电极中形成有开口，以暴露所述下焊盘电极的一部分。
本发明的更全面理解以及随之产生的许多优势将显而易见，因为当结合附图理解本发明时通过参考下面的详细描述，本发明变得更容易理解，附图中相同的附图标记表示相同或类似的部件，其中:图1是示出根据本发明实施例的有机发光显示装置的结构的示意平面图；图2是根据本发明实施例的沿图1的线I1-1I'截取的剖面图；图3到图11是顺序地示出根据本发明实施例的制造图2的有机发光显示装置的方法的示意剖面图；以及图12A到图12C是具体示出根据本发明实施例的图2的有机发光显示装置中包括的焊盘电极的视图。
具体实施例方式现在将对照附图在结构和功能方面详细地描述本发明的示例实施例。本领域的技术人员会认识到，在均不背离本发明的原理的精神或范围的情况下，可以以各种不同方式修改所描述的实施例。认识到，为了更好地理解以及便于描述，附图中示出的构成部件的尺寸和厚度是随意给出的，本发明不局限于所图示的尺寸和厚度。在附图中，为清楚起见，层、膜、面板和区域等的厚度被放大。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的要素。将理解，当一要素，例如层、膜、区域或基板被称为在另一要素“上”时，其可以直接在另一要素上或者还可以存在中间要素。可选地，当一要素称为“直接”在另一要素“上”时，不存在中间要素。为了使本发明清楚，对描述来说无关紧要的要素从该描述的详情中略去，并且在整个说明书中，相同的附图标记指相同的要素。在几个示例实施例中，具有相同构造的构成要素通过使用相同附图标记在第一示例实施例中代表性地描述，仅除在第一示例实施例中描述的构成要素以外的构成要素会在其它实施例中描述。图1是示出根据本发明实施例的有机发光显示装置I的结构的示意平面图。参考图1，有机发光显示装置I可以包括第一基板10和第二基板70，第一基板10包括多个发光像素，第二基板70通过密封连结到第一基板10。在第一基板10上可以形成薄膜晶体管(TFT)、有机发光二极管(OLED)和电容器。第一基板10可以是低温多晶硅(LTPS)基板、玻璃基板或塑料基板。第二基板70可以是布置在第一基板10上的封装基板，用以防止外部水汽或空气渗入在第一基板10上形成的TFT和发光像素内。第二基板70面向第一基板10,并且第一基板10和第二基板70通过在它们边缘上形成的密封构件90彼此连结。第二基板70可以是玻璃基板、塑料基板或不锈钢(SUS)基板。第一基板10可以包括发光区DA和发光区DA外部的非发光区NDA。在实施例中，密封构件90位于发光区DA外部的非发光区NDA上，以连结第一基板10和第二基板70。如上面描述的，有机发光二极管、驱动有机发光二极管的TFT以及与它们电连接的导线形成在第一基板10的发光区DA上。非发光区NDA可以包括焊盘区5，在焊盘区5中放置从发光区DA的导线延伸形成的焊盘电极PAD。图2是根据本发明实施例的沿图1的线I1-1I'截取的剖面图。参考图2，有机发光显示装置I包括晶体管区2、存储区3、发光区4和焊盘区5。晶体管区2可以包括作为驱动器件的TFT。TFT可以包括有源层21、栅电极20、源电极29和漏电极27。栅电极20可以包括下栅电极23和在下栅电极23上形成的上栅电极25。关于这一方面，下栅电极23可以由透明导电材料形成并且可以包括从由下列物质组成的组中选择的至少一种:铟锡氧化物(11'0)、铟锌氧化物(120)、锌的氧化物(2110)、铟的氧化物(In2O3)、铟镓氧化物(IG0)和铝锌氧化物(AZ0)。上栅电极25可以呈例如Mo、MoW或铝基合金(Al-based alloy)或者它们的合金的单层金属形式或者具有至少两层的多层形式，但不限于此。在栅电极20和有源层21之间可以插入作为栅绝缘层的第一绝缘层12，以使栅电极20与有源层21绝缘。此外，有源层21包括位于其两侧的源区21s和漏区21d，源区21s和漏区21d掺杂有高浓度的杂质并且分别与源电极29和漏电极27连接。存储区3可以包括电容器Cst。电容器Cst包括下电容器电极31、上电容器电极33和插入二者之间的第一绝缘层12。关于这一方面,下电容器电极31和TFT的有源层21形成在相同的层级上，下电容器电极31可以由半导体材料形成并且掺杂有杂质，从而具有提高的电导率。上电容器电极33、TFT的下栅电极23以及OLED的像素电极43可以形成在相同的层级上。发光区4可以包括OLED。OLED可以包括像素电极43、对置电极45和中间层44，像素电极43与TFT的源电极29和漏电极27中的一个连接，对置电极45面向像素电极43。像素电极43可以由透明导电材料形成，并且像素电极43和TFT的下栅电极23可以在相同层级由相同材料形成。焊盘区5可以包括焊盘电极PAD。虽然图2中未示出，但是焊盘电极PAD可以通过导线(未示出)与TFT或OLED电连接。此外，焊盘电极PAD可以与用于提供电流的驱动IC(未示出)电连接，以操作有机发光显示装置I。因此，焊盘电极PAD向发光区(图1的DA)中的TFT或OLED提供由驱动IC (未示出)提供的电流。焊盘电极PAD可以包括下焊盘电极53和上焊盘电极55，下焊盘电极53与下栅电极23在相同层级由相同材料形成，上焊盘电极55与上栅电极25在相同层级由相同材料形成。也就是说，下焊盘电极53可以由例如铟锡氧化物(IT0)、铟锌氧化物(IZ0)、锌的氧化物(ZnO)、铟的氧化物(ln203)、铟镓的氧化物(IGO)或铝锌的氧化物(AZO)等导电的金属氧化物形成，并且上焊盘电极55可以由例如Mo、MoW或铝基合金或者它们的合金的单层金属形成或者由具有至少两层的多层形成。焊盘电极PAD可以包括第一连接部分50a和第二连接部分50b，第一连接部分50a通过导线(未示出)连接至发光区(图1的DA)，第二连接部分50b连接至驱动IC (未示出)。第二连接部分50b可以通过开口 OP暴露于外部，以电连接至外部驱动IC (未示出)。下焊盘电极53通过开口 OP暴露于外部，并且所暴露的下焊盘电极53由上面描述的例如ITO等金属氧化物形成，从而具有改进的耐腐蚀性。第一连接部分50a可以通过导线(未示出)电连接至内部器件并且由作为层间绝缘层的第二绝缘层14覆盖，以使第一连接部分50a与其它元件绝缘。换句话说，上焊盘电极55的上表面被第二绝缘层14覆盖，因此上焊盘电极55的上表面未暴露于外部，上焊盘电极55与第二绝缘层14相比具有底切(undercut) UC形状。这种底切形状使第二绝缘层14的一部分能够完全覆盖上焊盘电极55并且突出于上焊盘电极55之上。换句话说，第二绝缘层14突出于上焊盘电极55之上。通过开口 OP暴露的下焊盘电极53的上表面以及上焊盘电极55的侧面通过导电球80 (参考图12)电连接至外部驱动IC (未示出)。这将在下面对照图12更详细地进行描述。下面将描述有机发光显示装置I的结构作用。例如，当第二连接部分50b可以只包括下焊盘电极53时，即其中下焊盘电极53电连接至驱动IC (未示出)，而上焊盘电极55未电连接至驱动IC，40英寸以上的大屏幕面板的显示质量会由于电阻分布而变差。根据实验，仅由下焊盘电极53构成的焊盘具有大约621 Q (欧姆)的平均电阻以及大约599 Q的标准差。当第二连接部分50b被配置得仅使上焊盘电极55暴露，其中上焊盘电极55电连接至驱动IC (未示出)时，即当焊盘电极PAD仅包括上焊盘电极55而不包括下焊盘电极53时，仅由上焊盘电极55构成的焊盘具有大约144Q的平均电阻以及大约2Q的标准差。换句话说，电阻分布得到改进，但是构成上焊盘电极55的金属材料直接暴露于外部，因此该金属容易锈蚀。因此，由于这种耐腐蚀性的下降，有机发光显示装置I的可靠性下降。为了解决这些问题，根据图2中示出的有机发光显示装置I的结构，上焊盘电极55形成在下焊盘电极53上，因此可以改进电阻分布和接触电阻。此外，由例如ITO等金属氧化物形成的下焊盘电极53通过开口 OP暴露，因此有机发光显示装置I可以具有改进的耐腐蚀性。图3到图11是顺序示出根据本发明实施例的制造图2的有机发光显示装置I的方法的示意剖面图。下面将更详细地描述图2的有机发光显示装置I的制造过程。参考图3，首先在第一基板10上形成辅助层11。第一基板10可以是主要由SiO2构成的透明玻璃。然而，第一基板10不局限于上面的示例，其可以由透明塑料或金属形成。在第一基板10上可以形成例如势垒层、阻挡层和/或缓冲层等辅助层11，以便防止杂质离子扩散到第一基板10内，防止外界水汽或空气渗入第一基板10内以及使第一基板10的表面平整。辅助层11可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、常压CVD(APCVD)JgS CVD (LPCVD)等通过沉积SiO2和/或SiNx来形成。接下来参考图4，在辅助层11上形成TFT的有源层21和下电容器电极31。详细地说，首先在辅助层11上沉积非晶硅层(未示出)并且将非晶硅层结晶，以形成多晶硅层(未示出)。可以使用各种方法，例如快速热退火(RTA)、固相结晶(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)或者顺序横向固化(SLS)等对非晶硅层进行结晶。通过执行使用第一掩膜(未示出)的掩膜工艺，将多晶硅层图形化成TFT的有源层21和下电容器电极31。在该实施例中，有源层21是与下电容器电极31分离地形成的，但是有源层21和下电容器电极31可以一体地形成。接下来参考图5，在形成有有源层21和下电容器电极31的第一基板10的整个表面上，顺序地形成第一绝缘层12、第一导电层13和第二导电层15。第一绝缘层12可以通过PECVD、APCVD或LPCVD形成为由SiNx或SiOx形成的无机绝缘层。第一绝缘层12插在TFT的有源层21和栅电极20之间，从而充当TFT的栅绝缘层，以及插在上电容器电极33和下电容器电极31之间，从而充当电容器Cst的介电层。第一导电层13可以包括从例如ITO、IZO、ZnO和In2O3等透明材料中选择的至少一种。在后面的过程中，可以将第一导电层13图形化成像素电极43、下栅电极23、上电容器电极33和下焊盘电极53。第二导电层15可以包括从银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钥(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、MoW 和铜(Cu)中选择的至少一种材料。特别地，第二导电层15可以形成为Mo-Al-Mo的三层结构。在后面的过程中，可以将第二导电层15图形化成上栅电极25和上焊盘电极55。然而，第一导电层13和第二导电层15不局限于上面的不例,第一导电层13可以包括比第二导电层15的材料更耐腐蚀的材料，并且第二导电层15可以包括具有比第一导电层13的电阻更低的电阻的导电材料，这符合本发明实施例的范围。接下来，参考图6，可以在第一基板10上形成栅电极20、第一电极单元40、第三电极单元30和第二电极单元50。详细地说，通过使用第二掩膜(未示出)的掩膜工艺，对在第一基板10的整个表面上顺序堆叠的第一导电层13和第二导电层15进行图形化。关于这一方面，在晶体管区2中，在有源层21上方形成栅电极20，并且栅电极20包括下栅电极23和上栅电极25,下栅电极23由第一导电层13的一部分形成,上栅电极25由第二导电层15的一部分形成。将栅电极20形成为对应于有源层21的中央区域，并且通过使用栅电极20作为自对准掩膜，对有源层21掺杂n型杂质或p型杂质，使得有源层21包括在其两侧形成的源区21s和漏区21d以及布置在二者之间的沟道区21c。关于这一方面，n型杂质或p型杂质可以是硼(B)离子或磷(P)离子。在存储区3中，在下电容器电极31上方形成第三电极单元30，第三电极单元30用于在后面的过程中形成上电容器电极33。在发光区4中，形成第一电极单元40，第一电极单元40用于在后面的过程中形成像素电极43。在焊盘区5中，形成第二电极单元50，第二电极单元50用于在后面的过程中形成焊盘电极PAD。接下来参考图7，形成第二绝缘层14，以覆盖上面形成有栅电极20的第一基板10。第二绝缘层14可以使用旋转涂布法由从选自下列材料组成的组中的至少一种有机绝缘材料形成:聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂。第二绝缘层14可以形成得足够厚，例如比第一绝缘层12厚，以便充当TFT的栅电极20与源电极29和漏电极27之间的层间绝缘层。与第一绝缘层12—样，第二绝缘层14可以由上面描述的有机绝缘材料和无机绝缘材料形成。此外，第二绝缘层14可以由交替堆叠的有机绝缘材料层和无机绝缘材料层形成。接下来参考图8，可以将第二绝缘层14图形化，以形成部分暴露第一电极单元40和第三电极单元30的开口 H3、H4和H5，暴露有源层21的源区21s的一部分和漏区21d的一部分的接触孔H2和H1，以及部分暴露上焊盘电极55的开口 H6。详细地说，通过使用第三掩膜(未示出)的掩膜工艺，可以将第二绝缘层14图形化，以形成开口 H3、H4、H5及H6和接触孔Hl及H2。关于这一方面，接触孔H2和Hl分别暴露源区21s的一部分和漏区21d的一部分,并且开口 H3和H4至少暴露第二导电层15的构成第一电极单元40的上面部分的一部分。开口 H5至少暴露第二导电层15的构成第三电极单元30的上面部分的一部分。开口 H6至少暴露第二导电层15的构成第二电极单元50的上面部分的一部分。此外，如图8中所示，可以将开口 H5和H3形成为暴露第三电极单元30和第一电极单元40的一部分表面，但是不局限于此。接下来参考图9，可以在图8的掩膜工艺得到的结构上形成第三导电层17，以覆盖第二绝缘层14。第三导电层17可以由从第一导电层13的导电材料或第二导电层15的导电材料中选择的材料形成，但是不局限于此。而且，将导电材料沉积到足以填充接触孔Hl和H2以及开口 H3、H4、H5和H6的厚度。接下来参考图10，可以将第三导电层17图形化，以形成源电极29和漏电极27、像素电极43、上电容器电极33和上焊盘电极55。详细地说，可以通过使用第四掩膜(未示出)的掩膜工艺将第三导电层17图形化，以形成源电极29和漏电极27。关于这一方面，通过在构成第一电极单元40的上面部分的第二导电层15上的在第二绝缘层14中形成的开口 H3，源电极29和漏电极27中的一个(在该实施例中是漏电极27)可以连接至像素电极43。在该实施例中，源电极29和漏电极27是与像素电极43和上电容器电极33同时形成的，但是不局限于此。例如，在形成源电极29和漏电极27以后，可以通过蚀刻形成像素电极43和上电容器电极33。详细地说，除去第二导电层15的构成第一电极单元40的上面部分(参考图8)的一部分(其通过开口 H4暴露，以形成像素电极43，并且除去第二导电层15的构成第三电极单元30的上面部分(参考图8)的通过开口 H5暴露的部分，以形成上电容器电极33。形成第二电极单元50 (参考图8)，使得除去上焊盘电极55的一部分，以暴露下焊盘电极53的一部分，并且形成将下焊盘电极53的这一部分暴露于外部的开口 H7。上焊盘电极55和第二绝缘层14具有相同的蚀刻表面。暴露于外部的下焊盘电极53构成电连接至驱动IC(未示出)的第二连接部分50b。因此，下栅电极23、上电容器电极33以及像素电极43可以在相同层级由相同材料形成。关于这一方面，可以通过开口 H5利用注入法向下电容器电极31掺杂n型杂质或p型杂质。在掺杂过程中注入的杂质可以与有源层21的掺杂过程中使用的那些杂质相同或不同。接下来参考图11，在图10的掩膜工艺得到的结构上形成第三绝缘层16，即像素限定层(F1DL)tj详细地说，可以形成第三绝缘层16，以覆盖像素电极43、源电极29、漏电极27、上电容器电极33和焊盘电极PAD。关于这一方面，第三绝缘层16可以使用旋转涂布法由选自下列材料组成的组中的至少一种有机绝缘材料构成:聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂。此外，第三绝缘层16可以由从Si02、SiNx、Al203、Cu0x、Tb407、Y203、Nb205和Pr2O3等中选择的无机绝缘材料构成。而且，第三绝缘层16可以具有有机绝缘材料层和无机绝缘材料层交替形成的多层结构。第三绝缘层16可以是可选地形成的。通过使用第五掩膜(未示出)的掩膜工艺，将第三绝缘层16图形化，以形成暴露像素电极43的中央区域的开口 HS，从而限定像素。当在焊盘区5上形成第三绝缘层16时，通过使用第五掩膜的掩膜工艺，除去焊盘区5上的第三绝缘层16。当除去第三绝缘层16时，在第二绝缘层14中形成开口 0P，并且上焊盘电极55具有底切形状，在这种情况下，绝缘层完全覆盖上焊盘电极并且突出于上焊盘电极之上。也就是说，当对焊盘区5上的第三绝缘层16进行蚀刻时，从上焊盘电极55的侧面对其进行蚀刻并且对第二绝缘层14蚀刻得比对上焊盘电极55蚀刻得少或者不对第二绝缘层14进行蚀亥IJ，使得上焊盘电极55具有底切结构。结果，上焊盘电极55的被除去的区域大于第二绝缘层14的被除去的区域，使得上焊盘电极55具有底切形状，在这种情况下，绝缘层14完全覆盖上焊盘电极55并且突出于上焊盘电极55之上。随后，如图2中所示，在部分暴露像素电极43的开口 H8中形成中间层44和对置电极45，中间层44包括发射层。中间层44可以包括有机发射层(EML)和从空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等中选择的单层或者这些层中的多层。有机EML可以包括低分子量有机材料或闻分子量有机材料。
当有机EML由低分子量有机材料形成时，中间层44可以包括HTL和朝像素电极43在有机EML上堆叠的HIL，以及包括ETL和朝对置电极45在有机EML上堆叠的EIL。如果需要，中间层44可以进一步包括多种其它层。关于这一方面，低分子量有机材料的示例包括酞菁铜(CuPc)、N' - 二(萘-1-基)-N (N' -di (naphthalene-l-yl)-N、N' _ 二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(ALq3)等。另一方面，当有机EML由高分子量有机材料形成时，中间层44可以只包括朝像素电极43的在有机EML上的HTL。可以通过喷墨印刷或旋转涂布聚-(2，4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)或者聚苯胺(PANI)在像素电极43上形成HTL。高分子量有机材料的示例包括聚苯亚乙烯(PPV)和聚芴(polyfluorene)，并且可以通过使用一般方法，例如喷墨印刷、旋转涂布或激光热转印形成彩色图案。可以在第一基板10的整个表面上形成对置电极45作为公共电极。在有机发光显示装置I中，像素电极43用作阳极，对置电极45用作阴极，然而，相反的情况也是可以的。如果有机发光显示装置I是朝第一基板10显示图像的底部发光型有机发光显示装置，那么像素电极43可以形成为透明电极，对置电极45可以形成为反射电极。关于这一方面，反射电极可以由具有低功函数的金属，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al或者它们的复合物形成为具有较小的厚度。图12A到图12C是具体示出根据本发明实施例的图2的有机发光显示装置I中包括的焊盘电极PAD的图。图12A是根据本发明实施例的图2的有机发光显示装置I的焊盘电极PAD的示意平面图，图12B是根据本发明实施例的沿图12A的线1-1'截取的剖面图，图12C是示出驱动IC 85连接至图12B的结构的状态的剖面图。参考图12A到图12C，下焊盘电极53可以通过开口 OP部分地暴露，并且上焊盘电极55比第二绝缘层14更多地被蚀刻，因此上焊盘电极55具有底切形状，在这种情况下，上焊盘电极55比第二绝缘层14更向里面。上焊盘电极55具有被第二绝缘层14完全包围的表面，第二绝缘层14的一部分延伸到上焊盘电极55的表面之外。因此，可以将导电球80注入底切形状内，以便焊盘电极PAD和驱动IC 85之间更好地电连接。在用于形成有机发光显示装置I的每个掩膜工艺中，可以通过干法蚀刻或湿法蚀刻除去所堆叠的层。在根据本发明实施例的底部发光型有机发光显示装置中，在不增加或减少掩膜数量的情况下，可以在基板的底部表面上与像素电极分离地形成金属层，从而使像素电极的发光效率升高并且获得栅电极的蚀刻特征。因此，有机发光显示装置可以具有改进的显示质量，可以简化其制造过程，并且可以减少其缺陷。虽然已经在本发明的实施例中描述了有机发光显示装置，但是还可以使用包括液晶显示装置在内的多种显示装置。此外，为了便于解释，在附图中示出了单个TFT和单个电容器，然而，本发明不局限于此。只要掩膜工艺的数量不增加，有机发光显示装置可以包括多个TFT和多个电容器。如上面描述的，根据本发明一个或多个实施例，有机发光显示装置可以具有改进的耐腐蚀性。
尽管已经关于本发明的示例实施例具体示出和描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解在不背离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明进行多种形式和细节上的改变。
权利要求
1.一种有机发光显示装置，包括: 薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、绝缘层、源电极和漏电极，所述栅电极与所述有源层绝缘并且包括下栅电极和上栅电极，所述绝缘层覆盖所述栅电极，并且所述源电极和所述漏电极形成在所述绝缘层上并且接触所述有源层； 有机发光二极管，电连接至所述薄膜晶体管并且包括像素电极、中间层和对置电极，所述像素电极与所述下栅电极形成在相同的层级，所述中间层包括发射层，所述像素电极、所述中间层和所述对置电极是顺序地堆叠的；以及 焊盘电极，包括下焊盘电极和上焊盘电极，所述下焊盘电极与所述下栅电极形成在相同的层级，所述上焊盘电极与所述上栅电极形成在相同的层级， 其中所述绝缘层覆盖所述上焊盘电极的上表面， 其中在所述绝缘层和所述上焊盘电极中形成有开口，以暴露所述下焊盘电极的一部分。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述上焊盘电极具有底切的形状，其中所述绝缘层完全覆盖所述上焊盘电极并且突出于所述上焊盘电极之上。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中所述底切的形状被形成为使得所述上焊盘电极具有完全由所述绝缘层包围的表面，所述绝缘层的一部分延伸到所述上焊盘电极的表面以外。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中通过所述开口暴露于外部的所述下焊盘电极的上表面和所述上焊盘电极的侧面电连接至驱动1C，所述驱动IC供应电流来使有机发光显示装置工作。`
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中通过所述开口暴露于外部的所述下焊盘电极的所述上表面和所述上焊盘电极的所述侧面通过导电球电连接至所述驱动1C。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述焊盘电极通过导线与所述薄膜晶体管或所述有机发光二极管电连接。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述下焊盘电极包括比所述上焊盘电极的材料更耐腐蚀的材料。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述下栅电极、所述像素电极和所述下焊盘电极包括透明导电金属氧化物，并且所述上栅电极和所述上焊盘电极包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W、MoW 和 Cu 中选择的至少一种。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括: 电容器，包括下电容器电极和上电容器电极并且与所述薄膜晶体管电连接，所述下电容器电极与所述有源层形成在相同的层级，所述上电容器电极与所述栅电极形成在相同层级。
10.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括: 第一掩膜工艺，在基板上形成薄膜晶体管的有源层； 第二掩膜工艺，在所述基板上形成第一电极单元、栅电极和第二电极单元，所述第一电极单元用于形成像素电极，所述第二电极单元用于形成焊盘电极； 第三掩膜工艺，形成暴露所述有源层的两侧的接触孔、暴露所述第一电极单元的一部分的开口、暴露所述第二电极单元的一部分的开口，以及位于所述第二电极单元上以暴露所述第二电极单元的一部分的层间绝缘层； 第四掩膜工艺，形成通过所述接触孔接触所述有源层的源电极和漏电极，源于所述第一电极单元的所述像素电极，以及源于所述第二电极单元的所述焊盘电极；以及第五掩膜工艺，形成暴露所述像素电极的至少一部分的像素限定层。
11.根据权利要求10所述 的制造有机发光显示装置的方法，其中所述第二掩膜工艺包括: 在所述基板上顺序地形成第一绝缘层、第一导电层和第二导电层，以覆盖所述有源层；以及 同时将所述第一导电层和所述第二导电层图形化，以便形成所述栅电极，使得所述第一导电层的一部分是下栅电极并且所述第二导电层的一部分是上栅电极，以及以便形成所述第二电极单元，使得所述第一导电层的一部分是下焊盘电极并且所述第二导电层的一部分是上焊盘电极。
12.根据权利要求11所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述第四掩膜工艺进一步包括: 在所述层间绝缘层上形成第三导电层； 将所述第三导电层图形化，以形成所述源电极和所述漏电极；以及除去构成所述第一电极单元的所述第二导电层的一部分，以形成包括所述第一导电层的一部分的像素电极，并且部分地除去构成所述第二电极单元的所述上焊盘电极的一部分，以通过形成暴露所述下焊盘电极的一部分的开口而形成所述焊盘电极， 其中由于所述开口，所述层间绝缘层和所述上焊盘电极具有相同的蚀刻面。
13.根据权利要求10所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述第三掩膜工艺包括: 在所述第一电极单元、所述栅电极和所述焊盘电极上形成充当所述层间绝缘层的第二绝缘层；以及 将所述第二绝缘层图形化，以形成暴露所述第一电极单元的一部分的开口和暴露所述第二电极单元的一部分的开口。
14.根据权利要求10所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述第五掩膜工艺进一步包括: 在所述基板的整个表面上形成第三绝缘层，以覆盖所述源电极和所述漏电极；以及将所述第三绝缘层图形化，以形成所述像素限定层，并且除去在所述层间绝缘层上的所述第三绝缘层的形成在所述焊盘电极上的部分， 其中在除去在所述层间绝缘层上的所述第三绝缘层的形成在所述焊盘电极上的部分时，在所述上焊盘电极中形成底切的形状，其中所述层间绝缘层完全覆盖所述上焊盘电极并且突出于所述上焊盘电极之上。
15.根据权利要求14所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述底切的形状被形成为使得所述上焊盘电极是在侧向被蚀刻的。
16.根据权利要求15所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述底切的形状被形成为使得所述上焊盘电极的被除去的区域大于所述层间绝缘层的被除去的区域。
17.根据权利要求10所述的制 造有机发光显示装置的方法，其中所述第一掩膜工艺还包括在基板上在与所述有源层相同的层级形成下电容器电极，所述第二掩膜工艺还包括在所述下电容器电极的上表面上形成上电容器电极。
18.根据权利要求10所述的制造有机发光显示装置的方法，还包括在所述第五掩膜工艺以后，在所述像素电极上形成包括发射层的中间层和对置电极。
19.一种有机发光显示装置，包括: 薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、绝缘层、源电极和漏电极，所述栅电极与所述有源层绝缘并且包括下栅电极和上栅电极，所述绝缘层覆盖所述栅电极，并且所述源电极和所述漏电极形成在所述绝缘层上并且接触所述有源层； 有机发光二极管，电连接至所述薄膜晶体管并且包括像素电极、中间层和对置电极，所述像素电极与所述下栅电极形成在相同的层级，所述中间层包括发射层，所述像素电极、所述中间层和所述对置电极是顺序地堆叠的； 焊盘电极，包括下焊盘电极和上焊盘电极，所述下焊盘电极与所述下栅电极形成在相同的层级，所述上焊盘电极与所述上栅电极形成在相同的层级，所述绝缘层覆盖所述上焊盘电极的上表面，所述上焊盘电极具有底切的形状，其中所述绝缘层完全覆盖所述上焊盘电极并且突出于所述上焊盘电极之上； 驱动1C，布置在所述绝缘层上，提供电流来使所述有机发光显示装置工作；以及 多个导电球，布置在所述底切的形状的区域中，形成所述焊盘电极与所述驱动IC之间的电连接， 其中在所述绝缘层和所述上焊盘电极中形成有开口，以暴露所述下焊盘电极的一部分。
20.根据权利要求19所述的有机发光显示装置，其中所述底切的形状被形成为使得所述上焊盘电极具有由所述绝缘层完全包围的表面，所述绝缘层的一部分延伸到所述上焊盘电极的表面以外。
全文摘要
本发明公开有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置具有包括有源层、包括下栅电极和上栅电极的栅电极、覆盖栅电极的绝缘层以及在绝缘层上形成的且接触有源层的源电极和漏电极的薄膜晶体管。有机发光二极管电连接至薄膜晶体管并且包括与下栅电极形成在相同层级的像素电极、包括发射层的中间层和对置电极。在与下栅电极相同的层级形成下焊盘电极，在与上栅电极相同的层级形成上焊盘电极。
文档编号H01L27/32GK103107181SQ20121019322
公开日2013年5月15日 申请日期2012年6月12日 优先权日2011年11月14日
发明者朴鲜, 李律圭, 柳春基 申请人:三星显示有限公司