专利名称：氮化铝陶瓷基板30瓦18dB衰减片的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种氮化铝陶瓷基板衰减片，特别涉及一种氮化铝陶瓷基板30瓦18dB的衰减片。
背景技术：
目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，大功率陶瓷负载片则只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时的监控，当基站工作发生故障时无法及时地作出判断，对设备没有保护作用。集合了三种电阻设计的衰减片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。由于氮化铝陶瓷仍然属于新兴行业，故在产品线上没有呈现多样化的格局。同时市场上存在的衰减片其衰减精度大多只能做到IG频率以内，少数能做到2G，且衰减精度和设备配备的VSWR较难控制。而市场对衰减精度的要求很高，我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。目前市场上的衰减片当使用频段高于2G时，其衰减精度达不到要求，回波损耗变大，满足不了 2G以上的频段应用要求。
发明内容
针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种阻抗满足50±1.5Q，在3G频段以内衰减精度为18±ldB，驻波要求输入端在1.2以内，输出端在
I.25以内，能够满足目前3G网络的应用要求的氮化铝陶瓷基板30瓦18dB衰减片。为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案一种氮化铝陶瓷基板30瓦ISdB衰减片，其包括一氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有导体层，所述氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。优选的，所述银浆导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。优选的，所述导体层由印刷银浆印刷而成。优选的，所述衰减电路采用TT型电路结构。上述技术方案具有如下有益效果该氮化铝陶瓷基板30瓦ISdB衰减片增大了电阻面积，这样使得衰减片的抗高低温冲击性能增加，使产品性能指标符合要求。同时避免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤，避免了因电阻被淬伤在实际使用过程中会坏掉的风险，改善了电路的设计，使得衰减精度达到了 3G以内10±ldB，驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于3G网络。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式
由以下实施例及其附图详细给出。
图I为本发明实施例的结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。如图I所示，该氮化铝陶瓷基板30瓦ISdB衰减片包括一氮化铝基板1，氮化铝基板I的背面印刷有背导层，氮化铝基板I的正面印刷有导线2及电阻Rl、R2、R3，电阻R1、R2、R3通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过银浆与背导层电连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路沿氮化铝基板的中心线对称，衰减电路的输出端与一焊盘5连接，输入端与一焊盘6连接，两个焊盘5、6沿氮化铝基板的中心线对称。电阻Rl、R2、R3上印刷有玻璃保护膜3，导线2及玻璃保护膜3的上表面还印刷有一层黑色保护膜4，这样可对导线2及电阻R1、R2、R3形成保护。
该氮化铝陶瓷基板30瓦ISdB衰减片要求输入端和接地的阻抗为50 ± I. 5 Q，输出端和接地端的阻抗为50±1. 5Q。信号输入端进入衰减片，经过电阻R1、R3、R2对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号，该氮化铝陶瓷基板30瓦ISdB衰减片增大了电阻面积，这样使得衰减片的抗高低温冲击性能增加，使产品性能指标符合要求。同时避免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤，避免了因电阻被淬伤在实际使用过程中会坏掉的风险，改善了电路的设计，使得衰减精度达到了 3G以内10±ldB，驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于3G网络。以上对本发明实施例所提供的一种氮化铝陶瓷基板30瓦ISdB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种氮化铝陶瓷基板30瓦18dB衰减片，其特征在于其包括一氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有导体层，所述氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
2.根据权利要求I所述的氮化铝陶瓷基板30瓦ISdB衰减片，其特征在于所述银浆导线及玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜。
3.根据权利要求I所述的氮化铝陶瓷基板30瓦ISdB衰减片，其特征在于所述导体层由印刷银浆印刷而成。
4.根据权利要求I所述的氮化铝陶瓷基板30瓦ISdB衰减片，其特征在于所述衰减电路采用TT型电路结构。
全文摘要
本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板30瓦18dB衰减片，其包括一氮化铝基板，氮化铝基板的背面印刷有导体层，氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线，银浆导线连接电阻形成衰减电路，电阻上印刷有玻璃保护膜。该大功率氮化铝陶瓷基板30W-18dB衰减片增大了电阻面积，使得衰减片的抗高低温冲击性能增加，使产品性能指标符合要求。同时避免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤，避免了因电阻被淬伤在实际使用过程中会坏掉的风险，改善了电路的设计，使得衰减精度达到了3G以内18±1dB，驻波满足市场要求，从而使得产品可以应用于3G网络。
文档编号H01P1/22GK102723551SQ20121021653
公开日2012年10月10日 申请日期2012年6月28日 优先权日2012年6月28日
发明者陈建良 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司