专利名称：发光二极管封装件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及发光二极管封装件及其制造方法。
背景技术：
发光二极管(LED)是包括利用电能发光的材料的器件，在该材料中通过半导体结部分中的电子空穴复合而产生的能量被转换为要从该材料发出的光。LED通常被用作照明装置、显示装置等的光源，并由此已经促进了 LED的开发。尤其是近年来，氮化镓基LED的开发和使用已得到增长，并且使用这种氮化镓基LED的手机键盘、观景器、照相机闪光灯等已经商业化，并由此已促进了使用LED的一般照明装置的开发。就像应用了 LED的诸如大型TV的背光单元、汽车前大灯、普通照明装置等产品一样，LED的目标逐渐向具有高输出和高效率的大尺寸产品靠拢，针对这种目的而使用的LED的特性需要满足高水平的LED特性。在相关技术的LED中，在封装件主体上形成堰(dam)，并随后(利用由堰保持在适当位置处的树脂等)对LED芯片进行密封，这里，可以形成的堰图案类型是有限的，使得难以制造具有多种类型的光提取表面图案的LED。
发明内容
本公开的一个方面提供了一种具有减小的产品成本、多种光提取表面图案和增强的照明强度的发光二极管(LED)封装件。本公开的另一方面提供了一种用于制造上述LED封装件的方法。根据本公开的一个方面，提供了一种发光二极管(LED)封装件，包括封装件主体；安装在所述封装件主体上的LED芯片；疏水图案，其与所述LED芯片隔开地形成在所述封装件主体上；以及密封所述LED芯片的树脂单元，其中所述树脂单元由所述疏水图案限定。所述疏水图案可以包括多个纳米结构。所述疏水图案可以包括形成在所述封装件主体上的种子层图案；以及从所述种子层图案生长的多个纳米结构。所述树脂单元可以包括荧光剂。所述树脂单元相对于所述封装件主体可以具有90°或更大的接触角。所述疏水图案可以包括圆形、三角形、四边形和它们的任意组合。所述疏水图案可以包括以相同方式形成的至少两个被隔开的图案。所述LED封装件还可以包括密封所述树脂单元的透镜，其中所述透镜由所述疏水图案限定。所述透镜相对于所述封装件主体可以具有90°或更大的接触角。
所述疏水图案可以受到O2等离子体或H2等离子体处理，或者可以被氟碳化。所述纳米结构可以由氧化锌(ZnO)基化合物制成。所述种子层图案可以是金(Au)、铜(Cu)或它们的合金，或者可以是ZnO。所述种子层图案可以具有交替地层叠金(Au)和铜(Cu)的多层结构。根据本公开的另一方面，提供了一种发光二极管(LED)封装件，包括封装件主体；安装在所述封装件主体上的LED芯片；亲水图案，其与所述LED芯片隔开地形成在所述封装件主体上；以及密封所述LED芯片的树脂单元，其中所述树脂单元由所述亲水图案限定。所述亲水图案可以包括多个纳米结构。所述亲水图案可以受到O2等离子体处理。根据本公开另一方面，提供了一种用于制造发光二极管(LED)的方法，包括在封装件主体上形成疏水图案JfLED芯片安装在由所述疏水图案形成的区域上；以及以树脂密封所述LED芯片。 所述疏水图案可以包括多个纳米结构。可以在种子层图案形成在所述封装件主体上之后，从所述种子层图案生长所述纳米结构。所述种子层图案可以浸入(Zn(NO3)2 6H20)中，并且可以在所述种子层图案上形成ZnO纳米结构。所述种子层图案可以由金(Au)、铜(Cu)或它们的合金制成，或者所述种子层图案可以由ZnO制成。所述种子层图案可以形成为通过交替地层叠金(Au)和铜(Cu)而成为多层的。
所述方法还可以包括对所述疏水图案执行O2等离子体或H2等离子体处理，或者将所述疏水图案氟碳化。所述方法还可以包括在形成密封LED芯片的树脂单元之后，在所述树脂单元上形成透镜。所述纳米结构可以由氧化锌(ZnO)基化合物制成。根据本公开另一方面，提供了一种用于制造发光二极管(LED)封装件的方法，包括在封装件主体上形成疏水图案；将封装件主体的其上形成有所述疏水图案的表面修改为具有亲水性的表面；将LED芯片安装在封装件主体的表面的一部分上；以及利用树脂密封所述LED芯片。所述疏水图案可以包括多个纳米结构，并且可以通过执行H2等离子体处理或者执行氟碳处理来实现使得所述封装件主体的表面成为具有亲水性表面的修改。根据本公开的另一方面，一种发光二极管(LED)封装件包括封装件主体和安装在封装件主体上的LED芯片。在封装件主体上形成包括第一多个纳米结构的第一图案。第一图案与LED芯片隔开并围绕LED芯片。透光树脂单元密封LED芯片。树脂单元的外边界由所述图案限定。在本公开的具体实施例中，在封装件主体上形成包括第二多个纳米结构的第二图案。第二图案与第一图案隔开并且围绕LED芯片。在具体实施例中，第一图案和第二图案受到O2等离子体或H2等离子体处理，或者被氟碳化。在具体实施例中，纳米结构由氧化锌(ZnO)基化合物制成。
在本公开的其他实施例中，提供了用于制造发光二极管(LED)封装件的方法，其中所述方法包括在封装件主体上形成具有第一多个纳米结构的第一图案。将LED芯片安装在由第一图案形成的区域上。第一图案与LED芯片隔开并且围绕LED芯片，并且采用树脂将LED芯片密封以形成树脂单元。树脂单元的外边界由所述图案限定。在本公开的具体实施例中，在封装件主体上形成种子层图案，并且从种子层图案生长出纳米结构。在具体实施例中，在封装件主体上形成包括第二多个纳米结构的第二图案，第二图案与第一图案隔开并且围绕LED芯片。
通过以下结合附图进行的详细描述，将会更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征以及其他优点，在附图中
图1A是示意性示出根据本公开第一实施例的发光二极管(LED)封装件的透视图。图1B是图1A中的“B”的放大示图。图2是示意性示出图1A中的LED封装件沿线A_A’截取的截面的示图。图3是示意性示出根据本公开第二实施例的发光二极管(LED)封装件的截面图。图4是示意性示出根据本公开第三实施例的发光二极管(LED)封装件的截面图。图5是示意性示出根据本公开第四实施例的发光二极管(LED)封装件的透视图。图6是示意性示出根据本公开第五实施例的发光二极管(LED)封装件的透视图。图7是示意性示出根据本公开第六实施例的发光二极管(LED)封装件的透视图。图8是示意性示出根据本公开第七实施例的发光二极管(LED)封装件的透视图。图9至图13是示意性示出用于制造根据本公开第一实施例的LED封装件的方法的示图。图14A至图14C是示出LED封装件形状的变化的示图。图15是通过拍摄纳米结构而得到的SEM照片。
具体实施例方式现在将参照附图详细描述本公开的实施例。然而，本公开可以以许多不同形式来实现，而不应当解释为局限于本发明所述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开透彻和完整，并且将本公开的范围全面传达给本领域的技术人员。在附图中，为清楚起见夸大了元件的形状和尺寸，并且全文将使用相同附图标记来指代相同或相似的部件。首先将描述根据本发明一个实施例的发光二极管(LED)封装件,并随后描述用于制造根据本发明实施例的LED封装件的方法。图1A是示意性示出根据本发明第一实施例的发光二极管(LED)封装件的透视图。图1B是图1A中“B”的放大示图。图2是示意性示出图1A中所示LED封装件的沿线A-A’截取的界面的示图。如图1A和图2所示，根据本公开的第一实施例的LED封装件100包括封装件主体110、LED 芯片 120、疏水图案(hydrophobic pattern) 130 和树脂单兀 140。LED芯片120安装在封装件主体110的一个表面上，并且可以将封装件主体110的安装了 LED芯片120的表面形成为凹陷的，使其周围形成为斜面。LED芯片120安装在封装件主体110的一个表面上，并且可以通过在生长衬底上外延生长半导体层来得到LED芯片120。在该情况下，生长衬底可以由蓝宝石制成，但是本公开不限于此。例如，可以使用由诸如尖晶石、SiC, GaN, GaAs之类的材料制成的已知的生长衬底。详细地说，LED 芯片 120 可以由 BN、SiC、ZnSe、GaN、InGaN、InAlGaN、AlGaN、BAlGaN、BInAlGaN等制成，并且掺杂硅(Si)、锌(Zn)等。这里，在本实施例中，将LED作为一个示例，但是可以使用任何光电元件，只要其在被施加了电信号时发光即可。例如，可以使用激光二极管、光电二极管、有机发光二极管(OLED)等。而且，LED芯片120的发光层可以由通过InxAlyGai_x_y (0彡X彡1，0彡Y彡1，0彡X+Y彡I)形成的氮化物半导体制成，并且可以具有单量子阱或多量子阱结构以增强其输出。形成于LED芯片120的上表面上的电极(未示出)可以与封装件主体110上的引线框进行线接合，以从外部接收电信号。在本实施例中，形成于LED芯片120的上表面上的两个电极均与引线框线接合，但可替换地，可以不使用线而将电极直接电连接到提供在LED芯片的安装区域处的引线框，并且通过导线连接到没有提供在安装区域上的引线框。即，可以根据需要对具体连接方案进行各种改变。而且，在本公开中，在封装件主体110内仅示出单个LED芯片120，但是可以提供两个或更多LED芯片。如图1A和图1B所示，疏水图案130形成为与封装件主体110上的LED芯片120隔开。疏水图案130可以形成为连续图案以完全围绕LED芯片120，或者可以形成为以一定间隔形成的不连续图案。疏水图案130用作用于将具有亲水性的树脂单元140限制为仅形成在由疏水图案130所限定的区域内的堰。疏水图案130的疏水性可以通过莲花效应来实现。莲花效应是指莲叶的表面由于形成在其上的微小突起而表现出超疏水性的现象，其使得水滴不能附着在莲叶的表面上。在本实施例中，为了使得形成于LED 100的封装件主体110上的疏水图案130能够具有疏水性，疏水图案130可以包括如图15所示的多个纳米结构130b。纳米结构130b是纳米尺度上的微小图案的聚集体。如图15所示，纳米结构130b可以在纳米尺度上形成为柱状、针状、管状、片状等，并且具有包括圆形、四边形、六边形在内的多边形当中的一种水平截面形状。而且，可以根据纳米结构130b的长度和尺寸以及纳米结构130b之间的间隔来改变疏水图案130的疏水性。可以通过调节纳米结构130b生长时的反应时间来控制纳米结构130b的长度。疏水图案130的纳米结构130b可以由氧化锌(ZnO)基的化合物制成。可以通过诸如化学气相沉积(CVD)之类的方法来从封装件主体110生长纳米结构130b。可替换地，为了简化制造工艺并减小生产成本，可以通过形成由金(Au)、铜(Cu)或其合金制成的种子层图案并随后将种子层图案浸入包括(Zn(NO3)2 *6H20)和六次甲基四胺(HMT)的混合物的溶液中，来形成纳米结构130b。而且，为了增强纳米结构130b的透光性和导电性，可以在氧气(02)、氮气(N2)、氢气(H2)、氩气(Ar)或空气的氛围下以及在真空中以800°C或低于800°C的温度下对纳米结构130b进行热处理。
而且，为了调节疏水图案13的疏水和亲水性，可以在800°C或低于800°C的温度下使用氧(O2)或氢(H2)离子对疏水图案130进行等离子体处理，或者可以对其进行氟碳处理。当纳米结构130b的表面受到氢(H2)等离子体处理或氟碳处理时，纳米结构130b的疏水性增强，而当纳米结构130b的表面受到氧(O2)等离子体处理时，纳米结构130b的疏水性减弱而表现出亲水性。当纳米结构130b的疏水性增强以具有超疏水性时，形成在由疏水图案130所限定的区域内的树脂单元140可以被形成为液滴形状。详细地说，如图14A至图14C所示，当纳米结构130b的疏水性增强时，可以形成包括较大量的液滴的树脂单元140。如图14C所示，当纳米结构130b的疏水性增强以表现出超疏水性时，可以形成在封装件主体110上方具有90°或更大接触角的液滴形状的树脂单元140”。通过该方式，当树脂单元140”的接触角为90°或更大时，由于高度H3大于半径R，因此与如图14A和图14B分别示出的具有相对较小接触角的树脂单元140和140’相比，树脂单元140”具有增强的照明强度。而且，可以以完全相同的方式形成两个或更多疏水图案130，从而可以在由疏水图案130限定的区域中以重叠的方式形成若干树脂单元140，并且可以将透镜350 (见图4)形成为具有与树脂单元140不同的尺寸。如上所述，疏水图 案130可以用作使得能够在封装工艺中将对LED芯片120进行密封的树脂单元140形成并保持为一定形状的堰，因此能够以多种图案来有利地形成疏水图案130。而且，当形成一般的堰图案以便形成树脂单元，并随后在堰图案中形成树脂单元时，由于制造工艺方面的容差而导致堰图案的宽度产生差异，从而有可能使得树脂溢出。然而，在本实施例中，当使用了疏水 图案130时，由于亲水的树脂被疏水图案限制，因此防止了在分配工艺期间树脂溢出。在由疏水图案130所限定的区域中形成对LED芯片120进行密封的树脂单元140。只要是透光的，就不必具体限定构成树脂单元140的材料，并且可以应用具有半透明性的绝缘树脂，比如硅树脂化合物、修改的硅树脂化合物、环氧树脂化合物、修改的环氧树脂化合物、丙烯酸树脂化合物等。而且，还可以使用具有良好耐气候性的树脂，比如包括硅树脂、环氧树脂和氟碳树脂中的一种或多种的混合树脂等。在具体实施例中，用于形成根据本公开的树脂单元的透明液体树脂可以包含至少一种突光剂。荧光剂可以将光波长转换为黄色、红色和绿色光波长中的任一种，并且可以通过从LED芯片120的有源层发射的光波长来确定对其使用的荧光剂类型。详细地说，荧光剂可以包括YAG基、TAG基、硅酸盐基、硫化物基和氮化物基的荧光材料中的任一种。例如，当对蓝色LED芯片施加将光波长转换为黄色光波长的荧光剂时，可以得到发射白光的LED。下面将描述根据本公开第二实施例的LED封装件200。根据本公开第二实施例的LED封装件200在根据本公开第一实施例的LED封装件100中另外包括透镜250。图3是示意性示出根据本公开第二实施例的发光二极管(LED)封装件的截面图。如图3所示，根据本公开第二实施例的LED封装件200包括封装件主体210、LED芯片220、疏水图案230、树脂单元240和透镜250。
与上文所述的情况类似，LED芯片220安装在封装件主体210的一个表面上，并且可以将封装件主体210的安装了 LED芯片220的表面形成为其周边形成为斜面的凹陷。疏水图案230形成为围绕封装件主体210上的LED芯片220。疏水图案形成为具有疏水性以用作对具有亲水性的树脂单元240进行限定的堰。在由疏水图案230所限定的区域上形成对LED芯片220进行密封的树脂单元240。并没有具体限定树脂单元240的成分，只要其材料为透光的即可。透镜250密封树脂单元240并且形成为被疏水图案230限定。与上文所述的树脂单元240类似，透镜250的形状由疏水图案230的疏水性限定。并没有具体限定构成透镜250的成分，只要其材料为透光的即可，并且可以应用具有半透明性的绝缘树脂，比如硅树脂化合物、修改的硅树脂化合物、环氧树脂化合物、修改的环氧树脂化合物、丙烯酸树脂化合物等。而且，还可以使用具有良好耐气候性的树脂，比如包括硅树脂、环氧树脂和氟碳树脂的一种或多种的混合树脂等。而且，可以通过调整透镜250的表面的形状来控制光分布图案。详细地说，透镜250可以具有凸透镜或凹透镜、卵形透镜等，以控制光分布。可以通过液滴(droplet)工艺在树脂单元240上将透镜250形成为具有液滴形状。当透镜250形成为具有液滴形状时，可以提高照明强度。下面将描述根据本公开第三实施例的LED封装件300。在根据本公开第三实施例的LED封装件300中，疏水图案包括以相同方式形成的两个或更多分隔开的疏水图案330和330’。图4是示意性示出根据本公开第三实施例的发光二极管(LED)封装件的截面图。如图4所示，根据本公开第三实施例的LED封装件300包括封装件主体310、LED芯片320、疏水图案330和330’、树脂单元340和透镜350。与上文所述的情况类似，LED芯片320安装在封装件主体310的一个表面上，并且可以将封装件主体310的安装了 LED芯片320的表面形成为其周边形成为斜面的凹陷。以相同方式形成两个或更多疏水图案330和330’以围绕LED芯片320。疏水图案330和330’形成为具有疏水性以用作对具有亲水性的树脂单元340进行限定的堰。在两个或更多疏水图案当中，在由内部疏水图案330所限定的区域中形成对LED芯片320进行密封的树脂340，并且在双重的疏水图案当中，在由外部疏水图案330’所限定的区域中形成密封树脂单元340的透镜350。并没有具体限定树脂单元340和透镜350的成分，只要其材料为透光的即可。当以相同方式形成疏水图案330和330’时，可以将限定树脂单元340的内部疏水图案330和限定透镜单元350的外部疏水图案330’形成为不相同，以使得树脂单元340和透镜350能够具有不同的形状。在第四实施例中，如图5所示，围绕LED芯片420的树脂单元440由封装件主体410上的具有四边形形状的疏水图案430限定。在第五实施例中，如图6所示，围绕LED芯片520的树脂单元540由封装件主体510上的具有星型形状的疏水图案530限定。在第六实施例中，如图7所示，围绕LED芯片620的树脂单元640由封装件主体610上的具有十字形状的疏水图案630限定 。下面将描述根据本公开第七实施例的LED封装件700。在根据本公开第七实施例的LED封装件700中，将疏水图案的表面修改为具有亲水性以防止密封LED芯片720的树脂单元740的一部分在分配工艺中泄漏到形成在封装件主体710上的电极750和760。图8是示意性示出根据本公开第七实施例的发光二极管(LED)封装件的透视图。如图8所示，根据本公开的第七实施例的发光二极管(LED)封装件包括封装件主体710、安装在封装件主体710上的LED芯片720、亲水图案730、和被形成为与亲水图案730隔开的树脂单兀740。与上文所述的情况类似，LED芯片720安装在封装件主体710的一个表面上，并且可以将封装件主体710的安装了 LED芯片720的表面形成为其周边形成为斜面的凹陷。任何LED芯片均可以用作LED芯片720，只要其为在施加了电信号时发光的光电元件即可。LED芯片720被树脂单元740密封，树脂单元740的周边表面可以由堰(未示出)限定。如上所述，通过对疏水图案执行氧(O2)等离子体处理将疏水图案的表面修改为表现出亲水性来得到亲水图案730。亲水图案730形成为插在树脂单元740与电极750和760之间。具有亲水性的亲水图案730吸收在分配工艺期间泄漏的液体树脂单元740，以防止树脂单元740形成在电极750和760上。如果树脂单元740形成在电极750和760上，则妨碍了线与电极750和760的接合，从而导致不能将电源提供到LED芯片720，使得LED封装件700产生缺陷。将亲水图案730插在树脂单元740与电极750和760之间，有效地防止了分配工艺期间可能产生的有缺陷的LED封装件。下面将描述用于制造根据本公开第一实施例的LED封装件100的方法。图9至图13是示意性示出用于制造根据本公开第一实施例的LED封装件的方法的示图。用于制造LED封装件100的方法包括在封装件主体110上形成疏水图案130 ;将LED芯片120安装在被疏水图案130围绕的区域上；以及形成密封LED芯片120的树脂单元 140。首先，如图9所示，制备封装件主体110。如图10所示，在封装件主体110上形成种子层图案130a。通过在封装件主体110的安装了 LED芯片120的表面上沉积由金(Au)、铜(Cu)或其合金制成的薄膜层，来形成种子层图案130a。可以将种子层图案130a形成为单层，或者可以通过沉积由金(Au)、铜(Cu)或其合金制成的多个薄膜层来将种子层图案130a形成为多层。种子层图案130a可以由ZnO制成。此后，如图11所示，将其上形成有种子层图案130a的封装件主体110浸入ZnO溶液以在种子层图案130a上形成纳米结构130b。ZnO溶液可以是通过将ZnO膜溶解于其中将0. OlM的(Zn(NO3)2 6H20)和0. 25M的HMT(C6H12N4)以1:1的比例混合的溶液中而得到的溶液。随后，如图12所示，将LED芯片120安装在由如上所述形成的疏水图案130所围绕的区域上。可以通过将形成在LED芯片120的上表面上的电极(未示出)与封装件主体110上的引线框(未示出)以线(W)进行接合的工艺来执行LED芯片120的安装。随后，如图13所示，在周边被 疏水图案130限定的区域上形成密封LED芯片120的树脂单元140，从而制造出LED封装件100。
下面将描述用于制造根据本公开第七实施例的LED封装件700的方法。用于制造LED封装件700的方法包括在封装件主体710上形成疏水图案；将封装件主体710的其上形成有疏水图案的表面修改为具有亲水性的表面；安装LED芯片720 ；以及形成树脂单元740。首先，如上面在本公开第一实施例中所述，制备封装件主体710，并在封装件主体710上形成疏水图案。接下来，对疏水图案的表面进行氧(O2)等离子体处理以形成亲水图案730。如上所述，疏水图案可以包括多个纳米结构，所以从疏水图案得到的亲水图案730由于大接触面积而可以具有强亲水吸收能力。从而，由于亲水图案730具有强亲水吸收能力，因此其能够有效吸收亲水材料。随后，将LED芯片720安装在封装件710上，并且将树脂单元740形成为密封LED芯片720。亲水图案730吸收在将液体树脂单元分配到LED芯片720的工艺中泄漏的液体树脂单元，从而防止了树脂单元740形成在电极750和760上。如上所述，根据本公开的实施例，可以提供一种只需较小生产成本并具有多种图案和增强的照明强度的LED封装件。而且，可以提供一种用于制造只需较小生产成本并具有多种图案和增强的照明强度的LED封装件的方法。尽管联系实施例 示出并说明了本发明，然而对于本领域技术人员显而易见的是，可以在不脱离由所附权利要求限定的本发明精神和范围的情况下作做出各种修改和变形。
权利要求
1.一种发光二极管封装件，包括 封装件主体； 安装在所述封装件主体上的发光二极管芯片； 疏水图案，其与所述发光二极管芯片隔开地形成在所述封装件主体上；以及 密封所述发光二极管芯片的树脂单元，其中所述树脂单元由所述疏水图案限定。
2.权利要求1所述的发光二极管封装件，其中所述疏水图案包括多个纳米结构。
3.权利要求1所述的发光二极管封装件，其中所述疏水图案包括 形成在所述封装件主体上的种子层图案；以及 从所述种子层图案生长的多个纳米结构。
4.权利要求1所述的发光二极管封装件，其中所述树脂单元包括荧光剂。
5.权利要求1所述的发光二极管封装件，其中所述树脂单元相对于所述封装件主体具有90°或更大的接触角。
6.权利要求1所述的发光二极管封装件，其中所述疏水图案包括圆形、三角形、四边形和它们的任意组合。
7.权利要求1所述的发光二极管封装件，其中所述疏水图案包括以相同方式形成的至少两个被隔开的图案。
8.权利要求1所述的发光二极管封装件，还包括密封所述树脂单元的透镜，其中所述透镜由所述疏水图案限定。
9.权利要求8所述的发光二极管封装件，其中所述透镜相对于所述封装件主体具有90°或更大的接触角。
10.权利要求1所述的发光二极管封装件，其中所述疏水图案受到O2等离子体或H2等离子体处理，或者被氟碳化。
11.权利要求2所述的发光二极管封装件，其中所述纳米结构由氧化锌基化合物制成。
12.权利要求3所述的发光二极管封装件，其中所述种子层图案由金、铜或它们的合金制成。
13.权利要求3所述的发光二极管封装件，其中所述种子层图案由氧化锌制成。
14.权利要求3所述的发光二极管封装件，其中所述种子层图案具有交替地层叠金和铜的多层结构。
15.一种发光二极管封装件，包括 封装件主体； 安装在所述封装件主体上的发光二极管芯片； 亲水图案，其与所述发光二极管芯片隔开地形成在所述封装件主体上；以及 密封所述发光二极管芯片的树脂单元，其中所述树脂单元由所述亲水图案限定。
16.权利要求15所述的发光二极管封装件，其中所述亲水图案包括多个纳米结构。
17.权利要求15所述的发光二极管封装件，其中所述亲水图案受到O2等离子体处理。
全文摘要
本发明涉及发光二极管封装件及其制造方法，该发光二极管封装件包括封装件主体；安装在所述封装件主体上的发光二极管芯片；疏水图案，其与所述发光二极管芯片隔开地形成在所述封装件主体上；以及密封所述发光二极管芯片的树脂单元，并且所述树脂单元由所述疏水图案限定。能够提供只需较少生产成本并且具有多种图案和增强的照明强度的发光二极管封装件及其制造方法。
文档编号H01L33/54GK103035825SQ20121037651
公开日2013年4月10日 申请日期2012年10月8日 优先权日2011年10月6日
发明者金澖亨 申请人:三星电子株式会社