纵型沟槽IGBT及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种纵型沟槽IGBT的制造方法，其特征在于，具备：在第一导电型的半导体基板上形成第二导电型的体层的工序；形成贯通所述体层的沟槽，在所述沟槽内隔着栅极绝缘膜形成沟槽栅极的工序；在所述体层上形成包含第一导电型的杂质的多晶硅膜的工序；在之后形成发射极层的区域，在所述多晶硅膜上形成抗蚀剂的工序；将所述抗蚀剂作为掩模对所述多晶硅膜进行刻蚀的工序；在对所述多晶硅膜进行刻蚀之后，将所述抗蚀剂作为掩模向所述体层注入第二导电型的杂质的工序；使所述第一导电型的杂质从所述多晶硅膜向所述体层扩散，在所述体层上形成第一导电型的所述发射极层的工序；进行热处理，在所述体层的注入了所述第二导电型的杂质的区域形成第二导电型的扩散层的工序；以及在所述半导体基板的下表面形成第二导电型的集电极层的工序。2.一种纵型沟槽IGBT的制造方法，其特征在于，具备：在第一导电型的半导体基板上形成第二导电型的体层的工序；形成贯通所述体层的沟槽，在所述沟槽内隔着栅极绝缘膜形成沟槽栅极的工序；在所述体层上形成包含第一导电型的杂质的多晶硅膜的工序；使所述第一导电型的杂质从所述多晶硅膜向所述体层扩散，在所述体层上形成第一导电型的发射极层的工序；以及在所述半导体基板的下表面形成第二导电型的集电极层的工序，所述多晶硅膜的颗粒尺寸比所述发射极层的宽度小。3.一种纵型沟槽IGBT的制造方法，其特征在于，具备：在第一导电型的半导体基板上形成第二导电型的体层的工序；形成贯通所述体层的沟槽，在所述沟槽内隔着栅极绝缘膜形成沟槽栅极的工序；在所述体层上形成包含第一导电型的杂质的多晶硅膜的工序；使所述第一导电型的杂质从所述多晶硅膜向所述体层扩散，在所述体层上形成第一导电型的发射极层的工序；以及在所述半导体基板的下表面形成第二导电型的集电极层的工序，与构成所述沟槽栅极的多晶硅同时形成所述多晶硅膜。4.一种纵型沟槽IGBT的制造方法，其特征在于，具备：在第一导电型的半导体基板上形成第二导电型的体层的工序；形成贯通所述体层的沟槽，在所述沟槽内隔着栅极绝缘膜形成沟槽栅极的工序；在所述体层上形成包含第一导电型的杂质的多晶硅膜的工序；使所述第一导电型的杂质从所述多晶硅膜向所述体层扩散，在所述体层上形成第一导电型的发射极层的工序；以及在所述半导体基板的下表面形成第二导电型的集电极层的工序，与构成电容的电极的多晶硅同时形成所述多晶硅膜。5.一种纵型沟槽IGBT的制造方法，其特征在于，具备：在第一导电型的半导体基板上形成第二导电型的体层的工序；形成贯通所述体层的沟槽，在所述沟槽内隔着栅极绝缘膜形成沟槽栅极的工序；在所述体层上形成包含第一导电型的杂质的多晶硅膜的工序；使所述第一导电型的杂质从所述多晶硅膜向所述体层扩散，在所述体层上形成第一导电型的发射极层的工序；以及在所述半导体基板的下表面形成第二导电型的集电极层的工序，与多晶硅电阻同时形成所述多晶硅膜。6.一种纵型沟槽IGBT的制造方法，其特征在于，具备：在第一导电型的半导体基板上形成第二导电型的体层的工序；形成贯通所述体层的沟槽，在所述沟槽内隔着栅极绝缘膜形成沟槽栅极的工序；在所述体层上形成包含第一导电型的杂质的多晶硅膜的工序；使所述第一导电型的杂质从所述多晶硅膜向所述体层扩散，在所述体层上形成第一导电型的发射极层的工序；以及在所述半导体基板的下表面形成第二导电型的集电极层的工序，所述发射极层具有：第一发射极层，形成在所述沟槽栅极的附近；第二发射极层，将所述第一发射极层向外部引出，所述第二发射极层与所述第一发射极层相比，杂质浓度高，深度浅。