发光二极管制造方法
【专利摘要】一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤：提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂GaN层，所述未掺杂GaN层完全覆盖或者不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域；蚀刻位于凸出部的顶部区域的未掺杂GaN层直至暴露出凸出部的顶部区域；在凸出部的顶部区域以及未掺杂GaN层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。在上述方法中，通过蚀刻将位于凸出部顶部区域的未掺杂GaN层。此时，由于缺陷集中的部分被去除，所生长的发光二极管晶体缺陷将减少。
【专利说明】发光二极管制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光二极管的制造方法，尤其涉及一种可有效降低晶体缺陷的发光二极管制造方法。
【背景技术】
[0002]发光二极管(Light Emitting Diode, LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。
[0003]在LED的磊晶生长过程中，如何降低LED晶粒的晶体缺陷是人们需要考虑的问题。一种制备低缺陷的LED晶粒的方法是采用图案化的蓝宝石基板。即，在蓝宝石基板上形成多个凸出部，所述多个凸出部可使到后续磊晶过程中半导体层形成侧向生长，从而降低LED晶粒的晶体缺陷。然而，在上述过程中，缺陷各易集中在凸出部顶部的嘉晶层中，从而对后续的磊晶层的成长造成影响。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，有必要提供一种可有效降低晶体缺陷的发光二极管的制造方法。
[0005]一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤:
提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；
在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂GaN层,所述未掺杂GaN层不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域；
蚀刻位于凸出部的顶部区域的未掺杂GaN层直至暴露出凸出部的顶部区域；
在凸出部的顶部区域以及未掺杂GaN层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
[0006]一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤:
提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；
在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂GaN层直至未掺杂GaN层完全覆盖凸出部的顶部区域；
蚀刻未掺杂GaN层直至暴露出凸出部的顶部区域；
在凸出部的顶部区域以及未掺杂GaN层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
[0007]在上述发光二极管的制造方法中，通过蚀刻将位于凸出部顶部区域的未掺杂GaN层。此时，由于缺陷集中的部分被去除，在后续生长N型GaN层、活性层以及P型GaN层时，所述缺陷将不会影响其生长过程，从而降低后续半导体层生长过程中的缺陷。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第一个步骤。[0009]图2是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第二个步骤。
[0010]图3是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第三个步骤。
[0011]图4是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第四个步骤。
[0012]图5是本发明实施例所提供的发光二极管的制造方法的第五个步骤。
[0013]主要元件符号说明
【权利要求】
1.一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤: 提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部； 在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂GaN层,所述未掺杂GaN层不完全覆盖所述凸出部以露出凸出部的部分区域； 蚀刻位于凸出部的顶部区域的未掺杂GaN层直至暴露出凸出部的顶部区域； 在凸出部的顶部区域以及未掺杂GaN层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述蚀刻未掺杂GaN层的过程以干蚀刻或者湿蚀刻的方法进行。
3.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述活性层为多量子阱层。
4.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述凸出部的截面为半圆形状、三角形形状，梯形形状或其他多边形形状。
5.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，在成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层之前，先在凸出部的顶部区域以及未掺杂GaN层继续生长未掺杂GaN层直至所述未掺杂GaN层覆盖凸出部的顶部区域。
6.一种发光二极管的制造方法，包括以下的步骤: 提供一个蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部； 在蓝宝石基板的表面成长一个未掺杂GaN层直至未掺杂GaN层完全覆盖凸出部的顶部区域； 蚀刻未掺杂GaN层直至暴露出凸出部的顶部区域； 在凸出部的顶部区域以及未掺杂GaN层上依次成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
7.如权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述蚀刻未掺杂GaN层的过程以干蚀刻或者湿蚀刻的方法进行。
8.如权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述活性层为多量子阱层。
9.如权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述凸出部的截面为半圆形状、三角形形状，梯形形状或其他多边形形状。
10.如权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，在成长N型GaN层、活性层以及P型GaN层之前，先在凸出部的顶部区域以及未掺杂GaN层继续生长未掺杂GaN层直至所述未掺杂GaN层覆盖凸出部的顶部区域。
【文档编号】H01L33/00GK103811592SQ201210449786
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2012年11月12日 优先权日:2012年11月12日
【发明者】邱镜学, 林雅雯, 凃博闵, 黄世晟 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司