专利名称：一种基于腐蚀塑封体的扁平封装件制作工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种基于腐蚀塑封体的扁平封装件制作工艺，属于集成电路封装技术领域。
背景技术：
集成电路是信息产业和高新技术的核心，是经济发展的基础。集成电路封装是集成电路产业的主要组成部分，它的发展一直伴随着其功能和器件数的增加而迈进。自20世纪90年代起，它进入了多引脚数、窄间距、小型薄型化的发展轨道。无载体栅格阵列封装(即 AAQFN)是为适应电子产品快速发展而诞生的一种新的封装形式，是电子整机实现微小型化、轻量化、网络化必不可少的产品。无载体栅格阵列封装元件，底部没有焊球，焊接时引脚直接与PCB板连接，与PCB的电气和机械连接是通过在PCB焊盘上印刷焊膏，配合SMT回流焊工艺形成的焊点来实现的。该技术封装可以在同样尺寸条件下实现多引脚、高密度、小型薄型化封装，具有散热性、电性能以及共面性好等特点。AAQFN封装产品适用于大规模、超大规模集成电路的封装。AAQFN封装的器件大多数用于手机、网络及通信设备、数码相机、微机、笔记本电脑和各类平板显示器等高档消费品市场。掌握其核心技术，具备批量生产能力，将大大缩小国内集成电路产业与国际先进水平的差距，该产品有着广阔市场应用前景。但是由于技术难度等限制，目前AAQFN产品在市场上的推广有一定难度，尤其是在可靠性方面，直接影响产品的使用及寿命，已成为AAQFN封装件的技术攻关难点。
发明内容
为了克服上述现有技术存在的问题，本发明提供一种基于腐蚀塑封体的扁平封装件制作工艺，使集成电路框架与塑封体结合更加牢固，不受外界环境影响，直接提高产品的封装可靠性，并在一定程度上降低成本。本发明采用的技术方案一种基于腐蚀塑封体的扁平封装件制作工艺，具体按照以下步骤进行
第一步、减薄减薄厚度为50 ii m 200 V- m ；
第二步、划片150 iim以上晶圆采用普通QFN划片工艺，厚度在150 y m以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；
第三步、上芯采用粘片胶上芯；
第四步、压焊；
第五步、一次塑封用传统塑封料进行塑封；
第六步、框架蚀刻凹槽用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；
第七步、回流焊；
第八步、二次塑封二次塑封使用3(T32um颗粒度的塑封料填充；第九步、腐蚀塑封体用硫酸和发烟硝酸混合液腐蚀塑封体；
第十步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装。所述的步骤中第三步可采用胶膜片(DAF)代替粘片胶；所述的步骤中第四步、第五步、第七步、第十步均与常规AAQFN工艺相同。本发明的有益效果本发明先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，第一次塑封是塑封料填充进凹槽，背面蚀刻后，再进行植球，最后进行二次塑封，可以有效降低产品整体厚度，适应发展需求；尤其是第二次塑封的塑封料可以与第一次塑封的塑封料和框架间形成更加有效的防拖拉结构，显著提高封装件的可靠性，且此法易行，生产效率高。
图1引线框架剖面图； 图2上芯后广品首I]面 图3压焊后产品剖面 图4 一次塑封后产品剖面 图5框架背面蚀刻后产品剖面 图6刷锡膏回流焊后产品剖面 图7 二次塑封后产品剖面 图8腐蚀后产品剖面 图9产品成品剖面。图中1-引线框架、2-粘片胶、3-芯片、4-键合线、5-第一次塑封体、6-蚀刻凹槽、7-锡球、8-第二次塑封体。
具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明，以方便技术人员理解。如图1-9所示采用本发明所述的方法用于单芯片封装，产品包括引线框架1、粘片胶2、芯片3、键合线4、第一次塑封体5、蚀刻凹槽6、锡球7、第二次塑封体8 ;其中芯片3与引线框架I通过粘片胶2相连，键合线4直接从芯片3打到引线框架I上，引线框架I上是粘片胶2，粘片胶2上是芯片3，芯片3上的焊点与内引脚间的焊线是键合线4，第一次塑封体5包围了引线框架1、粘片胶2、芯片3、键合线4、蚀刻凹槽6、锡球7构成了电路的整体，第一次塑封体5对芯片3的键合线4和锡球7起到了支撑和保护作用，芯片3、键合线
4、引线框架I和锡球7构成了电路的电源和信号通道。一种基于腐蚀塑封体的扁平封装件制作工艺，先在框架上用腐蚀的方法形成凹槽，第一次塑封是塑封料填充进凹槽，背面蚀刻后，再进行植球，最后进行二次塑封，具体按照以下步骤进行；
实施例1
第一步、减薄减薄厚度为50 ii m 200 V- m ；
第二步、划片采用厚度为IOOiim的晶圆，使用双刀划片机及其工艺；
第三步、上芯采用粘片胶2上芯；
第四步、压焊与常规AAQFN工艺相同；第五步、一次塑封用传统塑封料9920进行塑封，与常规AAQFN工艺相同；
第六步、框架蚀刻凹槽用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；
第七步、回流焊与常规AAQFN工艺相同；
第八步、二次塑封二次塑封使用30um颗粒度的塑封料填充；
第九步、腐蚀塑封体用硫酸和发烟硝酸混合液腐蚀塑封体，溶液不会和锡球反应。此法能更好的保护锡球，提闻封装良率； 第十步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装与常规AAQFN工艺相同。实施例2
第一步、减薄减薄厚度为50 ii m 200 V- m ；
第二步、划片采用厚度为130 iim的晶圆，使用双刀划片机及其工艺；
第三步、上芯采用粘片胶2上芯；
第四步、压焊与常规AAQFN工艺相同；
第五步、一次塑封用传统塑封料9920进行塑封，与常规AAQFN工艺相同；
第六步、框架蚀刻凹槽用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；
第七步、回流焊与常规AAQFN工艺相同；
第八步、二次塑封二次塑封使用31um颗粒度的塑封料填充；
第九步、腐蚀塑封体用硫酸和发烟硝酸混合液腐蚀塑封体，溶液不会和锡球反应。此法能更好的保护锡球，提闻封装良率；
第十步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装与常规AAQFN工艺相同。实施例3
第一步、减薄减薄厚度为50 ii m 200 V- m ；
第二步、划片采用厚度为170 iim的晶圆，同普通QFN划片工艺相同；
第三步、上芯采用粘片胶2上芯；
第四步、压焊与常规AAQFN工艺相同；
第五步、一次塑封用传统塑封料9920进行塑封，与常规AAQFN工艺相同；
第六步、框架蚀刻凹槽用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内；
第七步、回流焊与常规AAQFN工艺相同；
第八步、二次塑封二次塑封使用32um颗粒度的塑封料填充；
第九步、腐蚀塑封体用硫酸和发烟硝酸混合液腐蚀塑封体，溶液不会和锡球反应。此法能更好的保护锡球，提闻封装良率；
第十步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装与常规AAQFN工艺相同。本发明通过具体实施过程进行说明的，在不脱离本发明范围的情况下，还可以对本发明专利进行各种变换及等同代替，因此，本发明专利不局限于所公开的具体实施过程，而应当包括落入本发明专利权利要求范围内的全部实施方案。
权利要求
1.一种基于腐蚀塑封体的扁平封装件制作工艺，其特征在于具体按照以下步骤进行 第一步、减薄减薄厚度为50 Ii m 200 V- m ； 第二步、划片150 iim以上晶圆采用普通QFN划片工艺，厚度在150 y m以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺； 第三步、上芯采用粘片胶上芯； 第四步、压焊； 第五步、一次塑封用传统塑封料进行塑封； 第六步、框架蚀刻凹槽用三氯化铁溶液在框架背面做局部开窗半蚀刻，形成凹槽，深度控制在框架厚度的一半以内； 第七步、回流焊； 第八步、二次塑封二次塑封使用3(T32um颗粒度的塑封料填充； 第九步、腐蚀塑封体用硫酸和发烟硝酸混合液腐蚀塑封体； 第十步、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装。
2.根据权利要求1所述的一种基于腐蚀塑封体的扁平封装件制作工艺，其特征在于所述的步骤中第三步可采用胶膜片(DAF)代替粘片胶。
3.根据权利要求1所述的一种基于腐蚀塑封体的扁平封装件制作工艺，其特征在于所述的步骤中第四步、第五步、第七步、第十步均与常规AAQFN工艺相同。
全文摘要
本发明涉及一种基于腐蚀塑封体的扁平封装件制作工艺，属于集成电路封装技术领域。本发明采用的不同于以往的塑封工艺，在框架上用腐蚀的方法形成凹槽后，采用二次塑封的方法在框架与一次塑封料、二次塑封料之间形成有效的防拖拉结构，大大降低封装件分层情况的发生几率，极大提高产品可靠性，优于传统AQQFN产品的塑封效果。
文档编号H01L21/56GK103021883SQ20121052329
公开日2013年4月3日 申请日期2012年12月9日 优先权日2012年12月9日
发明者王虎, 郭小伟, 谌世广, 朱文辉, 马晓波 申请人:华天科技(西安)有限公司