专利名称：半导体金属封接器件玻璃密封结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体器件领域，尤其涉及一种半导体金属封接器件的密封结构。
技术背景 在半导体器件中采用的B、F型等金属封装件，因其机械强度高、气密性好、成本适中三大优点而应用广泛。如图I所示，为现有技术中ー种F型金属封装件管座的整体结构示意图，其通过玻璃绝缘子组件2与金属底座I钎焊而成。其中该玻璃绝缘子组件2 (图2所示)通过将玻璃坯件3装入金属外壳4内，再将外引线5插入玻璃坯件3，熔封后即可形成玻璃绝缘子组件2。在金属底座I钎焊后，在后续产品生产过程中，由于金属底座I的外引线5不可避免会在生产加工时受到外来作用力，从而导致玻璃绝缘子组件2开裂的现象，不仅影响产品的质量及外观，更甚者会影响到金属底座I在使用过程中的质量可靠性。造成玻裂的主要原因如下由于玻璃绝缘子组件在玻璃熔封后会自然在图2中A所示的位置形成高度不ー的弯月面，弯月面的U型深度落差H越大，生产过程中金属底座I的玻裂比列也越大。虽然有ー些エ艺技术可以从理论上控制弯月面的U型深度落差H的大小，但是在实际生产中却很难有效的实施。再者，由于玻璃本身特有的脆性，当玻璃绝缘子组件2的外引线5受到垂直作用カ时，作用力直接作用在A处，径向外力就会直接传导到玻璃与可伐熔封界面，因而导致即使弯月面的U型深度落差H为0吋，也会出现较大比例的玻裂现象。因此，有必要提供ー种结构，以避免玻璃绝缘子组件开裂的现象。
实用新型内容本实用新型的目的在于，提出一种半导体金属封接器件玻璃密封结构，其可以有效避免玻璃绝缘子组件开裂的现象，降低半导体金属管壳玻裂的淘汰率。为实现上述目的，本实用新型提供一种半导体金属封接器件玻璃密封结构，包括外壳、设于外壳内的外引线及填充于外壳与外引线之间的绝缘玻璃，该绝缘玻璃一端面形成有ー弯月面，该外引线包括依次同轴设置的端部、连接部及焊接部，该端部设于外壳ー侦牝连接部设于外壳内侧且与绝缘玻璃相接触，焊接部延伸设置于外壳另ー侧，该连接部的半径大于焊接部的半径，该连接部与焊接部之间在弯月面处形成一台阶结构。其中，所述外壳为ー金属壳体。外引线为金属引线，该外引线的端部、连接部及焊接部一体式设置。本实用新型中弯月面的深度落差小于0. 20_。本实用新型的半导体金属封接器件玻璃密封结构，其通过合理的结构设置，使得在玻璃熔封后形成的弯月面高度可由玻璃量的多少进行控制；同时，当外引线受到垂直的外来作用カ时，也可以得到缓冲，降低了玻璃与可伐熔封界面所受到的作用力，从而提高了零部件及后续生产过程中产品的成品率。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为现有技术中ー种F型金属封装件管座的整体结构示意图；图2为现有技术中玻璃绝缘子组件2熔封后ー种具体实施例的结构示意图；图3为本实用新型中半导体金属封接器件玻璃密封结构ー种具体实施例的结构示意图。
具体实施方式
·[0013]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。如图3所示，本实用新型提供一种半导体金属封接器件玻璃密封结构，其包括外壳10、设于外壳10内的外引线20及填充于外壳10与外引线20之间的绝缘玻璃30，该绝缘玻璃30 —端面形成有ー弯月面32，该外引线20包括依次同轴设置的端部22、连接部24及焊接部26，该端部22设于外壳10 —侧，连接部24设于外壳10内侧且与绝缘玻璃30相接触，焊接部26延伸设置于外壳10另ー侧，该连接部24的半径大于焊接部26的半径，该连接部24与焊接部26之间在弯月面32处形成一台阶结构28。本实用新型通过设置连接部24半径大于焊接部26半径的这种变径结构，从而在弯月面32处形成一台阶结构28，并结合缩小弯月面32弧度的结构设计，可以有效避免玻璃绝缘子组件开裂的现象，降低半导体金属管壳玻裂的淘汰率。本实用新型中，所述外壳10为ー金属壳体，外引线20为金属引线，该外引线20的端部22、连接部24及焊接部26 —体式设置。其中，该连接部24与绝缘玻璃30相接触，绝缘玻璃30可以对外壳10及外引线20起到很好的绝缘作用。焊接部26用于垂直向下装入金属底座，并与金属底座进行钎焊以形成F型管座。现有技术中的外引线，其与玻璃接触的ー侧与延伸出外壳设置的ー侧半径相同，因此在弯月面处容易形成玻璃熔融堆积，而本实用新型通过连接部24的变径设置，从而在连接部24与焊接部26之间在弯月面32处形成一台阶结构28，该台阶结构28可以有效避免玻璃熔融后在弯月面32处形成堆积的现象。作为本实用新型的ー种具体实施例，所述弯月面32的U型深度落差H小于0. 20mm。现有技术中，该绝缘玻璃端面上弯月面的U型深度落差H在0. 45mm-0. 55mm之间。综上所述，本实用新型的半导体金属封接器件玻璃密封结构，其通过对外引线20的结构进行改进，根据弯曲变形理论，即“弱区先变形，变形必弱区”，当外引线20受到垂直的外来作用カ时，应カ集中在连接部24变径结构形成的台阶结构28处，因而作用力得到缓解。同吋，由于连接部24变径结构的设置，绝缘玻璃30在熔封时由于受到台阶结构28的限制，其形成的弯月面32的高度可由绝缘玻璃30量的多少控制在台阶结构28处，从而控制弯月面的弧度，即可以控制弯月面32的U型深度落差H的大小，从而降低玻璃与可伐熔封界面所受到的作用力，提高零部件及后部产品成品率。再者，本实用新型通过对玻璃绝缘子组件结构的改进，提高了管座钎焊后玻璃绝缘子处的使用強度，使管座在生产、运输和使用过程的玻璃淘汰率，从结构改进前的30%减低到改进后的10%以下，极大地減少了成本消耗。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。·
权利要求1.一种半导体金属封接器件玻璃密封结构，包括外壳、设于外壳内的外引线及填充于外壳与外引线之间的绝缘玻璃，该绝缘玻璃一端面形成有一弯月面，其特征在于，该外引线包括依次同轴设置的端部、连接部及焊接部，该端部设于外壳一侧，连接部设于外壳内侧且与绝缘玻璃相接触，焊接部延伸设置于外壳另一侧，该连接部的半径大于焊接部的半径，该连接部与焊接部之间在弯月面处形成一台阶结构。
2.如权利要求I所述的半导体金属封接器件玻璃密封结构，其特征在于，所述外壳为金属壳体。
3.如权利要求I所述的半导体金属封接器件玻璃密封结构，其特征在于，所述外引线为金属引线，其端部、连接部及焊接部一体式设置。
4.如权利要求I所述的半导体金属封接器件玻璃密封结构，其特征在于，所述弯月面的深度落差小于O. 20mm。
专利摘要本实用新型涉及半导体器件领域，具体公开了一种半导体金属封接器件玻璃密封结构，其包括外壳、设于外壳内的外引线及填充于外壳与外引线之间的绝缘玻璃，该绝缘玻璃一端面形成有一弯月面，该外引线包括依次同轴设置的端部、连接部及焊接部，该端部设于外壳一侧，连接部设于外壳内侧且与绝缘玻璃相接触，焊接部延伸设置于外壳另一侧，该连接部的半径大于焊接部的半径，该连接部与焊接部之间在弯月面处形成一台阶结构。本实用新型的半导体金属封接器件玻璃密封结构，其可以有效避免玻璃绝缘子组件开裂的现象，降低半导体金属管壳玻裂的淘汰率。
文档编号H01L23/10GK202758866SQ201220307138
公开日2013年2月27日 申请日期2012年6月27日 优先权日2012年6月27日
发明者杨正义, 唐勇, 杨辉 申请人:中国振华集团永光电子有限公司