等离子体处理装置以及等离子体处理方法
【专利摘要】干法蚀刻装置(1)具备搬运基板(5)的托架(3)。在托架(3)设有可收容(3)枚基板(5)的作为贯通孔的基板收容孔(4A～4C)。基板(5)被从基板收容孔(4A～4C)的孔壁突出的基板支撑部(11)支撑。在产生等离子体的腔室(2)内设有平台(21)。平台(21)具备基板载置部(27A～27C)，该基板载置部(27A～27C)从托架(3)的下面插入基板收容孔(4A～4C)、并且在作为其上端面的基板载置面(28)载置从基板支撑部(11)交付的基板(5)的下面。能够抑制装置的大型化同时，实现针对方形基板的高的形状控制性和良好的生产性。
【专利说明】等离子体处理装置以及等离子体处理方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。
【背景技术】
[0002]在太阳能电池中，开发了用于提高转换效率的光限制技术(陷光技术)。在光限制技术中，存在太阳能电池表面的粗面化、太阳能电池表面背面的纹理的形成、以及基板自身的凹凸的形成。对于粗面化，专利文献I中公开了基于湿法蚀刻的粗面化，专利文献2中公开了基于干法蚀刻(RIE蚀刻)的粗面化，还已知利用通过各向同性等离子体进行的加工。此外，对于纹理的形成，专利文献3、4中公开了通过湿法蚀刻来形成纹理，专利文献5中公开了通过干法蚀刻(RIE蚀刻)来形成纹理。再有，对于基板自身的凹凸形成，专利文献6中公开了通过湿法蚀刻在基板表面形成V槽，专利文献7中公开了通过机械性的蚀刻来V槽。
[0003]另一方面，已知利用能搬运多个基板的托架(tray)来实现批处理的干法蚀刻装置。例如，专利文献8中公开了在设置于托架的多个有底的基板收容孔中收容基板来进行搬运的等离子体处理装置。此外，专利文献9中公开了在设置于托架的多个于厚度方向上贯通的基板收容孔中收容基板来进行搬运的等离子体处理装置。
[0004]【先行技术文献】
[0005]【专利文献】
[0006]【专利文献I】JP专利第3301663号
[0007]【专利文献2】JP特开2003-197940号
[0008]【专利文献3】JP专利第29973`66号
`[0009]【专利文献4】JP专利第2866982号
[0010]【专利文献5】JP特开2010-21196号
[0011]【专利文献6】JP专利第2989055号
[0012]【专利文献7】JP专利第2749228号
[0013]【专利文献8】JP特开平2006-066417号
[0014]【专利文献9】JP专利第436105号
【发明内容】
[0015]【发明的概要】
[0016]【发明要解决的课题】
[0017]即便采用上述光限制技术的某个技术，也需要对太阳能电池表面背面、基板进行加工从而形成各种形状。在这种的加工中，不仅要求高的生产效率，而且为了实现有效的光限制还要求高的形状控制性。
[0018]湿法蚀刻中的批处理是较为普遍的，各向同性等离子体处理中使用了桶型等离子体处理装置的批处理也是较为普遍的。在这些的批处理中难以实现较高的形状控制性。另一方面，为了确保形状控制性而在单片处理中执行湿法蚀刻、各向同性等离子体处理的情况下，由于生产效率显著较低，因此产生成本大幅增加。
[0019]基于RIE蚀刻的各向异性蚀刻能够实现较高的形状控制性，但是在单片处理中执行的话其生产效率显著较低。
[0020]专利文献8的等离子体装置构成为在形成于可移动的托架上的多个有底的孔中收容基板，如上述那样能够进行批处理。但是，由于在有底的孔中所收容的各个基板经由托架而被冷却，因此无法有效地冷却基板。其结果，无法投入高的偏置功率，且温度控制性也不好，因此，生产性和形状控制性都不佳。专利文献9的等离子体处理装置构成为在形成于可移动的托架的多个在厚度方向上贯通的孔中收容基板，其也能够进行批处理。由于各个基板不经由托架而直接被冷却，因此能够有效地冷却基板，能够投入较高的偏置功率。
[0021]太阳能电池的基板形状一般是四边形形状或者方形。但是，专利文献9所记载的等离子体处理装置主要意图在于多个圆形基板的批处理，因此对于适用于方形基板时的托架的大型化、甚至装置的大型化抑制，没有充分地考虑。特别，当前的太阳能电池的基板中125_角为主流，但将这种尺寸的9枚方形基板按照3X3的配置而配置在专利文献9的托架上的情况下，由于需要以托架包围9枚方形基板各自的周围，因此托架变得大型化。伴随着托架的大型化，等离子体处理装置整体变得大型化。
[0022]如以上，在现有的等离子体处理中，对于太阳能电池的基板这种的比较大尺寸的方形基板，无法抑制装置的大型化并且同时实现形状控制性和生产性。
[0023]本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置以及等离子体处理方法，能够抑制装置的大型化，同时能够实现较高的形状控制性和良好的生产性的双方。
[0024]【用于解决课题的手段】
[0025]本发明的第I方式提供一种等离子体处理装置，其具备:可移动的托架，其具备被设置成在厚度方向上贯通并收容多个基板的至少I个基板收容孔、以及从该基板收容孔的孔壁突出并对所述基板收容孔内中收容的多个基板的下面的外周缘部分进行支撑的基板支撑部；等离子体产生源，使得在所述托架被移入的腔室内产生等离子体；和平台，其具备配置在所述腔室内并支撑所述托架的托架支撑部、以及从所述托架的下面侧插入所述基板收容孔并且在作为其上端面的基板载置面载置从所述基板支撑部交付的所述多个基板的下面的基板载置部。
[0026]基板的下面不经由托架而直接载置于基板载置部的基板载置面。详细而言，基板载置部从托架的下面侧插入基板收容孔，在基板载置部的作为上端面的基板载置面载置基板。不经由托架而直接载置于基板载置面的基板被高效率冷却，并且能够实现高精度的温度控制。其结果，能够实现高的形状控制性。
[0027]此外，由于托架所具备的至少I个基板收容孔中收容多个基板，因此可进行多个基板的批处理，能够实现良好的生产性。
[0028]再有，在托架的各个基板收容孔中收容多个基板而不是收容单一的基板，在平台所具备的基板载置部的基板载置面，载置从基板收容孔的基板支撑部交付的多个基板。通过在托架的基板收容孔中收容多个基板，从而能够抑制托架的大型化，进而能够抑制等离子体处理装置的大型化。此外，通过构成为在I个基板载置部的基板载置面配置多个基板，从而能够简化平台的构造。
[0029]以上，根据本发明的等离子体处理装置，能够抑制装置的大型化的同时实现高的形状控制性和良好的生产性。
[0030]具体而言，所述托架在相邻的所述基板的对接部彼此被对接的状态下收容所述多个基板。
[0031]例如，所述基板是方形基板，所述对接部是所述方形基板的一边。
[0032]优选等离子体处理装置还具备:弯曲防止部件，按照在俯视下横跨所述基板收容孔的方式对所述托架上配备的所述基板的下面侧进行支撑；和收容槽，其设置在所述平台的所述基板支撑部，使得在托架被所述托架支撑部支撑的状态下让所述弯曲防止部件进入。
[0033]除了基板支撑部之外还设置弯曲防止部件，从而即便在各个基板收容孔中收容多个比较大幅的基板的情况下，也能够防止收容中的基板因自重而向下方弯曲。另一方面，由于被收容在平台的基板载置部的收容槽中，因此弯曲防止部件不妨碍基板被载置于基板载置面。
[0034]优选，等离子体处理装置还具备:静电吸附用电极，其用于使所述基板静电吸附在所述基板载置面；和驱动电源，其对所述静电吸附用电极提供驱动电压。
[0035]此外，优选具备冷却平台的冷却机构。
[0036]进一步优选，等离子体处理装置还具备:传热气体供给机构，对所述基板载置面与所述基板之间供给传热气体。
[0037]在从驱动电源对静电吸附用电极施加直流电压时，基板相对于基板载置面以较高的紧密度被保持。其结果，作为被冷却机构冷却的平台的一部分的基板载置面与基板之间的经由传热气体的热传导较为良好，能够以较高的冷却效率来冷却基板，并且能够以高精度控制基板温度。
[0038]本发明的第2方式提供一种等离子体处理方法，其中，准备托架，该托架具有被设置成在厚度方向上贯通从而收容多个基板的至少I个基板收容孔、以及从该基板收容孔的孔壁突出的基板支撑部，在所述托架的所述基板收容孔中收容多个基板，使得各个基板的下面的外周缘部分载置于所述基板支撑部，使所述托架向腔室内的平台下降，由所述平台的托架支撑部来支撑所述托架，并且，使基板载置部从所述托架的下面侧进入所述基板收容孔，在所述基板载置部的作为上端面的基板载置面载置所述基板收容孔内所收容的多个基板的下面，使得在所述腔室内产生等离子体。
[0039]【发明的效果】
[0040]根据本发明的等离子体处理装置以及等离子体处理方法，在托架的基板收容孔中收容多个基板而不是单一的基板，在平台所具备的基板载置部的基板载置面载置从基板收容孔的基板支撑部交付的多个基板，由此能够抑制装置的大型化同时实现较高的形状控制性和良好的生产性。
【专利附图】
【附图说明】
[0041]图1是本发明的实施方式涉及的干法蚀刻装置的示意图。
[0042]图2是平台以及托架的立体图。
[0043]图3是托架的分解立体图。
[0044]图4是表示静电吸 附用电极的配置的一例的平台的剖视图。[0045]图5是基板的立体图。
[0046]图6A是在托架被配置在平台之前的状态下的与图2以及图3的X轴正交的剖面的部分剖视图。
[0047]图6B是在托架被配置在平台的状态下的与图2以及图3的X轴正交的剖面的部分剖视图。
[0048]图7A是在托架被配置在平台之前的状态下的与图2以及图3的Y轴正交的剖面的部分剖视图。
[0049]图7B是在托架被配置在平台的状态下的与图2以及图3的Y轴正交的剖面的部分剖视图。
【具体实施方式】
[0050]图1至图4表示作为本发明的实施方式涉及的等离子体处理装置的一例的干法蚀刻装置I。该干法蚀刻装置I具备:相对于产生等离子体的可减压的腔室(chamber) 2可经由未图示的出入口移入移出的托架3。
[0051]参照图2以及图3，对于托架3，作为整体是外形是矩形形状、且厚度一定的板状。在托架3中，俯视下大致为长方形形状的3个基板收容孔4A、4B、4C被设置成在厚度方向上从上面3a贯通至下面3b。这些的基板收容孔4A?4C具有相同的形状以及尺寸。在各个基板收容孔4A?4C中，收容3枚的基板5，而不是收容I枚。
[0052]一并参照图5，本实施方式中的基板5，是在四角实施了倒角的方形基板，在俯视下具备直线状的4个边5a。基板5的尺寸没有特别限定，例如可以是太阳能电池用的125_角。由于作为方形基板的基板5是方形基板，因此通过使边5彼此对上，从而实质上能够在同一面内以彼此紧挨着的状态配置相邻的2枚基板5。
[0053]托架3的3个基板收容孔4A?4C，按照在俯视下长边彼此相对置的方式被排成一列(图2以及图3中为Y轴方向)进行配置。托架3具备划定3个的基板收容孔4A?4C的两短边的外框6A、6B、和划定外侧的2个基板收容孔4A、4C的长边的外框7A、7B。此外，托架3具备分别位于基板收容孔4A、4B之间和位于基板收容孔4B、4C之间的中间框8A、8B。
[0054]在各个基板收容孔4A?4C的孔壁的全周设置基板支撑部11。同时参照图7A，基板支撑部11的上面实质上是水平的支撑面11a，下面是倾斜面lib。该倾斜面Ilb从托架3的下而3b向上面3a而朝着基板收容孔4A?4C的尺寸逐渐减少的方向倾斜。在托架3的外框6A?7B的下面侧，也设有从下面3b向上面3a朝着向外侧展宽的方向倾斜的倾斜面 6a、7a。
[0055]在各个基板收容孔4A?4C中分别收容3枚的基板5。也就是说，本实施方式中，在托架3中合计9枚的基板5被配置成3X3的矩阵状。这些基板5的下面5b的外周缘部分被基板支撑部11的支撑面Ila支撑。如上述，基板收容孔4A?4C被形成为在厚度方向上贯通。因此，不仅从托架3的上面3a侧观察时基板收容孔4A?4C中收容的基板5的上面5c露出，而且从托架3的下面3b侧观察时所收容的基板5的下面5b也露出。
[0056]在各个基板收容孔4A?4C中收容的3枚基板5，使边(对接部)5a彼此对接从而以彼此紧挨着的状态进行配置。也就是说，各个基板收容孔4A?4C中收容的3枚基板5在俯视下被配置成一列(图2中为X轴方向)，相对于中央的基板5的彼此对置的一对边5a(图2中在X轴方向上对置的一对边)，分别在其他的基板5的边5a对接的状态下进行配置。
[0057]各个基板收容孔4A?4C中收容的3枚基板5，不仅如上述那样下面5b的外周缘部分被基板支撑部11的支撑面Ila支撑，而且中央被弯曲防止的杆(弯曲防止部件)12A、12B、12C支撑。本实施方式中，各个基板5的每个基板设置I根的杆12A?12C。本实施方式中的杆12A?12C是具有可支撑基板5的程度的刚性的、截面圆形的实质上笔直的杆。各个杆12A?12C被设置成横跨3个基板收容孔4A?4C。在托架3的上面3a，设置于外框7A、7B的直线状的保持槽13a、13b与设置在中间框8A、8B的保持槽13c、13d作为一组而设置3组。构成一个组的保持槽13a?13d，在俯视下配置在横跨3个基板收容孔4A?4C的方向(图2中为Y轴方向)的直线上。在各个保持槽13a?13d的组中收容I根的杆12A?12C。保持槽13a?13d的深度被设定为杆12A?12C与基板支撑部11的支撑面Ila实质上为同一面、或者位于比支撑面Ila略靠下方的位置。杆12A?12C既可以固定在保持槽13a?13d内，也可以是可动的。
[0058]对于在各个基板收容孔4A?4C中收容的3枚基板5之中的中央的基板5，在对置的一对边5a(图2中在Y轴方向对置的一对的边5a)，下面5b被基板支撑部11的支撑面Ila支撑。此外，对于在各个基板收容孔4A?4C中收容的3枚基板5之中的两侧的基板5，在对置的一对的边5a(图2中在Y轴方向对置的一对的边5a)与将这些的边5a连结的其他的I个边5a(图2中在Y轴方向延伸的I个边5a),下面5b被基板支撑部11的支撑面Ila支撑。进而，对于在各个基板收容孔4A?4C中收容的3枚基板5的下面5a,被在俯视下以通过基板5的中心附近的方式在图2中在Y轴方向延伸的杆12A?12C支撑。
[0059]即便在基板收容孔4A?4C中收容了 3枚基板5的状态下，在与形成在各个基板5的四角的倒角相当的部分，基板收容孔4A?4C没有被基板5堵住，而处于从上面3a贯通至下面3b的状态。为此，在托架3的上面3a，堵住相当于倒角的贯通部分，并且以与基板5互不干扰的形状以及位置安装多个(本实施方式中合计8个)的遮蔽板14。
[0060]参照图1，在对干法蚀刻装置I的腔室2的顶部进行封闭的电介质壁18的上方，配置作为上部电极的天线(等离子体源)17。天线17与第I高频电源19A电连接。另一方面，在腔室2内的底部侧，配置平台21，该平台21用于载置对基板5进行保持的托架3。在腔室2的气体导入口 2a连接过程气体(process gas)源22，在排气口 2b连接用于对腔室11内进行真空排气的包括真空泵的减压机构23。
[0061]平台21配置在金属块24上，金属块24被收容在基部25内。金属块24与第2高频电源部19B电连接从而作为下部电极发挥功能。
[0062]参照图2，平台21在俯视下为矩形形状，沿着上面21a的外周设有在俯视下为矩形框状的托架导轨26。在上面21a的被托架导轨26包围的区域配置托架3。在托架导轨26的内侧面，具有与托架3的外框6A?7B的倾斜面6a、7a相匹配的倾斜，作为对托架3进行引导的托架导轨面26a发挥功能。
[0063]在平台21的上面21a，设有与托架3的基板收容孔4对应的在俯视下呈大致长方形形状的岛状隆起的3个基板载置部27A、27B、27C。各个基板载置部27A?27C的实质上的水平的上端面，作为对从托架3的对应的基板收容孔4A?4C (基板支撑部11、杆12A?12C)交付的3枚基板5进行载置的基板载置面28发挥功能。从平台21的上面21a到基板载置面28的高度，被设定得比从托架3的下面3b到基板支撑部11的支撑面Ila的高度足够大。各个基板载置部27A?27C的侧壁29，具有与基板支撑部11的倾斜面Ilb相匹配的倾斜。
[0064]在各个基板载置部27A?27C，为了在将托架3载置于平台21时使杆12A?12C进入来进行收容，分别设有3条的收容槽31A?31C。3条的收容槽31A?31C在同一方向(图2中为Y轴方向)彼此平行地延伸。3个基板载置部27A?27C的3条收容槽31A?31C，分别配置在共同的直线上(图2中为Y轴方向的直线上)。收容槽3IA?3IC的深度被设定为:在将托架3载置于平台21时杆12A?12C不会从基板载置面28突出而被收容在收容槽31A?31C内。
[0065]如仅图4中示意性表示那样，在平台21上，在基板载置部27A?27C的上端面(基板载置面28)附近，配备用于对基板5进行静电吸附的静电吸附用电极32。该静电吸附用电极32，与驱动电源33电连接。只要能够将基板5可靠地静电吸附在基板载置面28上，则静电吸附用电极32既可以是单极型也可以是双极型。静电吸附用电极32可以在平台21的表面通过喷镀等的方法设置。
[0066]参照图1，干法蚀刻装置I具备平台21的冷却装置34。该冷却装置34具备在金属块24内形成的冷媒流路35、使已被调温的冷媒在冷媒流路35中循环的冷媒循环装置36。
[0067]参照图1以及图2，在各个基板载置部27A?27C的基板载置面28，在与载置的3枚基板5对应的位置设置传热气体的供给孔37。这些的供给孔37与共同的传热气体源38连接。
[0068]在腔室2内设有贯通基部25、金属块24以及平台21并且被驱动装置39驱动而升降的升降销(lift pin)40。
[0069]控制器41对构成包括第I以及第2高频电源19A、19B、过程气体源22、传热气体源38、减压机构23、冷却装置34、驱动电源33以及驱动装置39在内的干法蚀刻装置I的要素的动作进行控制。
[0070]接下来，说明本实施方式的干法蚀刻装置I的动作。
[0071]首先，在托架I的3个的基板收容孔4A?4C中分别收容3枚基板5。被托架3的基板支撑部11和杆12A?12C支撑的基板5,通过基板收容孔4A?4C而从托架3的下面3b露出。基板5不仅下面5b的外周缘部分被基板支撑部11的支撑面Ila支撑，而且中央被杆12A?12C支撑。其结果，能够可靠地防止基板5因其自身的自重而引起的弯曲(俯视下中央附近特别显著)。
[0072]收容好基板5的托架3被移入腔室2内，前端移动到升降销40，该升降销40与平台21的上面21a相比突出到充分靠近上方的位置。也就是说，如图6A以及图7A所示那样，收容好基板5的托架3位于平台21的上面21a的上方。
[0073]接下来，通过降下升降销40，托架3向平台21降下。外框6A?7C的倾斜面6a被平台21的托架导轨26的导轨面26a引导，从而托架3相对于平台21维持合适的姿势的同时进行圆滑地下降。参照图6B以及图7B，托架3下降到基板支撑部11的下侧的倾斜面Ilb被载置于平台21的基板载置部27A?27C的侧壁29 (本实施方式中作为托架支撑部而发挥功能)之上。也就是说，托架3下降至被平台21支撑的位置。再者，也可以构成为使托架3的下面3b载置于平台21的上面21a，将平台21的上面21a作为托架支撑部发挥功倉泛。
[0074]在托架3朝向平台21下降时，平台21的基板载置部27A?27C从托架3的下面3b侧进入托架3所对应的基板收容孔4A?4C内。随着托架3靠近平台21，基板载置部27A?27C的前端的基板载置面28向着托架3的上面3a进入基板收容孔4A?4C内。此夕卜，托架3的杆12A?12C进入基板载置部27A?27C的收容槽31A?31C内。
[0075]如图6B以及图7B所示，在托架3的基板支撑部11的倾斜面Ilb被平台21的基板载置部27A?27C的侧壁29载置时，各个基板收容孔4A?4A内的基板3通过基板载置部4A?4C而从基板支撑部11的支撑面Ila被抬起。详细而言，基板5的下面5b被载置于基板载置部4A?4C的基板载置面28，相对于托架3的基板支撑部11的支撑面Ila空出间隔而配置在上方。总之，基板5从托架3的基板支撑部11被交付至基板载置部27A?27C的基板载置面28。
[0076]接下来，从驱动电源33对静电吸附用电极32施加直流电压，在基板载置部27A?27C的基板载置面28分别静电吸附了 3枚的基板5。接着，通过供给孔37而从传热气体源38供给传热气体。之后，从过程气体源22向腔室2内供给过程气体，腔室2内通过减压机构23而维持在规定压力。接下来，从高频电源19A向天线17施加高频电压，从而在腔室3内产生等离子体，并且由高频电源19B向平台21侧的金属块24供给偏置功率。由等离子体来蚀刻基板2。
[0077]在蚀刻过程中，通过冷媒循环装置36使冷媒在冷媒流路35中循环，从而冷却金属块24，由此来冷却在平台21所配备的基板载置部27A?27C的基板载置面28保持的基板
5。如上述，基板5的下面5b没有经由托架3而直接载置于基板载置面28，以高的紧密度被保持。因此，经由了传热气体的基板5与基板载置面28之间的热传导性良好。其结果，能够以较高的冷却效率对各个基板载置部27A?27C的基板载置面28所保持的基板5进行冷却，并且能够对基板2的温度进行高精度的控制。
[0078]此外，由于在I枚的托架3所具备的3个基板收容孔4A?4C中能够分别收容3枚的基板5，将合计9枚的基板5载置于平台21上，因此可进行批处理，能够实现良好的生产性。
[0079]再有，在托架3的各个基板收容孔4A?4C中收容了 3枚的基板5，而不是单一的基板5，在平台21所具备的基板载置部27A?27C的基板载置面28载置从对应的基板收容孔4A?4C的基板支撑部11交付的3枚的基板5。在托架3的基板收容孔4A?4C中收容多个基板5，能够抑制托架3的大型化，进而能够抑制干法蚀刻装置的大型化。以下对于这一点进行说明。假如在托架3中设有仅能收容I枚基板5的基板收容孔的情况下，由于托架3需要具备对这9个基板收容孔进行划定的框状部，因此无法避免托架3的大型化。此外，在托架3大型化时，为了确保强度、刚性，则产生增加框状部的宽度、厚度的必要，从而重量也增大。相对于此,在本实施方式中采用能够收容3枚基板5的3个基板收容孔4A?4C，从而为了划定这些基板收容孔4A?4C，托架3所具备的仅仅是外框6A?7B和2个中间框8A、8B，能够抑制托架3的大型化和重量化。
[0080]此外，从成品率的观点考虑，也优选在托架3的各个基板收容孔4A?4C中收容3枚的基板5而不是收容单一的基板5的结构。以下对于这一点进行说明。假如构成为在托架3的各个基板收容孔中仅收容I枚基板5的情况下，需要与基板5的枚数相同数目的9个基板收容孔，托架3需要具备对这9个基板收容孔进行划定的框状部。在该结构中，由于各个基板5需要在4个边5a全部被框状部包围的状态下进行蚀刻，所以因负载效应(loadingeffect)而在基板5的中央部与周边部的蚀刻中产生偏差。相对于此，在本实施方式中在使3枚基板5对接的状态下犹如一枚基板载置于I个基板载置面28来进行蚀刻，因此对于各个基板5实质上能够减少因负载效应而受到影响的部分，也有助于成品率的提高。
[0081]此外，通过构成为在各个基板载置部27A~27C的基板载置面28配置3枚的基板5，较之针对I枚基板而设置I个基板载置部的情况，能够简化平台21的构造。 [0082]基板5在将作为对接部的边5a对接的状态下被收容在托架3的基板收容孔4A~4C中，在被交付至平台21的基板载置部27A~27C的基板载置面28之后，也维持该状态。通过这一点，使得3枚基板5的一组在俯视下所占的面积最小化。通过这一点，也能够抑制托架3、平台21的大型化。
[0083]以上，根据本发明的等离子体处理装置，能够抑制装置的大型化的同时，实现较高的形状控制性和良好的生产性的双方。
[0084]若在基板载置面28上存在使其产生构造、材质的变化这样的部分，则因该部分而偏置执行功率发生变化，对于蚀刻的均匀性带来影响，因此并不优选。根据这一点，优选在基板载置部27A~27C的基板载置面28所形成的收容槽31A~31C的宽度窄并且深度浅。也就是说，通过使收容槽31A~31C成为宽度窄且浅的槽，从而能够使得偏置执行功率的变化极小化，能够确保蚀刻的均匀性。因此，优选收容槽31A~31C中收容的杆12A~12C在确保能够对基板收容孔4A~4C中收容的基板5防止中央弯曲的范围内尽可能的细。例如，如本实施方式那样杆12A~12C的截面为圆形的情况下，优选在能够确保可支撑基板5的程度的刚性的范围内使得杆12A~12C的直径尽量小。
[0085]本发明并不限定于上述实施方式，可进行各种变形。
[0086]实施方式中，构成为在托架3的各个基板收容孔4A~4C中收容3枚的基板5，在各个基板载置部27A~27C的基板载置面28载置3枚的基板5。但是，在托架的各个基板收容孔中收容的基板的枚数、换言之在各个基板载置部的基板载置面所载置的基板的枚数可以是2枚、也可以是4枚以上。
[0087]基板5的弯曲防止部件并不限定于实施方式的杆12A~12C。只要是可靠地防止基板收容孔4A~4C中收容的基板5因自重而引起的弯曲、另一方面不妨碍基板5载置于基板载置部27A~27C的基板载置面28，则个数、形状没有任何限定。例如，可采用每I枚的基板5设置三根与实施方式同样的杆的结构。在基板5具有因自重引起的弯曲较小或者几乎不发生的厚度的情况下，也可以构成为不设置杆这样的弯曲防止部件。在不设置弯曲防止部件的情况下，也不需要在托架3设置保持槽13a~13d，也不需要在基板载置部27A~27C设置收容槽31A~31C，因此能够更加简化装置结构。
[0088]只要具有对接部且能够在托架的基板收容孔中收容多个基板，则基板的形状并不限定于方形基板。
[0089]以ICP型的干法蚀刻处理装置为例说明了本发明，但在RIE (反应离子)型的干法蚀刻、等离子体CVD用等离子体处理装置以及等离子体处理方法中也能够适用本发明。
[0090]【符号的说明】
[0091]I干法蚀刻装置[0092]2 腔室
[0093]2a气体导入口
[0094]2b 排气 口
[0095]3 托架
[0096]3a 上面
[0097]3b 下面
[0098]4A、4B、4C基板收容孔
[0099]5 基板
[0100]5a 边
[0101]5b 下面
[0102]5c 上面
[0103]6A、6B、7A、7B 外框
[0104]6a、7a 倾斜面
[0105]8A、8B 中间框
[0106]11基板支撑部
[0107]Ila支撑面
[0108]Ilb倾斜面
[0109]12A、12B、12C 杆
[0110]13a、13b、13c、13d 保持槽
[0111]14遮蔽版
[0112]17 天线
[0113]18电介质壁
[0114]19AU9B高频电源
[0115]21 平台
[0116]21a 上面
[0117]22过程气体源
[0118]23减压机构
[0119]24金属块
[0120]25 基部
[0121]26托架导轨
[0122]26a托架导轨面
[0123]27A、27B、27C 基板载置部
[0124]28基板载置面
[0125]29 侧壁
[0126]31A、31B、31C 收容槽
[0127]32静电吸附用电极
[0128]33驱动电源
[0129]34冷却装置
[0130]35冷媒流路[0131]36冷媒循环装置
[0132]37供给孔
[0133]38传热气体源
[0134]39驱动装置
[0135]40升降销
[0136]41控制器
【权利要求】
1.一种等离子体处理装置，其具备: 可移动的托架，其具备:被设置成在厚度方向上贯通并收容多个基板的至少I个基板收容孔、以及从该基板收容孔的孔壁突出并对所述基板收容孔内中收容的多个基板的下面的外周缘部分进行支撑的基板支撑部； 等离子体产生源，其在所述托架被移入的腔室内使等离子体产生；和平台，其具备:配置在所述腔室内并支撑所述托架的托架支撑部、以及从所述托架的下面侧插入所述基板收容孔的基板载置部，其中在作为该基板载置部的上端面的基板载置面载置从所述基板支撑部交付的所述多个基板的下面。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中， 所述托架在相邻的所述基板的对接部彼此被对接的状态下收容所述多个基板。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中， 所述基板是方形基板，所述对接部是所述方形基板的一边。
4.根据权利要求1至3任一项所述的等离子体处理装置，其中， 所述等离子体处理装置还具备:弯曲防止部件，按照在俯视下横跨所述基板收容孔的方式对所述托架上配备的所述基板的下面侧进行支撑；和 收容槽，其设置在所述平台的所述基板支撑部，使得在托架被所述托架支撑部支撑的状态下让所述弯曲防止部件进入。
5.根据权利要求1至4任一项所述的等离子体处理装置，其中， 所述等离子体处理装置还具备:静电吸附用电极，其用于将所述基板静电吸附在所述基板载置面；和` 驱动电源，其对所述静电吸附用电极提供驱动电压。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中， 所述等离子体处理装置具备对平台进行冷却的冷却机构。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中， 所述等离子体处理装置还具备:传热气体供给机构，对所述基板载置面与所述基板之间供给传热气体。
8.一种等离子体处理方法，其中， 准备托架，该托架具有:被设置成在厚度方向上贯通从而收容多个基板的至少I个基板收容孔、以及从该基板收容孔的孔壁突出的基板支撑部， 在所述托架的所述基板收容孔中收容多个基板，使得各个基板的下面的外周缘部分载置于所述基板支撑部， 使所述托架向腔室内的平台下降，由所述平台的托架支撑部来支撑所述托架，并且，使基板载置部从所述托架的下面侧进入所述基板收容孔，在所述基板载置部的作为上端面的基板载置面载置所述基板收容孔内所收容的多个基板的下面， 在所述腔室内使等离子体产生。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理方法，其中， 在所述托架的所述基板收容孔中收容所述多个基板时，使得处于将相邻的所述基板的对接部彼此对接的状态。
10.根据权利要求9所述的等离子体处理方法，其中，所述基板是方形基 板，所述对接部是所述方形基板的一边。
【文档编号】H01L21/683GK103718284SQ201280037016
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2012年6月29日 优先权日:2011年7月26日
【发明者】置田尚吾, 渡边彰三 申请人:松下电器产业株式会社