带有δ掺杂层的太阳能电池的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种太阳能电池，其包含：基极区，其包括有源结，所述基极区包括第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面；本征区，其与所述基极区的所述第一侧面直接接触；发射极区，其位于所述基极区的所述第一侧面上并且直接接触所述本征区使得所述本征区位于所述基极区和所述发射极区之间；δ掺杂层，其直接接触所述基极区的所述第二侧面，所述δ掺杂层包含选自碳、硅、锗、锡、铅和其组合的掺杂物，其中所述δ掺杂层具有在5纳米到15纳米的范围内的平均层厚度，其中所述δ掺杂层包含浓度至少为每立方厘米1×1019个原子的掺杂物；和背面场层，其包含AlGaAs或AlGaInP，所述背面场层直接接触与所述基极区相对的所述δ掺杂层的表面使得所述δ掺杂层被设置直接接触所述所述基极区与所述背面场层并被设置在所述所述基极区与所述背面场层之间。2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中所述δ掺杂层包含浓度至少为每立方厘米1×1020个原子的掺杂物。3.如权利要求1所述的太阳能电池，其形成为多结太阳能电池。4.如权利要求1所述的太阳能电池，其进一步包含窗口，其中所述发射极区位于所述基极区和所述窗口之间。5.一种太阳能电池，其包含：基极区，其包括有源结，所述基极区包括第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面；本征区，其与所述基极区的所述第一侧面直接接触；发射极区，其位于所述基极区的所述第一侧面上并且直接接触所述本征区使得所述本征区位于所述基极区和所述发射极区之间；第一背面场层，其位于所述基极区的所述第二侧面上，所述第一背面场层包含AlGaAs或AlGaInP；第二背面场层，其位于所述基极区的所述第二侧面上，所述第二背面场层包含AlGaAs或AlGaInP；和δ掺杂层，其位于所述第一背面场层和所述第二背面场层之间并直接接触所述第一背面场层和所述第二背面场层，所述δ掺杂层包含选自碳、硅、锗、锡、铅和其组合的掺杂物，其中所述δ掺杂层具有在5纳米到15纳米的范围内的平均层厚度，其中所述所述δ掺杂层包含浓度至少为每立方厘米1×1019个原子的掺杂物。6.如权利要求5所述的太阳能电池，其中所述δ掺杂层包含浓度至少为每立方厘米1×1020个原子的掺杂物。7.如权利要求5所述的太阳能电池，其形成为多结太阳能电池。8.如权利要求5所述的太阳能电池，其进一步包含窗口，其中所述发射极区位于所述基极区和所述窗口之间9.一种用于形成如权利要求1-8中任一项所述的太阳能电池的方法，其包含以下步骤：提供基底；在所述基底上生长背面场层；δ掺杂所述背面场层以形成δ掺杂层；以及在所述δ掺杂层上方生长附加层。10.如权利要求9所述的方法，其中所述生长步骤包含以外延方式生长。11.如权利要求10所述的方法，其中所述附加层是第二背面场层和基极区中的一个。