技术总结
本发明提供一种多孔低k介质层的形成方法及多孔低k介质层。其中，多孔低k介质层的形成方法包括：提供基底，在所述基底上形成介质层，形成所述介质层的反应气体包括主反应气体，所述主反应气体的化学结构式包括环状基团、硅原子、碳原子和氢原子，所述环状基团包括碳原子和氢原子；利用紫外线对所述介质进行处理，形成多孔低k介质层。采用本发明的方法，可以节省工艺步骤，降低工艺复杂度，提高形成多孔低k介质层的工艺效率。
技术研发人员：周鸣
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201310113287
技术研发日：2013.04.02
技术公布日：2017.02.08