薄膜晶体管基板的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种薄膜晶体管基板，包括透明基板、第一绝缘层、第二绝缘层以及多个薄膜晶体管。其中，每一薄膜晶体管包括栅极、源极、汲极、通道层以及通道保护层。所述栅极形成在所述透明基板上，所述第一绝缘层覆盖所述栅极，所述通道层形成在所述第一绝缘层上正对所述栅极的位置，所述通道保护层直接形成在所述通道层上，所述源极和汲极形成在所述第一绝缘层上且分别与通道层的相对两侧连接，所述第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上并覆盖所述源极、汲极、通道层和通道保护层。相较于现有技术，本发明薄膜晶体管基板中的开关元件在受到按压时能够有效得到缓冲，不容易被压坏，使用寿命更长。
【专利说明】薄膜晶体管基板
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种薄膜晶体管基板。
【背景技术】
[0002] 液晶显示面板通常包括一薄膜晶体管基板、一彩色滤光片基板和夹在该两个基板 之间的液晶层，其是通过施加电压以控制其间液晶分子扭转而实现光的通过或不通过，从 而达到显示的目的。其中，所述薄膜晶体管基板上设置有多个阵列排布的薄膜晶体管作为 传输显示信号的开关元件。然而，所述薄膜晶体管的通道层容易在受到按压时损坏，尤其在 高解析度的液晶显示面板中，薄膜晶体管基板中的开关元件极易被彩色滤光片一侧的间隔 物压坏，从而致使画面显示异常。
【发明内容】
[0003] 鉴于此，有必要提供一种薄膜晶体管基板，包括透明基板、第一绝缘层、第二绝缘 层以及多个薄膜晶体管。其中，每一薄膜晶体管包括栅极、源极、汲极、通道层以及通道保护 层。所述栅极形成在所述透明基板上，所述第一绝缘层覆盖所述栅极，所述通道层形成在所 述第一绝缘层上正对所述栅极的位置，所述通道保护层直接形成在所述通道层上，所述源 极和汲极形成在所述第一绝缘层上且分别与通道层的相对两侧连接，所述第二绝缘层形成 在所述第一绝缘层上并覆盖所述源极、汲极、通道层和通道保护层。
[0004] 相较于现有技术，本发明薄膜晶体管基板中的开关元件在受到按压时能够有效得 到缓冲，不容易被压坏，使用寿命更长。
【专利附图】
【附图说明】
[0005] 图1是本发明薄膜晶体管基板的局部平面结构示意图。
[0006] 图2是图1所示薄膜晶体管基板的沿V-V线的剖视结构示意图。
[0007] 图3是图1中薄膜晶体管的局部放大示意图。
[0008] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种薄膜晶体管基板，包括： 透明基板、第一绝缘层、第二绝缘层以及多个薄膜晶体管，其中，每一薄膜晶体管包括 栅极、源极、汲极、通道层以及通道保护层，所述栅极形成在所述透明基板上，所述第一绝缘 层覆盖所述栅极，所述通道层形成在所述第一绝缘层上正对所述栅极的位置，所述通道保 护层直接形成在所述通道层上，所述源极和汲极形成在所述第一绝缘层上且分别与通道层 的相对两侧连接，所述第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上并覆盖所述源极、汲极、通道层 和通道保护层。
2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述通道保护层的材质是氧化 铟锡。
3. 如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述通道保护层位于源极与汲 极之间，且所述通道保护层的相对两端与所述源极与汲极之间存在有空隙。
4. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述通道保护层的材质是绝缘 材料。
5. 如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述通道保护层位于源极与汲 极之间，且所述通道保护层贴附于所述源极与汲极。
6. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述第一绝缘层为栅极绝缘层， 所述第二绝缘层为钝化层。
7. 如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述薄膜晶体管基板还包括相 互平行的扫描线及数据线，所述扫描线与所述数据线绝缘相交。
8. 如权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述源极为由数据线一侧在平 面上延伸出的C字型结构，该C字型源极远离数据线的末端大致平行所连接的数据线，所述 汲极为一 L字型结构，该L字型汲极的一端大致平行其邻近的部分数据线，且伸入所述C字 型源极所收容的空间内同时与所述源极各面都不接触，而所述汲极的另一端大致垂直其邻 近的部分数据线并远离其邻近的数据线，所述通道层为一 D字型结构，所述C字型源极基本 位于所述通道层且沿D字型通道层的曲线边缘设置，所述汲极伸入所述C字型源极的一端 基本位于所述通道层，而所述汲极的另一端位于该通道层之外，所述通道保护层从平面方 向看呈一开口方向大致平行数据线的U字型结构，该通道保护层间隔设置于所述源极与汲 极之间，并完全位于通道层。
9. 如权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述薄膜晶体管基板 还包括第一电极层、第二电极层、多条相互平行的公共电极线及通孔，所述第一电极层夹设 于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，且与所述汲极电连接，所述第二电极形成在所 述第二绝缘层上，并通过所述通孔与公共电极线相连接。
10. 如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述第一电极层为像素电极， 所述第二电极层为公共电极。
11. 如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：所述第一电极层及所述第二电 极层的材质为氧化铟锡。
【文档编号】H01L29/786GK104124253SQ201310194497
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2013年5月23日 优先权日:2013年5月23日
【发明者】王晓倩, 柳智忠, 王明宗, 郑亦秀 申请人:深超光电（深圳）有限公司