半导体器件及其制造方法与制造工艺

技术特征：
1.一种半导体器件，包括：第一布线层，包括第一层间绝缘层和在所述第一层间绝缘层中嵌入的第一布线；第二布线层，包括在所述第一布线层之上形成的帽绝缘层、在所述帽绝缘层之上提供的第二层间绝缘层和在所述第二层间绝缘层中嵌入的第二布线；在所述第一布线层和所述第二布线层中提供的第一传导类型的第一晶体管；在所述第一布线层和所述第二布线层中提供的不同于所述第一传导类型的第二传导类型的第二晶体管，其中所述第一晶体管包括：作为一个第一布线的第一栅极电极；在所述第一栅极电极之上提供的并且包括所述帽绝缘层的一部分的第一栅极绝缘膜；在所述第一栅极绝缘膜之上形成的第一氧化物半导体层；在所述第一氧化物半导体层之上提供的第一硬掩模层；以及第一绝缘侧壁膜，覆盖所述第一氧化物半导体层的侧部，其中所述第二晶体管包括：作为另一第一布线的第二栅极电极；在所述第二栅极电极之上提供以通向所述第一栅极绝缘膜的第二栅极绝缘膜，并且所述第二栅极绝缘膜包括所述帽绝缘层的另一部分；在所述第二栅极绝缘膜之上提供的第二氧化物半导体层；以及在所述第二氧化物半导体层之上提供的第二硬掩模层。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二栅极绝缘膜比所述第一栅极绝缘膜更薄。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二栅极绝缘膜包括：通向所述第一栅极绝缘膜的第二下栅极绝缘膜；以及在所述第二下栅极绝缘膜之上提供的第二上栅极绝缘膜。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二下栅极绝缘膜和所述第二上栅极绝缘膜的总厚度等于所述第一栅极绝缘膜的厚度。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅极绝缘膜包括：通向所述第二栅极绝缘膜的第一下栅极绝缘膜；以及在所述第一下栅极绝缘膜之上提供的第一上栅极绝缘膜。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二栅极绝缘膜包括：...