高方阻铝膜的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种高方阻铝膜，包括基膜、加厚区、渐变方阻区，所述加厚区和所述渐变方阻区均为位于所述基膜上方的金属蒸镀层，且所述加厚区位于所述基膜的一侧，所述渐变方阻区位于所述基膜的另一侧和所述加厚区之间，且所述渐变方阻区的厚度自所述加厚区连接处向所述基膜的另一侧逐渐降低。所述加厚区降低了薄膜电容器的喷金层和芯子的接触电阻，能承受比较大的电流。所述渐变方阻区使其方块电阻出现从小到大的变化，并与电容器的电流密度分布相适应，提高电容器的耐压强度。
【专利说明】高方阻铝膜
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种金属化薄膜的蒸镀结构，即高方阻铝膜，属于电容器【技术领域】。
【背景技术】
[0002]目前市场上普遍使用的金属化薄膜均采用的是锌铝合金蒸镀方式，且最大方块电阻的阻值只有20Ω / 口。随着电容器应用的起来起广泛，电力设备体积要求越来越小，相应的对电容的体积要求也越来越高，这就要求电容器的储能密度越来越大，即电容器用薄膜的耐压强度要相应的增加。
[0003]而大量电容器在制作过程中易发生大气氧化腐蚀，使金属层的方阻增大，给电容器的性能造成的不良后果是极其严重的，且金属化薄膜在贮存过程中也易发生大气氧化腐蚀。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是针对现有技术中存在的不足之处，提出的一种新的金属化薄膜的蒸镀结构，即高方阻铝膜。在同等的电气参数下，使用本发明所提出的高方阻铝膜卷制成的电容器，要比用常规方式蒸镀的金属化膜卷制的电容器体积要小，电容器的自愈能力也强一些。
[0005]为解决上述问题，本发明所采取的技术方案如下:
一种高方阻铝膜，包括:基膜、加厚区、渐变方阻区，所述加厚区和所述渐变方阻区均为位于所述基膜上方的金属蒸镀层，且所述加厚区位于所述基膜的一侧，所述渐变方阻区位于所述基膜的另一侧和所述加厚区之间，且所述渐变方阻区的厚度自所述加厚区连接处向所述基膜的另一侧逐渐降低。所述加厚区降低了薄膜电容器的喷金层和芯子的接触电阻，能承受比较大的电流。所述渐变方阻区使其方块电阻出现从小到大的变化，并与电容器的电流密度分布相适应，提高电容器的耐压强度。
[0006]作为上述技术方案的改进，所述加厚区为金属锌蒸镀层。因电容器的工作原理，力口厚区边缘处电容器电流密度大，而铝金属在电容器长期工作中易发生深度腐蚀，即电化学腐蚀。而对纯锌的金属化薄膜而言，即便金属层很薄，对电化学腐蚀也不敏感。
[0007]作为上述技术方案的改进，所述渐变方阻区为金属铝蒸镀层。使所述渐变方阻区的厚度变化在加工过程中易于控制和实现。
[0008]作为上述技术方案的改进，所述加厚区的方块电阻为(4.5±1) Ω/ 口。用于控制所述高方阻铝膜的最小阻值，以确保产品应用的安全性。
[0009]作为上述技术方案的改进，所述渐变方阻区的方块电阻自所述加厚区连接处向所述基膜的另一侧逐渐增大，且变化曲线为平滑的S形。所述渐变方阻区的方块电阻变化曲线与电容器的电流密度分布相适应，从而可以提高电容器的耐压强度；优选的高方阻铝膜的方块电阻变化曲线如图2所示。
[0010]作为上述技术方案的改进，所述渐变方阻区的方块电阻最大值为65Ω/ 口。用于控制所述高方阻铝膜的最大阻值，以确保产品应用的安全性。
[0011]本发明与现有技术相比较，本发明的实施效果如下:
本发明所述的高方阻铝膜与电容器的电流密度分布相适应，兼顾了电容器的电流与电压的需求，提高了电容器的耐压强度，增强了电容器的自愈能力，缩小了电容器的体积。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1为本发明所述的高方阻铝膜结构示意图；
图2为本发明所述的高方阻铝膜的方块电阻变化曲线。
【具体实施方式】
[0013]下面将结合具体的实施例来说明本发明的内容。
[0014]如图1所示，为本发明所述的高方阻铝膜结构示意图。本发明所述高方阻铝膜，包括:基膜1、加厚区2、渐变方阻区3，所述加厚区2和所述渐变方阻区3均为位于所述基膜I上方的金属蒸镀层，且所述加厚区2位于所述基膜I的一侧，所述渐变方阻区3位于所述基膜I的另一侧和所述加厚区2之间，且所述渐变方阻区3的厚度自所述加厚区2连接处向所述基膜I的另一侧逐渐降低。所述加厚区2和所述渐变方阻区3的质地可以是现有技术中常用的锌铝合金蒸镀层，也可以是金属锌蒸镀层或金属铝蒸镀层等导电金属薄膜。
[0015]优选地，所述加厚区2为金属锌蒸镀层。所述渐变方阻区3为金属铝蒸镀层。且所述加厚区2的方块电阻为(4.5±1)Ω / 口。所述渐变方阻区3的方块电阻自所述加厚区2连接处向所述基膜I的另一侧逐渐增大，且变化曲线为平滑的S形。所述渐变方阻区3的方块电阻最大值为65 Ω / 口。
[0016]本发明所提供的高方阻铝膜与电容器的电流密度分布相适应，兼顾了电容器的电流与电压的需求，提高了电容器的耐压强度，增强了电容器的自愈能力，缩小了电容器的体积。本发明所提供的高方阻铝膜的方块电阻变化曲线，如图2所示。
[0017]以上内容是结合具体的实施例对本发明所作的详细说明，不能认定本发明具体实施仅限于这些说明。对于本发明所属【技术领域】的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明保护的范围。
【权利要求】
1.一种高方阻铝膜，其特征是:包括基膜(I)、加厚区(2)、渐变方阻区(3)，所述加厚区(2)和所述渐变方阻区(3)均为位于所述基膜(I)上方的金属蒸镀层，且所述加厚区(2)位于所述基膜(I)的一侧，所述渐变方阻区(3)位于所述基膜(I)的另一侧和所述加厚区(2)之间，且所述渐变方阻区(3)的厚度自所述加厚区(2)连接处向所述基膜(I)的另一侧逐渐降低。
2.如权利要求1所述的高方阻铝膜，其特征是:所述加厚区(2)为金属锌蒸镀层。
3.如权利要求1所述的高方阻铝膜，其特征是:所述渐变方阻区(3)为金属铝蒸镀层。
4.如权利要求1或2所述的高方阻铝膜，其特征是:所述加厚区(2)的方块电阻为(4.5±1) Ω/口。
5.如权利要求1或3所述的高方阻铝膜，其特征是:所述渐变方阻区(3)的方块电阻自所述加厚区(2)连接处向所述基膜(I)的另一侧逐渐增大，且变化曲线为平滑的S形。
6.如权利要求5所述的高方阻铝膜，其特征是:所述渐变方阻区(3)的方块电阻最大值为 65 Ω / □。
【文档编号】H01G4/005GK103456492SQ201310400393
【公开日】2013年12月18日 申请日期:2013年9月6日 优先权日:2013年9月6日
【发明者】许明建, 周峰 申请人:安徽赛福电子有限公司