一种有机发光二极管的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种有机发光二极管，所述有机发光二极管自下而上依次包括如下结构：衬底、阳电极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层、阴电极。
【专利说明】一种有机发光二极管
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体【技术领域】，特别是涉及一种发光均匀的有机发光二极管(0LED)。
【背景技术】
[0002]OLED显示技术具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光，而且OLED显示屏幕可视角度大，并且能够显著节省电能，并且其制造方法简单、功耗低、颜色丰富、适用于柔性衬底与大面积显示等，备受业界关注，因此它也一直被业内人士所看好。
[0003]OLED的两个电极分别为阴电极和阳电极，为了增加元件的发光效率，在阴电极处，电子与空穴的注入通常需要低功函数；而在阳电极处，却需要高功函数；业内一般采用金属单质作为阴电极，而采用氧化铟锡(Indium TinOxide, ΙΤ0)来作为阳电极；ΙΤ0具有高透射率、低电阻率及高功函数等优点，因此业内通常采用ITO来制作OLED的阳电极。
[0004]目前，为了提高该ITO阳电极的功函数，业界通常对ITO阳电极的表面进行氧等离子或紫外线/臭氧处理，以提高氧化铟锡层的含氧量，进而提高该阳电极12的功函数。或者，如中国专利文献CN101295771A公开的一种有机发光二极管阳电极的制备方法，其在该阳电极沉积过程中通入氧气或水蒸气或二者的混合气，使该阳电极内部与表面的含氧量皆增加，进而使提高阳电极的功函数。
[0005]然而，上述两种方法虽然都能在一定程度上提高阳电极的功函数，但是仍然存在着问题。氧等离子体处理能清洁ITO表面有机杂质，使ITO表面终端氧成份增加，进而表面极化增强，从而提高ITO表面功函数，但是氧等离子体对ITO表面的轰击会造成表面光滑度下降，这一定程度上抵消了功函数的增加效应。紫外光/臭氧处理实际上并不能增加ITO表面的功函数，其实际上仅能清洁ITO表面的有机杂质，去除了有机杂质对功函数的提高作用非常有限。而在阳电极沉积过程中通入氧气或水蒸气的混合气，其工艺周期较长，不利于提闻生广效率。
【发明内容】
[0006]本发明针对上述问题，为了提高有机发光二极管的发光效率，并且降低其启动电压；本发明提出了一种有机发光二极管；所述有机发光二极管自下而上依次包括如下结构:衬底、阳电极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层、阴电极；
[0007]其中，阳电极由ITO材料构成，其包括位于下部的第一 ITO层及其上的第二 ITO层；所述第一 ITO层的厚度为阳电极厚度的1/3-1/2，所述第二 ITO层的厚度为阳电极厚度的 1/2-2/3。
[0008]其中阴电极包括位于下部的第一阴电极层及其上的第二阴电极层；其中，第一阴电极层由Ag、Al、Ca、In、Li或Mg中的一种构成,第二阴电极层由Mg-Ag合金或Mg-Al构成；所述第一阴电极层的厚度为阴电极厚度的1/2，第二阴电极层的厚度为阴电极厚度的1/2。
[0009]其中，第一 ITO层在水蒸气氛围中沉积ITO材料而形成，并且其表面进行了第一次处理；第二 ITO层在水蒸气氛围中沉积ITO材料而形成，并且其表面进行了第二次处理；其中第一 ITO层经由:在沉积腔内通入水蒸气，在水蒸气的氛围下沉积ITO材料至发光二极管的功能层上而形成；第一次处理是在等离子体腔中通过氧气，使得氧气等离子体化后对第一 ITO层表面进行处理；第二 ITO层经由:在沉积腔内通入水蒸气，在水蒸气的氛围下沉积ITO材料至第一 ITO层上而形成；第二次处理是将第二 ITO层以双氧水浸没，对第二 ITO层表面进行第一次紫外光照射后干燥，然后在臭氧的氛围中对该第二 ITO层表面进行第二次紫外光照射。
[0010]其中，第一阴电极层和第二阴电极层都采用溅镀的方式形成。 [0011]或者，所述阳电极自下而上依次由第一 ITO层、第二 ITO层以及第三ITO层组成；其中，第一 ITO层、第二 ITO层和第三ITO层的厚度分别占ITO阳电极厚度的1/4、1/4和1/2 ；
[0012]其中，第一 ITO层的形成方法与前文所述相同，而对第二 ITO层的表面进行处理是:在等离子体腔中通过氧气，使得氧气等离子体化后对第二 ITO层进行处理；在该步骤中，可以在第二 ITO层的表面进一步提闻含氧量，进一步提闻第二 ITO层的功函数；
[0013]第三ITO层经由:在沉积腔内通入水蒸气，在水蒸气的氛围下沉积ITO材料第二ITO层上而形成；这种方式形成的第三ITO层的内部也是富氧的IT0，所以第三ITO层的功函数得以提高；而且，由于第二 ITO层表面经过等离子体处理，因此其表面的平滑度降低，导致增加的功函数有所折损，所以采用水蒸气氛围下的第三ITO层沉积，在沉积过程中，ITO材料可以将第二 ITO层表面不平滑的部分填满，相当于使得第二 ITO层表面平滑化，这样就克服了等离子体处理第二 ITO层表面所帯来的功函数折损；
[0014]然后对第三ITO层的表面进行处理:以双氧水浸没第三ITO层的表面，然后进行第一次紫外光照射；为了使得紫外光能够照射到第三ITO层的表面，第三ITO层不能被双氧水浸没得太多，在本发明中，以双氧水液面正好将第三ITO层的表面完全覆盖即可。在双氧水中进行第三ITO层表面的第一次紫外光照射之后，对第三ITO层表面进行干燥，然后在臭氧的氛围中对该第三ITO层表面进行第二次紫外光照射，最后得到ITO阳电扱。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是本发明提出的有机发光二极管的结构示意图。
[0016]图2和3为阳电极的局部放大示意图。
[0017]图4为阴电极的局部放大示意图。
【具体实施方式】
[0018]下面具体介绍本发明提出的有机发光二极管；
[0019]參见图1-4，所述有机发光二极管自下而上依次包括如下结构:衬底10、阳电极
11、空穴注入层12、空穴传输层13、有机发光层14、电子传输层15、电子注入层16、阴电极17 ；
[0020]其中，阳电极11由ITO材料构成，其包括位于下部的第一 ITO层I及其上的第二ITO层2 ;所述第一 ITO层I的厚度为阳电极11厚度的1/3-1/2，优选为1/3 ;所述第二 ITO层的厚度为阳电极11厚度的1/2-2/3，优选为2/3。
[0021]其中阴电极17包括位于下部的第一阴电极层5及其上的第二阴电极层6 ;其中，第一阴电极层5由Ag、Al、Ca、In、Li或Mg中的一种构成,第二阴电极层6由Mg-Ag合金或Mg-Al构成；所述第一阴电极层5的厚度为阴电极17厚度的1/2，第二阴电极层6的厚度为阴电极17厚度的1/2。
[0022]其中，第一 ITO层I在水蒸气氛围中沉积ITO材料而形成，并且其表面进行了第一次处理；第二 ITO层2在水蒸气氛围中沉积ITO材料而形成，并且其表面进行了第二次处理；其中第一 ITO层I经由:在沉积腔内通入水蒸气，在水蒸气的氛围下沉积ITO材料至发光二极管的功能层上而形成；第一次处理是在等离子体腔中通过氧气，使得氧气等离子体化后对第一 ITO层I表面进行处理；第二 ITO层2经由:在沉积腔内通入水蒸气，在水蒸气的氛围下沉积ITO材料至第一 ITO层I上而形成；第二次处理是将第二 ITO层2以双氧水浸没，对第二 ITO层2表面进行第一次紫外光照射后干燥，然后在臭氧的氛围中对该第二 ITO层2表面进行第二次紫外光照射。
[0023]其中，第一阴电极层5和第二阴电极层6都采用溅镀的方式形成。
[0024]或者，所述阳电极11自下而上依次由第一 ITO层1、第二 ITO层2以及第三ITO层3组成；其中，第一 ITO层1、第二 ITO层2和第三ITO层3的厚度分别占ITO阳电极11厚度的 1/4、1/4 和 1/2 ；
[0025]其中，第一 ITO层I的形成方法与前文所述相同，而对第二 ITO层2的表面进行处理是:在等离子体腔中通过氧气，使得氧气等离子体化后对第二 ITO层2进行处理；在该步骤中，可以在第二 ITO层2的表面进一步提高含氧量，进一步提高第二 ITO层2的功函数；
[0026]第三ITO层3经由:在沉积腔内通入水蒸气，在水蒸气的氛围下沉积ITO材料第二ITO层2上而形成；这种方式形成的第三ITO层3的内部也是富氧的ΙΤ0，所以第三ITO层3的功函数得以提高；而且，由于第二 ITO层2表面经过等离子体处理，因此其表面的平滑度降低，导致增加的功函数有所折损，所以采用水蒸气氛围下的第三ITO层3沉积，在沉积过程中，ITO材料可以将第二 ITO层2表面不平滑的部分填满，相当于使得第二 ITO层2表面平滑化，这样就克服了等离子体处理第二 ITO层2表面所带来的功函数折损；
[0027]然后对第三ITO层3的表面进行处理:以双氧水浸没第三ITO层3的表面，然后进行第一次紫外光照射；为了使得紫外光能够照射到第三ITO层3的表面，第三ITO层3不能被双氧水浸没得太多，在本发明中，以双氧水液面正好将第三ITO层3的表面完全覆盖即可。在双氧水中进行第三ITO层3表面的第一次紫外光照射之后，对第三ITO层3表面进行干燥，然后在臭氧的氛围中对该第三ITO层3表面进行第二次紫外光照射，最后得到ITO阳电极11。
[0028]其中，第一次紫外光照射和第二次紫外光照射的时间可以相同，例如介于8-10分钟之间；也可以不同，例如第一次紫外光照射的时间为10分钟，第二次紫外光照射的时间为9分钟。
[0029]至此已对本发明做了详细的说明，但前文的描述的实施例仅仅只是本发明的优选实施例，其并非用于限定本发明。本发明的保护范围由所附的权利要求来限定。
【权利要求】
1.ー种有机发光二极管，其特征在干: 所述有机发光二极管自下而上依次包括如下结构:衬底、阳电极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层、阴电极。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于: 其中，阳电极由ITO材料构成，其包括位于下部的第一 ITO层及其上的第二 ITO层；所述第一 ITO层的厚度为阳电极厚度的1/3-1/2，优选为1/3 ;所述第二 ITO层的厚度为阳电极厚度的1/2-2/3，优选为2/3。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管，其特征在于: 其中阴电极包括位于下部的第一阴电极层及其上的第二阴电极层；其中，第一阴电极层由Ag、Al、Ca、In、Li或Mg中的ー种构成,第二阴电极层由Mg-Ag合金或Mg-Al构成；所述第一阴电极层的厚度为阴电极厚度的1/2，第二阴电极层的厚度为阴电极厚度的1/2。
【文档编号】H01L51/56GK103594656SQ201310500510
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2013年10月22日 优先权日:2013年10月22日
【发明者】丛国芳 申请人:溧阳市东大技术转移中心有限公司