一种利用高深宽比工艺的器件隔离方法
【专利摘要】一种利用高深宽比工艺的器件隔离方法，本发明涉及CMOS半导体器件工艺【技术领域】，主要解决浅沟槽经过退火工艺有空隙产生且在规定的工作区未得到关键尺寸的问题，本发明利用HARP工艺在浅沟槽内淀积一层SiO2层的步骤之后，使用水蒸汽退火工艺形成无空隙的基于HARP工艺的SiO2层；该水蒸汽退火工艺的主步骤中，工艺温度为400℃至800℃，通入流量为0.5slm至10slm的水蒸汽（比例70%－85%）和氧气（比例15%－30%）的混合气，并通入总流量为5slm至30slm的氮气、氦气、氩气或氮气（比例0－100%）、氦气（比例0－100%）和氩气（比例0－100%）的混合气，工艺时间为5mins至60mins。本发明能够形成致密的无空隙的SiO2层，且使工作区的关键尺寸达到指定规格。
【专利说明】一种利用高深宽比工艺的器件隔离方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及CMOS半导体器件工艺制造领域，更具体地，涉及一种利用高深宽比工艺的器件隔离方法。
【背景技术】
[0002]随着集成电路的发展，现代的互补金属氧化物半导体(Complementary MetalOxide Semiconductor,简称:CM0S)器件通常在一块普通的娃衬底材料上集成数以百万计的有源器件，即N沟道金属氧化物半导体(Negative Metal Oxide Semiconductor,简称:NM0S)器件和P沟道金属氧化物半导体(Positive Metal Oxide Semiconductor,简称:PM0S)器件，然后通过特定的连接实现各种复杂的逻辑功能或模拟功能，而除了这些特定的功能以外，在电路的设计过程中，通常假设不同的器件之间一般是没有其他的互相影响的。因此，在集成电路制造中必须能够把器件隔离开来，这就需要隔离技术。
[0003]随着器件向深亚微米发展，隔离技术由娃局部氧化(Local Oxidation ofSilicon,简称:LOCOS)工艺发展成为浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,简称:STI)技术。这样的器件隔离工艺可以完全消除硅局部氧化(L0C0S)隔离工艺所特有的氧化层边缘的鸟嘴形状，由此可以形成更小的器件隔离区。随着器件尺寸降到65纳米以下，对浅沟槽的SiO2填充工艺的能力要求更高，SiO2填充工艺需要由高浓度等离子体(High DensityPlasma, HDP)工艺发展成为高深宽比(High Aspect Ratio Process, HARP)工艺。
[0004]如图1所示，现有的利用高深宽比工艺的器件隔离方法是:
[0005]步骤SOl:硅晶圆片在经过清洗之后，在硅晶圆片的硅衬底3上生长一层5102层2，再淀积一层Si3N4层I (如图2所不),然后在娃晶圆片上旋涂光刻I父4 ;
[0006]步骤S02:利用工作区(Active Area)光掩膜对光刻胶进行曝光，曝光区域为浅沟槽隔离区域；工作区为未曝光区，光刻胶4保留，作为后续Si3N4层I和SiO2层2刻蚀的阻挡层；
[0007]步骤S03:使用光刻胶4作为阻挡层对Si3N4层I和SiO2层2进行刻蚀，形成器件隔离所需的浅沟槽(如图3所示)，经过湿法刻蚀后拉(WET Etch Pull Back)去除Si3N4层I表面的光刻胶4 ；
[0008]步骤S04:使用湿法刻蚀后拉浅沟槽旁边的工作区上的Si3N4层I (如图4所示)，以利于后续的HARP工艺中SiO2材料的填入；
[0009]步骤S05:在浅沟槽的侧壁和底部生长一层线性氧化层5 (Liner Oxide),所述线性氧化层5的厚度为3nm至5nm，作为后续的HARP工艺的缓冲层，有利于后续的SiO2材料的填入；(如图5所示)
[0010]步骤S06:利用HARP工艺在浅沟槽内淀积一层基于HARP工艺的SiO2层6 ;(如图6所示)
[0011]步骤S07:使用氮气退火(N2 Anneal)工艺，形成有空隙的基于HARP工艺的SiO2层；[0012]步骤S08:采用化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing,简称:CMP)技术对基于HARP工艺的SiO2层6进行研磨抛光，使浅沟槽内的基于HARP工艺的SiO2层6平坦化。
[0013]由于氮气退火工艺会产生空隙，如何使浅沟槽经过退火工艺没有空隙产生且在规定的工作区得到关键尺寸是本领域技术人员需要解决的问题。
【发明内容】
[0014]本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种利用高深宽比工艺的器件隔离方法，该工艺应用于工作区关键尺寸达到指定规格为65纳米以下的器件，使器件形成更小的器件隔离区，SiO2层无空隙且能够得到指定规格的工作区的关键尺寸。
[0015]为实现上述目的，本发明的技术方案如下:
[0016]一种利用高深宽比工艺的器件隔离方法，在利用HARP工艺在浅沟槽内淀积一层SiO2层的步骤之后，使用水蒸汽退火(Steam Anneal)工艺形成无空隙的基于HARP工艺的SiO2 层；
[0017]该水蒸汽退火工艺的主步骤中，工艺温度为400°C至800°C;通入流量为0.5slm至IOslm 的水蒸汽(比例70% — 85%)和氧气(O2)(比例15% — 30%)的混合气，并通入总流量为5slm至30slm的氮气(N2)、氦气(He)、氩气(Ar)或氮气(N2)(比例0 — 100%)、氦气(He)(比例0 — 100%)和氩气(Ar)(比例0 — 100%)的混合气，工艺时间为5mins至60mins。
[0018]在HARP工艺的条件，HARP的反应物之一是硅酸乙酯(分子式是Si (0C2H5) 4)，在O3的氧化作用下生成SiO2，在薄膜中化学键结构中仍有一些未形成SiO2网状结构的“-0H”键，这些化学键会在水蒸汽退火中伴随脱水反应，从而达到修复空隙的结果。反应方程式如下:
[0019].S1-0-H+H-0-Si ~…S1-O-S1...+H20
[0020]该水蒸汽退火工艺的主步骤的工艺温度和水蒸汽比例低，使沟槽侧壁的硅衬底消耗会降低，但是会降低晶圆的产出量，工艺惰性气体，氮气(N2)、氦气(He)、氩气(Ar)的作用是:晶圆的保护气体和调节水蒸汽和氧气的比例。
[0021]所述水蒸汽退火工艺的主步骤之后采用工艺惰性气体退火步骤，该步骤为:工艺温度为1000°c至1100°C，工艺气体是总流量为IOslm至30slm的氮气(N2)、氦气(He)、氩气(Ar)或氮气(N2)(比例0 — 100%)、氦气(He)(比例0 — 100%)和氩气(Ar)(比例0 —100%)的混合气，工艺时间为5mins至60mins ；
[0022]所述工艺惰性气体退火步骤的温度高，时间长，能够使水蒸汽退火工艺的主步骤产生的基于HARP工艺的SiO2层的膜质更致密，但是会对晶圆产生损伤，工艺惰性气体氮气、氦气和氩气是晶圆的保护气体。
[0023]所述水蒸汽退火工艺的主步骤之前包括两个步骤:
[0024]步骤SOl:温度恢复步骤，工艺温度为300°C至600°C ;工艺气体为氮气(N2)、氦气(He)、氩气(Ar)或氮气(N2)(比例0 — 100%)、氦气(He)(比例0 — 100%)和氩气(Ar)(比例0 — 100%)的混合气，总流量为5slm至30slm，工艺时间为IOmins至60mins ;步骤SOl的工艺温度是低温，该低温能够降低HARP的应力，有利于形成无空隙的基于HARP工艺的SiO2层，但是会降低晶圆的产出量，工艺惰性气体氮气、氦气和氩气是晶圆的保护气体。[0025]步骤S02:升温步骤，升温速率为2°C /min至15°C /min，升温到400°C至800°C;通入流量为0.5slm至IOslm的水蒸汽(比例70% — 85%)和氧气(O2)(比例15% — 30%)的混合气，并通入总流量为5slm至30slm的氮气(N2)、氦气(He)、氩气(Ar)或氮气(N2)(比例0 — 100%)、氦气(He)(比例0 — 100%)和氩气(Ar)(比例0 — 100%)的混合气；
[0026]所述升温步骤的低升温速率降低了 HARP工艺中的应力，有利于形成无空隙的基于HARP工艺的SiO2层，但是会降低晶圆的产出量；工艺惰性气体氮气、氦气和氩气是晶圆的保护气体。
[0027]所述水蒸汽退火工艺的主步骤和工艺惰性气体退火步骤之间包括两个步骤:
[0028]步骤SOl:净化步骤，工艺温度为400°C至800°C，工艺气体是总流量为IOslm至30slm的氮气(N2)、氦气(He)、氩气(Ar)或氮气(N2)(比例0 — 100%)、氦气(He)(比例0 — 100%)和氩气(Ar)(比例0 — 100%)的混合气，工艺压力为0.1Torr至780Torr,工艺时间为5mins至60mins ;所述净化步骤能够清除前面步骤的水蒸汽和氧气，防止在后续的步骤中消耗沟槽侧壁的硅衬底，工艺惰性气体氮气、氦气和氩气是晶圆的保护气体；
[0029]步骤S02:升温步骤，升温速率为2V /min至10°C /min，升温至1000°C至1100°C，工艺气体是总流量为IOslm至30slm的氮气(N2)、氦气(He)、氩气(Ar)或氮气(N2)(比例0 — 100%)、氦气(He)(比例0 — 100%)和氩气(Ar)(比例0 — 100%)的混合气；所述升温步骤的升温速率低，能够降低HARP工艺中的应力，有利于形成无空隙的基于HARP工艺的SiO2层，但是会降低晶圆的产出量，工艺惰性气体氮气、氦气和氩气是晶圆的保护气体。
[0030]所述工艺惰性气体退火步骤之后为降温步骤，所述降温步骤中，降温速率为1.5°C至2°C /min,工艺气体是总流量为IOslm至30slm的氮气(N2)、氦气(He)、気气(Ar)或氮气(N2)(比例0 — 100%)、氦气(He)(比例0 — 100%)和氩气(Ar)(比例0 — 100%)的混合气，降温至300°C至600°C。所述降温步骤的降温速率低，能够降低HARP工艺中的应力，有利于形成无空隙的基于HARP工艺的SiO2层，但是会降低晶圆的产出量，工艺惰性气体氮气、氦气和氩气是晶圆的保护气体。
[0031]所述利用高深宽比工艺的器件隔离方法应用于工作区关键尺寸为32nm至65nm的器件。
[0032]从上述技术方案可以看出，本发明的有益效果:本发明采用水蒸汽退火工艺使HARP接面上的-OH基团产生键合，从而形成致密的无空隙的SiO2层。工艺惰性气体退火步骤能够使水蒸汽退火工艺的主步骤产生的基于HARP工艺的SiO2层的膜质更致密。由于加工过程中会对晶圆产生损伤，工艺惰性气体氮气、氦气和氩气是晶圆的保护气体，使工作区的关键尺寸达到指定规格。
【专利附图】
【附图说明】
[0033]图1为现有的利用高深宽比工艺的器件隔离方法的流程图；
[0034]图2为现有的工作区层沉积示意图；
[0035]图3为现有的浅沟槽隔离刻蚀的示意图；
[0036]图4为现有的湿法刻蚀后拉浅沟槽隔离的示意图；
[0037]图5为现有的浅沟槽隔离中线性氧化层的示意图；
[0038]图6为现有的利用HARP工艺在浅沟槽内淀积一层基于HARP工艺的Si02层的示意图；
[0039]图7为实施例1的利用高深宽比工艺的器件隔离方法的流程图；
[0040]图8为实施例1的水蒸气退火的工艺流程图；
[0041]图9为实施例1的水蒸气退火的工艺示意图。
【具体实施方式】
[0042]下面结合附图，对本发明的【具体实施方式】作进一步的详细说明。
[0043]需要说明的是，
[0044]实施例1
[0045]加工前的工作区关键尺寸为55nm硅晶圆片利用高深宽比工艺淀积一层SiO2层，经过水蒸汽退火工艺加工后的工作区的关键尺寸为40nm的硅晶圆片
[0046]如图7所示，本实施例的利用高深宽比工艺的器件隔离方法，包括以下步骤:
[0047]步骤SOl:硅晶圆片在经过清洗之后，在硅晶圆片的硅衬底上生长一层SiO2层，再淀积一层Si3N4层，然后在硅晶圆片上旋涂光刻胶；
[0048]步骤S02:利用工作区光掩膜对光刻胶进行曝光，曝光区域为浅沟槽隔离区域；工作区为未曝光区，光刻胶保留，作为后续Si3N4层和SiO2层刻蚀的阻挡层；
[0049]步骤S03:使用光刻胶作为阻挡层对Si3N4层和SiO2层进行刻蚀，形成器件隔离所需的浅沟槽，经过湿法刻蚀去除Si3N4层表面的光刻胶；
[0050]步骤S04:使用湿法刻蚀后拉浅沟槽旁边的工作区上的Si3N4层，以利于后续的HARP工艺中SiO2材料的填入；
[0051]步骤S05:在浅沟槽的侧壁和底部生长一层线性氧化层，所述线性氧化层5厚度为
4.5nm,作为后续的HARP工艺的缓冲层，有利于后续的SiO2材料的填入；
[0052]步骤S06:利用HARP工艺在浅沟槽内淀积一层基于HARP工艺的SiO2层；
[0053]步骤S07:使用水蒸汽退火工艺(如图8所示)，形成无空隙的基于HARP工艺的SiO2层；
[0054]步骤S08:采用化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing,简称:CMP)技术对基于HARP工艺的SiO2层进行研磨抛光，使浅沟槽内的基于HARP工艺的SiO2层平坦化。
[0055]如图8和图9所示，所述步骤S07，使用水蒸汽退火工艺，包括以下步骤:
[0056]①、温度恢复步骤Al，工艺温度Tl为500°C ;工艺气体为氦气，总流量为20slm，工艺时间为30mins ；
[0057]②、升温步骤A2，升温速率为10°C /min，升温至700°C ;通过工艺设备外部水蒸汽发生器通入流量为3.5slm水蒸汽和0.75slm的氧气的混合气，并通入总流量为IOslm的氦气;
[0058]③、水蒸汽退火的主步骤A3，工艺温度T2为700°C ;通过工艺设备外部水蒸汽发生器通入流量为3.5slm的水蒸汽和0.75slm的氧气的混合气，并通入总流量为IOslm的氦气，工艺时间为20mins，水蒸汽占总气体的比例为26.4%，工作区关键尺寸减小量15nm ；
[0059]④、净化步骤，工艺温度T2为700°C ;工艺气体为总流量为20slm的氦气，工艺压力为780Torr,工艺时间为30mins ；
[0060]⑤、升温步骤，升温速率为2V /min，升温至1060°C;工艺气体为总流量为20slm的氦气(He);工艺时间为180mins ；
[0061]⑥、工艺惰性气体退火步骤，工艺温度T3为1060°C;工艺气体为总流量为20slm的
氦气(He),工艺时间为30mins ；
[0062]⑦、降温步骤，降温速率为1.50C /min，工艺气体为总流量为20slm的氦气(He)，
降温至500°C，工艺时间为374mins。
[0063]本实施例的有益效果:本实施例采用水蒸汽退火工艺使HARP接面上的-OH基团产
生键合，从而形成致密的无空隙的SiO2层。工艺惰性气体退火步骤能够使水蒸汽退火工艺
的主步骤产生的基于HARP工艺的SiO2层的膜质比较致密。由于加工过程中会对晶圆产生
损伤，工艺惰性气体氮气、氦气和氩气是晶圆的保护气体，使工作区的关键尺寸达到指定规格。
[0064]实施例2至实施例13的步骤与实施例1的相同，区别在于所对应的参数，详见下
表:
[0065]
【权利要求】
1.一种利用高深宽比工艺的器件隔离方法，其特征在于，在利用HARP工艺在浅沟槽内淀积一层SiO2层的步骤之后，使用水蒸汽退火工艺形成无空隙的基于HARP工艺的SiO2层； 该水蒸汽退火工艺的主步骤中，工艺温度为400°C至800°C ;通入流量为0.5slm至IOslm的水蒸汽(比例70% - 85%)和氧气(比例15% — 30%)的混合气，并通入总流量为5slm至30slm的氮气、氦气、I!气或氮气(比例0 — 100%)、氦气(比例0 — 100%)和Il气(比例0 —100%)的混合气，工艺时间为5mins至60mins。
2.如权利要求1所述的器件隔离方法，其特征在于，所述水蒸汽退火工艺的主步骤之后采用工艺惰性气体退火步骤，该步骤为:工艺温度为100(TC至1100°C ;工艺气体是总流量为IOslm至30slm的氮气、氦气、Il气或氮气(比例0 — 100%)、氦气(比例0 — 100%)和気气(比例0 — 100%)的混合气，工艺时间为5mins至60mins。
3.如权利要求2所述的器件隔离方法，其特征在于，所述水蒸汽退火工艺的主步骤之前包括两个步骤: 步骤SOl:温度恢复步骤，工艺温度为300°C至600°C，工艺气体为氮气、氦气、氩气或氮气(比例0 — 100%)、氦气(比例0 — 100%)和氩气(Ar)比例0 — 100%)的混合气，总流量为5slm 至 30slm,工艺时间为 IOmins 至 60mins ； 步骤S02:升温步骤，升温速率为2V Mn至15°C /min,升温到400°C至800°C，通入流量为0.5slm至IOslm的水蒸汽(比例70% — 85%)和氧气(比例15% — 30%)的混合气，并通入总流量为5slm至30slm的氮气、 氦气、Il气或氮气(比例0 — 100%)、氦气(比例0 — 100%)和氩气(比例0 — 100%)的混合气。
4.如权利要求2所述的器件隔离方法，其特征在于，所述水蒸汽退火工艺的主步骤和工艺惰性气体退火步骤之间包括两个步骤: 步骤SOl:净化步骤，工艺温度为400°C至800°C，工艺气体是总流量为IOslm至30slm的氮气、氦气、氩气或氮气(比例0 — 100%)、氦气(比例0 — 100%)和Il气(比例0 — 100%)的混合气，工艺压力为0.1Torr至780Torr,工艺时间为5mins至60mins ； 步骤S02:升温步骤，升温速率为2V /min至10°C /min，升温至1000°C至1100°C，工艺气体是总流量为IOslm至30slm的氮气、氦气、氩气或氮气(比例0 — 100%)、氦气(比例0 —100%)和氩气(比例0 — 100%)的混合气。
5.如权利要求2所述的器件隔离方法，其特征在于，所述工艺惰性气体退火步骤之后为降温步骤，所述降温步骤中，降温速率为1.5°C至2°C /min，工艺气体为总流量为IOslm至30slm的氮气、氦气、氩气或氮气(比例0 — 100%)、氦气(比例0 — 100%)和U1气(比例0 —100%)的混合气，降温至300°C至600°C。
6.如权利要求1所述的器件隔离方法，其特征在于，所述器件隔离方法应用于工作区关键尺寸为32nm至65nm的器件。
【文档编号】H01L21/762GK103646908SQ201310632125
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年12月2日 优先权日:2013年12月2日
【发明者】肖天金 申请人:上海华力微电子有限公司