一种晶体硅太阳电池背面电极结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种太阳电池背面电极结构，背面电极由两条以上主栅线和网状背场组成。这种结构专门针对背钝化电池进行开发，主栅线可以为连续或者分段，网状背场纵横交错，覆盖背钝化开槽或开孔处。该实用新型可以降低铝浆成本，对改善铝浆附着力也有很好的改善。
【专利说明】一种晶体硅太阳电池背面电极结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及太阳电池电极设计，具体涉及一种晶体硅太阳电池背面电极结构。
【背景技术】
[0002]根据市场的需求，高效电池受到光伏界的热捧，尤其是效率提升显著地背钝化技术，更是成为新技术引进的目标之一。背钝化技术要求在电池原有工艺上，印刷铝背场之前镀上一层三氧化二铝(或氮化硅、二氧化硅等)，然后再用激光打孔或开槽，最后印刷银电极和铝背场。铝背场通过开孔或开槽处与基体硅接触并烧结导出光生电流。目前的背钝化电池制作方式背面印刷银电极和全部铝背场，此种方式会有两个问题:一个是铝背场只和开孔或开槽接触的部分对效率有贡献，印刷在镀膜上的铝浆没有作用，这样就会浪费过多的铝浆，造成成本不必要的升高；另一个方面是铝浆和镀膜处接触，因烧结困难会造成铝浆脱落，从而影响到电池的质量，对后续组件造成隐患。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的就是针对上述存在的缺陷而提供的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，该结构在不影响电池转换效率的前提下，通过更改背面铝背场图形设计不但降低了生产过程中辅材的成本，并且有效的减少了电池质量降低的隐患。
[0004]本实用新型的一种晶体硅太阳电池背面电极结构技术方案为，在晶体硅太阳电池背面设置有钝化层，在钝化层表面设置晶体硅太阳电池背面电极，钝化层上开有孔或槽，晶体硅太阳电池背面电极由主栅线和网状背场组成，网状背场包括与主栅线平行的平行线，以及与主栅线垂直的垂直线。
[0005]背面电极覆盖的钝化层上开有穿透钝化层的孔或槽。
[0006]主栅线由银浆或银铝浆烧结而成，条数≥2条。
[0007]优选的，主栅线条数为3条。
[0008]主栅线的最大宽度为4mm。
[0009]网状背场由铝浆烧结而成。
[0010]网状背场的平行线最小宽度为1mm。
[0011]网状背场的垂直线最小宽度为1mm。
[0012]本实用新型的有益效果为，背面电极由两条以上主栅线和网状背场组成。这种结构专门针对背钝化电池进行开发，网状背场纵横交错，覆盖背钝化开槽或开孔处。该设计在不影响电池转换效率的前提下，通过更改背面铝背场图形设计不但降低了生产过程中辅材的成本，并且减少了铝浆和镀膜处接触面积，降低了因烧结困难造成铝浆脱落的几率，有效的减少了电池质量降低的隐患。
[0013]【专利附图】
【附图说明】:
[0014]图1是本发明的晶体硅太阳电池背面电极结构示意图。[0015]图中，1.网状背场，2.主栅线，3.开孔点。
[0016]【具体实施方式】:
[0017]为了更好地理解本实用新型，下面结合附图来详细说明本实用新型的技术方案，但是本发明并不局限于此。
[0018]实施例1
[0019]在印刷背场之前，在硅片背面镀上一层三氧化二铝(或氮化硅、二氧化硅等)作为钝化层，然后再用激光在钝化层上打孔或开槽，最后印刷银电极和铝背场。
[0020]分布5*5 (如说明书附图图1所示)个开孔点3。设计背场网版时，根据激光打孔的位置，设计出如说明书附图图1纵横交错的网状背场1，要求开孔点3被网状背场I覆盖，这样就能保证所有光生电流都可以通过网状背场I导出。
[0021]主栅线2为3条，由银浆烧结而成，与网状背场I相交，网状背场I包括与主栅线2平行的平行线2条，以及与主栅线2垂直的垂直线5条。
[0022]主栅线的宽度为2_。
[0023]网状背场的平行线宽度为4mm。
[0024]网状背场的垂直线宽度为4mm。
[0025]实施例2
[0026]在印刷背场之前，在硅片背面镀上一层三氧化二铝(或氮化硅、二氧化硅等)作为钝化层，然后再用激光在钝化层上打孔或开槽，最后印刷银电极和铝背场。
[0027]分布6*6个开孔点3。设计背场网版时，根据激光打孔的位置，设计出如说明书附图图1纵横交错的网状背场1，要求开孔点3被网状背场I覆盖，这样就能保证所有光生电流都可以通过网状背场I导出。
[0028]主栅线2为4条，由银浆烧结而成，与网状背场I相交，网状背场I包括与主栅线2平行的平行线2条，以及与主栅线2垂直的垂直线6条。
[0029]主栅线的宽度为1.5_。
[0030]网状背场的平行线宽度为2.5mm。
[0031]网状背场的垂直线宽度为4mm。
[0032]实施例3
[0033]在印刷背场之前，在硅片背面镀上一层三氧化二铝(或氮化硅、二氧化硅等)作为钝化层，然后再用激光在钝化层上打孔或开槽，最后印刷银电极和铝背场。
[0034]分布4*5个开孔点3。设计背场网版时，根据激光打孔的位置，设计出如说明书附图图1纵横交错的网状背场1，要求开孔点3被网状背场I覆盖，这样就能保证所有光生电流都可以通过网状背场I导出。
[0035]主栅线2为2条，由银浆烧结而成，与网状背场I相交，网状背场I包括与主栅线2平行的平行线2条，以及与主栅线2垂直的垂直线5条。
[0036]主栅线的宽度为1.5_。
[0037]网状背场的平行线宽度为20mm。
[0038]网状背场的垂直线宽度为20mm。
[0039]实施例4
[0040]在印刷背场之前，在硅片背面镀上一层三氧化二铝(或氮化硅、二氧化硅等)作为钝化层，然后再用激光在钝化层上打孔或开槽，最后印刷银电极和铝背场。
[0041]分布4*4 (如说明书附图图1所示)个开孔点3。设计背场网版时，根据激光打孔的位置，设计出如说明书附图图1纵横交错的网状背场1，要求开孔点3被网状背场I覆盖，这样就能保证所有光生电流都可以通过网状背场I导出。
[0042]主栅线2为3条，由银浆烧结而成，与网状背场I相交，网状背场I包括与主栅线2平行的平行线I条，以及与主栅线2垂直的垂直线4条。
[0043]主栅线的宽度为1.5_。
[0044]网状背场的平行线宽度为12mm。
[0045]网状背场的垂直线宽度为10mm。
【权利要求】
1.一种晶体硅太阳电池背面电极结构，在晶体硅太阳电池背面设置有钝化层，在钝化层表面设置晶体硅太阳电池背面电极，钝化层上开有孔或槽，其特征在于，晶体硅太阳电池背面电极由主栅线和网状背场组成，网状背场包括与主栅线平行的平行线，以及与主栅线垂直的垂直线。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，背面电极覆盖的钝化层上开有穿透钝化层的孔或槽。
3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，主栅线为银浆或银铝浆，条数> 2条。
4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，主栅线条数为3条。
5.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，主栅线的最大宽度为4mm。
6.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，网状背场为招衆。
7.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，网状背场的平行线最小宽度为1mm。
8.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池背面电极结构，其特征在于，网状背场的垂直线最小宽度为1_。
【文档编号】H01L31/0224GK203491270SQ201320537009
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年8月31日 优先权日:2013年8月31日
【发明者】李钢, 徐振华, 杨晓君 申请人:山东力诺太阳能电力股份有限公司