光源一体型光传感器的制造方法
【专利摘要】光源一体型光传感器具备：受光部，其设置在基板上的规定区域；发光部，其设置在基板上的与受光部不同的区域；第一透光构件，其在受光部上以覆盖该受光部的方式设置；第二透光构件，其在发光部上以覆盖该发光部的方式设置；遮光构件，其设置在第一透光构件与第二透光构件之间；以及散热构件，其分别与第一透光构件、第二透光构件及遮光构件接触。
【专利说明】光源一体型光传感器
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及光源一体型光传感器。
【背景技术】
[0002]已知有利用透明树脂覆盖设在基板上的发光芯片及受光芯片，在发光芯片与受光芯片之间的透明树脂设置槽，在该槽填充有遮光树脂的光源一体型光传感器(参照专利文献I)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开20的-340727号公报
【发明内容】
[0006]发明所要解决的课题
[0007]在现有技术中，由于发光芯片产生的热的影响，会有受光芯片上的透明树脂的表面的平坦形状受损而变形、或者变质或变色的可能。受光芯片上的透明树脂的表面的变形或变色会导致受光灵敏度度的降低等受光特性的劣化。
[0008]用于解决课题的方法
[0009]本发明第一方案的光源一体型光传感器具备:受光兀件，设置在基板上的规定区域，且被第一透光树脂密封；发光元件，设置在基板上的与受光元件不同的区域，且被第二透光树脂密封；第一遮光部，覆盖第一透光树脂的周围；第二遮光部，覆盖第二透光树脂的周围；空间，设置在第一遮光部及第二遮光部之间；第一遮光散热构件，覆盖第一透光树脂的上面，在受光元件上具有开口部；以及第二遮光散热构件，覆盖第二透光树脂的上面，在发光元件上具有开口部。
[0010]根据本发明的第一方案，优选为在第一方案的光源一体型光传感器中，第一遮光散热构件及第二遮光散热构件由层叠有有机材料层及金属层的平面构件构成。
[0011]根据本发明的第三方案，优选为在第二方案的光源一体型光传感器中，第一遮光散热构件及第二遮光散热构件的有机材料层在上部露出。
[0012]本发明第四方案的光源一体型光传感器具备:受光部，设置在基板上的规定区域；发光部，设置在基板上的与受光部不同的区域；第一透光构件，在受光部上以覆盖该受光部的方式设置；第二透光构件，在发光部上以覆盖该发光部的方式设置；遮光构件，设置在第一透光构件与第二透光构件之间；空间，设置在第一透光构件与第二透光构件之间；以及散热构件，与第一透光构件、第二透光构件及遮光构件分别相接。
[0013]根据本发明的第五方案，优选为在第四方案的光源一体型光传感器中，散热构件由平面构件构成，该平面构件在与发光部及受光部对应的位置具有开口，从上方与第一透光构件、第二透光构件及遮光构件形成的面相接。
[0014]根据本发明的第六方案，优选为在第四或第五方案的光源一体型光感测器中，还具备替代遮光构件或沿着遮光构件分别相接于基板与散热构件的热传导构件。
[0015]根据本发明的第七方案，优选为在第六方案的光源一体型光传感器中，热传导构件相接于设在基板的贯通孔。
[0016]根据本发明的第八方案，优选为在第四方案的光源一体型光传感器中，散热构件由包围基板周围且具有热传导性的第二遮光构件构成。
[0017]根据本发明的第九方案，优选为在第八方案的光源一体型光传感器中，散热构件还包含平面构件，该平面构件在与发光部及受光部对应的位置具有开口，从上方相接于第一透光构件、第二透光构件及第二遮光构件形成的面。
[0018]根据本发明的第十方案，优选为在第九方案的光源一体型光传感器中，还具备分别相接于基板与平面构件的热传导构件。
[0019]根据本发明的第i^一方案，优选为在第十方案的光源一体型光传感器中，热传导构件相接于设在基板的贯通孔。
[0020]发明效果
[0021]本发明的光源一体型光传感器，可抑制由来自发光部的热所引起的特性劣化。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]图1是第一实施方式的光源一体型光传感器的图，图1 (a)为俯视图，图1 (b)为剖视图。
[0023]图2 (a)、图2 (b)、图2 (C)、图2 (d)是对光源一体型光传感器的制造方法进行说明的图。
[0024]图3是变形例一的光源一体型光传感器的剖视图。
[0025]图4是变形例二的光源一体型光传感器的剖视图。
[0026]图5是变形例三的光源一体型光传感器的剖视图。
[0027]图6是变形例四的光源一体型光传感器的剖视图。
[0028]图7是第二实施方式的光源一体型光传感器的图，图7(a)为俯视图，图7 (b)为剖视图。
[0029]图8 (a)是切割加工后的俯视图，图8 (b)是剖视图。
[0030]图9(a)是在槽填充有不透明树脂的图，图9(b)是通过空间使不透明树脂分离后的图。
[0031]图10是说明传感器的切断及分片化的图。
[0032]图11是第三实施方式的光源一体型光传感器的剖视图。
【具体实施方式】
[0033]以下，参照附图对用以实施本发明的方式进行说明。
[0034]<第一实施方式>
[0035]本实施方式通过高效率地使在发光芯片产生的热散热，使热不影响受光芯片上的透明树脂。图1是例示本发明的第一实施方式的光源一体型光传感器I的图。图1(a)是光源一体型光传感器I的俯视图，图2 (b)是图1 (a)中光源一体型光传感器I的E-E’剖视图。光源一体型光传感器I是将发光元件及受光元件在基板10上一体地构成的，例如可用在如下用途等，即，从开口 45B射出发光元件发出的光，根据受光元件是否接收从开口 45A射入的由外部对象物反射的反射光而判定是否存在外部对象物。
[0036]在图1(b)中，在由有机材料、陶瓷、导线架等构成的基板10的上表面设置有具有受光元件(光电二极管)及周边电路的受光芯片(PDIC) 20。受光芯片20通过接合线21、22而与基板10上的图案11、12连接。
[0037]在基板10的上表面还设置有由发光兀件构成的发光芯片30。发光芯片30的例如发光二极管(LED)的阳极电极及阴极电极中的一个经由由金属构成的贯通孔15而与形成在基板10的下表面的图案14连接。发光芯片30的另一电极通过接合线31而与基板10上的未图示的图案连接。
[0038]在上述受光芯片20及发光芯片30之间设置有空间60，隔着空间60在受光芯片20侧设置有不透明树脂51A，且在发光芯片30侧设置有不透明树脂51B。不透明树脂51B遮蔽从发光芯片30向受光芯片20侧射出的光。不透明树脂51A的高度与不透明树脂51B的高度大致相同。不透明树脂51A是为了在外部光往空间60射入的情形不使受光芯片20接收外部光而设置。
[0039]在不透明树脂5IA的受光芯片20侧，以覆盖受光芯片20及接合线21、22的方式设置有透明树脂41A，其与不透明树脂51A高度大致相同。另外，在不透明树脂51B的发光芯片30侧，以覆盖发光芯片30及接合线31的方式设置有透明树脂41B，其与不透明树脂5IB高度大致相同。
[0040]与透明树脂41A、不透明树脂51A、空间60、不透明树脂51B、及透明树脂41B的上表面相接设有散热板45。散热板以薄金属板(例如，铝板或铜板)构成，具有位于发光芯片30的发光部上的开口 45B与位于受光芯片20的受光部上的开口 45A。
[0041]再者，基板10上的图案11、12经由与贯通孔15相同的其他贯通孔或未图标的贯通信道与形成在基板10的下表面的图案13等连接。
[0042]参照图2(a)-图2(d)对上述光源一体型光传感器I的制造方法进行说明。在图2(a)中，将受光芯片20粘接在形成有图案的电路基板10的上表面的规定位置。将发光芯片30粘接在与贯通孔15连接的图案上。接着，分别利用接合线21、22及未图示的接合线将受光芯片20的多个电极与基板10的图案11、12及其他图案之间接合连接。另外，通过接合线31将发光芯片30的上侧的电极与基板10的规定图案之间接合连接。
[0043]在图2(b)中，以分别覆盖受光芯片20及接合线21、22及发光芯片30及接合线31的方式利用透明树脂41密封。在图2(c)中，在受光芯片20及发光芯片30间，实施对透明树脂41的一部分进行切削直至到达基板10的表面为止的切割加工。由此，将透明树脂41分离成透明树脂4IA与4IB。
[0044]在图2(d)中，在透明树脂41A与41B之间填充不透明树脂51。使透明树脂41A、不透明树脂51及透明树脂41B的表面高度相同。
[0045]接着，实施对不透明树脂51的一部分进行切削直至到达基板10的表面为止的切割加工。通过使用较图2(c)中切割加工时宽度狭窄的片体，如图1所示，获得将不透明树脂51分离成不透明树脂5IA与5IB的空间60。最后，将具有开口 45B及开口 45A的散热板45粘接在透明树脂41A、不透明树脂51A、空间60、不透明树脂51B、及透明树脂41B的上表面后，完成图1的光源一体型光传感器I。
[0046]根据以上说明的第一实施方式，可获得以下的作用效果。
[0047](I)光源一体型光传感器I具备:受光芯片20，设置在基板10上的规定区域；发光芯片30，设置在基板10上的与受光芯片20不同的区域；透明树脂41A，在受光芯片20上以覆盖该受光芯片20的方式设置；透明树脂41B，在发光芯片30上以覆盖该发光芯片30的方式设置；不透明树脂51A、51B，设置在透明树脂41A与透明树脂41B之间；以及散热板45，与透明树脂41A、41B及不透明树脂51A、51B分别相接。由于能高效率地使发光芯片30产生的热散热，因此可抑制来自发光芯片30的热导致的特性劣化。一般而言，散热板45的热传导率较树脂的热传导率高，大约为数百倍至1000倍。因此，来自发光芯片30的热传至散热板45后，从该散热板的的表面广泛地往传感器外散热。其结果，可避免覆盖受光芯片20的透明树脂4IA的表面变成变形、变色的温度上升。
[0048](2)在上述⑴的光源一体型光传感器I中，散热板45在与发光芯片30及受光芯片20对应的位置具有开口 45A、45B，从上相接于透明树脂41A、41B及不透明树脂51A、51B形成的面。由此，能使传感器内的热高效率地传至散热板45，从散热板45的表面往传感器外散热。另外，由于设有开口 45A、开口 45B，因此也可抑制不需要光的影响。
[0049](3)散热板45的受光芯片20侧的开口 45A的尺寸取决于受光芯片20的尺寸而决定。即，以射入受光芯片20的反射光的入射角成为某种程度限定后的角度范围的方式提升检测精度。
[0050](变形例一)
[0051]图3是变形例一的光源一体型光传感器IB的剖视图。图3的光源一体型光传感器IB与上述光源一体型光传感器I相比不同之处在于:仅在空间60的受光芯片20侧设置有不透明树脂51。
[0052]针对变形例一的光源一体型光传感器1B，在图2(d)中例示的不透明树脂51的透明树脂41B侧，实施对不透明树脂51的一部分进行切削直至到达基板10的表面为止的切割加工。通过该加工，仅在空间60的受光芯片20侧残留不透明树脂51，在空间60的发光芯片30侧末残留不透明树脂。通过设置不透明树脂51，即便外部光入射至空间60也可遮蔽外部光而不使受光芯片20接收光。
[0053]在变形例一的情形时，由于设置散热板45以提高散热性，因此可避免覆盖受光芯片20的透明树脂41A的表面变成变形、变色的温度上升。另外，通过设置有空间60，使透过不透明树脂51从发光芯片30侧朝向受光芯片20侧的热传导得到缓和。
[0054](变形例二)
[0055]图4是变形例二的光源一体型光传感器IC的剖视图。图4的光源一体型光传感器IC与上述光源一体型光传感器I相比不同之处在于:在透明树脂41A的空间60侧的侧面形成有遮光膜52。
[0056]在变形例二的光源一体型光传感器IC中，对图2(c)中例示的透明树脂41A的右侧面(空间侧)泼射蒸镀规定的金属材料而形成遮光膜52。由此，能够以入射至空间60的外部光不被受光芯片20接收的方式进行遮光。
[0057]在变形例二的情形时，由于设置散热板45以提高散热性，因此可避免覆盖受光芯片20的透明树脂41A的表面变成变形、变色的温度上升。另外，通过设置有空间60，使透过不透明树脂51从发光芯片30侧朝向受光芯片20侧的热传导得到缓和。
[0058](变形例三)
[0059]图5是变形例三的光源一体型光传感器ID的剖视图。图5的光源一体型光传感器ID与图1的光源一体型光传感器I相比不同之处在于:在空间60内设置有热传导率较高的材料例如金属板70、及对准成为金属板70的正下方的位置地形成有贯通孔16。
[0060]在变形例三的光源一体型光传感器ID中，对在基板10追加形成有贯通孔16的基板1B实施与光源一体型光传感器I相同的处理之后，在贯通孔16的正上方设置导热性材料的金属板70。可使自发光芯片30侧传递至金属板70的热经由贯通孔16自基板1B的下表面侧图案17散热。
[0061]再者，为了易于将发光芯片30侧的热吸收至金属板70，可以在金属板70与不透明树脂51B之间涂敷填充剂而将间隙填埋。通过将空间60预先设在贯通孔16的正上方，设在空间60的金属板70位于贯通孔16上，因此传至金属板70的热透过贯通孔16高效率地往基板10下侧散发。
[0062]另一方面，传至金属板70的热也传至散热板45。在变形例三的情形时，由于设置散热板45以提高散热性，因此可避免覆盖受光芯片20的透明树脂41A的表面变成变形、变色的温度上升。此外，金属板70的热传导率较树脂的热传导率高，大约为数百倍至1000倍。因此，传至金属板70的热立刻透过散热板45及贯通孔16往基板10下侧传递。
[0063](变形例四)
[0064]图6是变形例四的光源一体型光传感器IE的剖视图。图6的光源一体型光传感器IE与图3的光源一体型光传感器IB相比不同之处在于:在空间60内设置有热传导率较高的材料例如金属板70、及对准成为金属板70的正下方的位置地形成有贯通孔16。
[0065]在变形例四的光源一体型光传感器IE中，对在基板10追加形成有贯通孔16的基板1B实施与光源一体型光传感器IB相同的处理之后，在贯通孔16的正上方设置导热性材料的金属板70。可使自发光芯片30侧传递至金属板70的热经由贯通孔16自基板1B的下表面侧图案17散热。
[0066]此外，为了易于将发光芯片30侧的热吸收至金属板70，可以在金属板70与透明树脂41B之间涂敷填充剂而将间隙填埋。通过将空间60预先设在贯通孔16的正上方，设在空间60的金属板70位于贯通孔16上，因此传至金属板70的热透过贯通孔16高效率地往基板10下侧散发。
[0067]另一方面，传至金属板70的热也传至散热板45。在变形例四的情形时，由于设置散热板45以提高散热性，因此可避免覆盖受光芯片20的透明树脂41A的表面变成变形、变色的温度上升。与变形例三的情形相同，金属板70的热传导率较树脂的热传导率高，因此传至金属板70的热立刻透过散热板45及贯通孔16往基板10下侧传递。
[0068](变形例五)
[0069]在变形例三或变形例四中，在设置金属板70的情形时，也可省略不透明树脂51A、5IB或不透明树脂51。在此情形时，由金属板70遮蔽自发光芯片30向受光芯片20侧射出的直射光。
[0070]<第二实施方式>
[0071]图7是例示本发明的第二实施方式的光源一体型光传感器2的图。图7(a)是光源一体型光传感器2的俯视图，图7(b)是图7(a)中光源一体型光传感器2的E-E’剖视图。与第一实施方式的光源一体型光传感器1(图1)相比较，不同点在于，在传感器周围设有不透明树脂51C及不透明树脂51D，因此以此不同点为中心说明光源一体型光传感器2的制造方法。
[0072]光源一体型光传感器2的制造步骤之中，至以分别覆盖受光芯片20及接合线21、22及发光芯片30及接合线31的方式利用透明树脂41密封(图2 (b))为止的步骤，与第一实施方式说明的步骤相同，因此省略说明。第二实施方式中，从利用透明树脂41的密封状态，在受光芯片20及发光芯片30间与基板10上的外周部，分别实施对透明树脂41的一部分进行切削直至到达基板10的表面为止的切割加工。由此，如图8(a)、图8(b)所示，透明树脂41分离成透明树脂41A与41B。图8 (a)为在此时点的俯视图，图8 (b)为在此时点的首1J视图。
[0073]图9(a)中，对切割加工后的槽填充不透明树脂51。不透明树脂51使用热传导率高的热传导材料。此外，使透明树脂41A、不透明树脂51、及透明树脂41B的表面高度相同。
[0074]接着，实施对不透明树脂51的一部分进行切削直至到达基板10的表面为止的切割加工。通过使用较透明树脂41A及透明树脂41B间的距离宽度狭窄的片体，如图9(b)所示，获得将不透明树脂51分离成不透明树脂51A与51B的空间60。最后，将具有开口 45B及开口 45A的散热板45粘接在不透明树脂51C、透明树脂41A、不透明树脂51A、空间60、不透明树脂51B、透明树脂41B、及不透明树脂51D的上表面后，完成图7的光源一体型光传感器2。
[0075]此外，实际上制造光源一体型光传感器2的情形，在基板1C上预先形成多个图9(b)所示的传感器，对各传感器间的不透明树脂51进行切割加工以切断并分片化。图10中，粗黑线L显示用于分片化的切断部位。
[0076]根据以上说明的第二实施方式，可获得以下的作用效果。
[0077](I)光源一体型光传感器2具备:受光芯片20，设置在基板1C上的规定区域；发光芯片30，设置在基板1C上的与受光芯片20不同的区域；透明树脂41A，在受光芯片20上以覆盖该受光芯片20的方式设置；透明树脂41B，在发光芯片30上以覆盖该发光芯片30的方式设置；不透明树脂51A、51B，设置在透明树脂41A与透明树脂41B之间；以及作为散热构件的不透明树脂51 (51C、51D)，与透明树脂41A、41B及不透明树脂51A、51B分别相接。由于能高效率地使发光芯片30产生的热散热，因此可抑制来自发光部的热导致的特性劣化。其体而言，来自发光芯片30的热传至不透明树脂51后，从该不透明树脂51往传感器外散热。其结果，可避免覆盖受光芯片20的透明树脂41A的表面变成变形、变色的温度上升。
[0078](2)在上述⑴的光源一体型光传感器2中，通过包围基板1C周围且具有热传导性的不透明树脂51 (51C、51D)与透明树脂41A及透明树脂41B间的不透明树脂51A、51B构成散热构件。一般而言，具有热传导性的不透明树脂51的热传导率较一般树脂的热传导率大数十倍至约100倍。因此，来自发光芯片30的热传至不透明树脂51后，从该不透明树脂51往周围的传感器外广泛地散热。
[0079](3)在上述(2)的光源一体型光传感器2中，散热构件还包含散热板45,该散热板45在与发光芯片30及受光芯片20对应的位置具有开口 45A、45B，从上相接于透明树脂41A、41B及不透明树脂51A、51B、51C、51D形成的面。因此，来自发光芯片30的热也传至散热板45,从该散热板45的表面广泛地往传感器外散热。
[0080](变形例六)
[0081]也可以从光源一体型光传感器2省略散热板45,通过包围基板1C周围的不透明树脂51 (51C、51D)与透明树脂41A及透明树脂41B间的不透明树脂51A、51B构成散热构件(图9(b)的状态)。若将不透明树脂51设在基板1C周围，则不透明树脂51与空气相接的表面积变广。由此，在来自不透明树脂51的散热量变得比在发光芯片30的散热量大的情形，即使不设置散热板45，也可避免覆盖受光芯片20的透明树脂41A的表面变成变形、变色的温度上升。
[0082](变形例七)
[0083]在上述说明中，对将空间60的深度设为到达基板10的表面的深度的例子进行了说明。在即便代替此而未设为到达基板10的表面的深度也可遮蔽从发光芯片30往受光芯片20侧在传感器内传递的光的情形时，使空间60的深度在未到达基板10的途中的深度停止(半切断)也可。
[0084](变形例八)
[0085]上述说明中，对将受光芯片20、发光芯片30与基板10的图案之间接合连接的例子进行了说明，但也可使用除此以外的连接方法、例如倒装芯片连接或TAB连接。
[0086](变形例九)
[0087]以上说明的第一及第二实施方式及变形例1-8的光源一体型光传感器中，可以使散热板45为在玻璃环氧基板的表面覆盖有铜箔的复合材料。此情形下，在光源一体型光传感器的表面使玻璃环氧基板露出，将铜箔配置在发光芯片30侧。从发光芯片30传递至透明树脂41A的热传递至铜箔，从散热板45D的表面散热。
[0088]另外，可以在环氧树脂材料的表面涂敷黑色涂料或在环氧树脂中混合黑色涂料。能以玻璃环氧基板的表面吸收从发光芯片30放射且从外部的对象物反射的反射光。其结果，可防止反射光在散热板45的表面引起不需要的反射，可防止误检测。
[0089]此外，作为复合材料虽使用玻璃环氧基板与铜箔，但只要为环氧树脂等的有机材料与铝或金等的金属，则其组合并不限定。
[0090]<第三实施方式>
[0091]图11是例示本发明第三实施方式的光源一体型光传感器2B的剖视图，相当于上述第二实施方式的光源一体型光传感器2的剖视图(图7(b))。与图7(b)的情形相比，散热板45分离成散热板45C及4?的点、与散热板45C、4?的材质以复合构件构成的点不同，因此以这些不同点为中心说明光源一体型光传感器2B。
[0092]本实施方式的散热板45C、45D以层叠层有金属层与有机材料层的平板状复合构件构成。此外，以复合构件的金属层朝下(透明树脂41侧)且有机材料层朝上的方式设置在透明树脂41上。金属层可使用例如铜箔(铝或金箔也可)，有机材料层可使用例如黑色的玻璃环氧材料。第三实施方式中，在第一及第二实施方式所示的散热板45分离成发光芯片30上的散热板4?与受光芯片20上的散热板45C。散热板4?在发光芯片30的发光部上具有开口 45B，散热板45C在受光芯片20的受光部上具有开口 45A。
[0093]其中，作为黑色的玻璃环氧材料，在环氧树脂材的表面涂敷黑色涂料或在环氧树脂混合黑色涂料即可。
[0094]说明光源一体型光传感器2B的制造步骤。以分别覆盖受光芯片20及接合线21、22与发光芯片30及接合线31的方式利用透明树脂41加以密封(图2(b))为止的步骤，与第一实施方式说明的步骤相同，因此省略说明。第三实施方式中，从图2(b)所示的中间产品的己密封的透明树脂41上粘接由上述复合构件构成的散热板素材。散热板素材与图1 (a)所示的散热板45形状相同。
[0095]接着，从散热板45的上方，在受光芯片20及发光芯片30间与基板10上的外周部分别施加将透明树脂41的一部分切削至到达基板1C的表面为止的切割加工。由此，透明树脂41及散热板45分离成透明树脂41A及散热板45C、透明树脂41B及散热板45D。
[0096]再者，与在第二实施方式说明的步骤相同，对切割加工后的槽填充不透明树脂51。不透明树脂51使用热传导率高的热传导材料。
[0097]接着，施加将不透明树脂51的一部分切削至到达基板1C的表面为止的切割加工。通过使用宽度比透明树脂41A及透明树脂41B间的距离狭窄的板件，如图11所例示，获得将不透明树脂51分离成不透明树脂51A与51B的空间60。通过上述，完成图11的光源一体型光传感器2B。
[0098]此外，实际制造光源一体型光传感器2B时，与在第二实施方式说明的情形相同，在基板上预先形成多个(例如，数百?数千个)传感器，将各传感器间的不透明树脂51C，51D通过切割加工切断以分片化。
[0099]根据以上说明的第三实施方式，可获得下述作用效果。
[0100](I)光源一体型光传感器2B具备:受光芯片20，设置在基板1C上的规定区域，且以透明树脂41A密封；发光芯片30，设置在基板1C上的与受光芯片20不同的区域，且以透明树脂41B密封；不透明树脂51A、51C，覆盖透明树脂41A的周围；不透明树脂51B、51D，覆盖透明树脂41B的周围；空间60，设置在不透明树脂51A及不透明树脂51B之间；散热板45C，覆盖透明树脂41A的上面，在受光芯片20上具有开口 45A ;以及散热板45D，覆盖透明树脂41B的上面，在受光芯片30上具有开口 45B。由于能使在发光芯片30产生的热高效率地散热，因此可抑制热导致的特性劣化。具体而言，来自发光芯片30的热往散热板45D、不透明树脂51B、51D传递后，从散热板45D、不透明树脂51B、51D往传感器外散热。其结果，可避免覆盖受光芯片20的透明树脂41A的表面变成变形、变色的温度上升。
[0101](2)上述(I)的光源一体型光传感器2B中，散热板4?不是以金属板而是以层叠有铜箔与玻璃环氧基板的复合构件构成。这种复合构件与金属板相比，切割等的加工容易，因此与在后续步骤将由金属板构成的散热板粘接的第二实施方式不同，能在较早阶段将由复合构件构成的散热板粘接在透明树脂41之上。其结果，可提高制造工序上的自由度。
[0102](3)由于使构成散热板45D的复合构件的金属层朝下(透明树脂41B侧)，因此能使来自发光芯片30的热从透明树脂的B往散热板4?高效率地传递，从该散热板4?的表面往传感器外广泛地散热。
[0103](4)由于设有将不透明树脂51A与51B分离的空间60，因此可妨碍从发光芯片30侧往受光芯片20侧的经由不透明树脂的热传递。另外，与空间60相接的不透明树脂51B的表面积增加，来自不透明树脂51B的散热性提高。
[0104](5)由于使构成散热板45C、45D的复合构件的有机材料层在光源一体型光传感器2B的上面露出且使有机材料层为黑色，因此可抑制来自外部的不需要光的反射。即，由于能以玻璃环氧基板的表面吸收从发光芯片30放射且从外部的对象物反射的反射光，因此可防止反射光在散热板45的表面引起不需要的反射，可防止误检测。
[0105]上述中，对多种实施方式及变形例进行了说明，但本发明并不限定于这些内容。各实施方式及各变形例的构成也可适当进行组合。可在本发明的技术思想的范围内研究出的其他方案也包含在本发明的范围内。
[0106]以下的优先权基础申请的公开内容以引用文的形式写入本文中。
[0107]日本国专利申请2012年第138589号(2012年6月20日申请)PCT/JP2013/057074(2013 年 3 月 13 日申请)
【权利要求】
1.一种光源一体型光传感器，其特征在于，具备: 受光元件，其设置在基板上的规定区域，且被第一透光树脂密封； 发光元件，其设置在上述基板上的与上述受光元件不同的区域，且被第二透光树脂密封； 第一遮光部，其覆盖上述第一透光树脂的周围； 第二遮光部，其覆盖上述第二透光树脂的周围； 空间，其设置在上述第一遮光部及上述第二遮光部之间； 第一遮光散热构件，其覆盖上述第一透光树脂的上面，且在上述受光元件上具有开口部；以及 第二遮光散热构件，其覆盖上述第二透光树脂的上面，且在上述发光元件上具有开口部。
2.根据权利要求1所述的光源一体型光传感器，其特征在于， 上述第一遮光散热构件及上述第二遮光散热构件由层叠有有机材料层及金属层的平面构件构成。
3.根据权利要求2所述的光源一体型光传感器，其特征在于， 上述第一遮光散热构件及上述第二遮光散热构件的上述有机材料层在上部露出。
4.一种光源一体型光传感器，其特征在于，具备: 受光部，其设置在基板上的规定区域； 发光部，其设置在上述基板上的与上述受光部不同的区域； 第一透光构件，其在上述受光部上以覆盖该受光部的方式设置； 第二透光构件，其在上述发光部上以覆盖该发光部的方式设置； 遮光构件，其设置在上述第一透光构件与上述第二透光构件之间； 空间，其设置在上述第一透光构件与上述第二透光构件之间；以及 散热构件，其分别与上述第一透光构件、上述第二透光构件及上述遮光构件接触。
5.根据权利要求4所述的光源一体型光传感器，其特征在于， 上述散热构件由平面构件构成，该平面构件在与上述发光部及上述受光部对应的位置具有开口，从上方与上述第一透光构件、上述第二透光构件及上述遮光构件形成的面接触。
6.根据权利要求4或5所述的光源一体型光传感器,其特征在于， 还具备替代上述遮光构件或沿着上述遮光构件分别与上述基板和上述散热构件接触的热传导构件。
7.根据权利要求6所述的光源一体型光传感器,其特征在于， 上述热传导构件与设在上述基板的贯通孔接触。
8.根据权利要求4所述的光源一体型光传感器，其特征在于， 上述散热构件由包围上述基板周围且具有热传导性的第二遮光构件构成。
9.根据权利要求8所述的光源一体型光传感器，其特征在于， 上述散热构件还包含平面构件，该平面构件在与上述发光部及上述受光部对应的位置具有开口，从上方与上述第一透光构件、上述第二透光构件及上述第二遮光构件形成的面接触。
10.根据权利要求9所述的光源一体型光传感器，其特征在于，还具备分别与上述基板和上述平面构件接触的热传导构件。
11.根据权利要求10所述的光源一体型光传感器，其特征在于，上述热传导构件与设在上述基板的贯通孔接触。
【文档编号】H01L31/12GK104396026SQ201380032199
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2013年6月20日 优先权日:2012年6月20日
【发明者】真崎伸一, 井上修二 申请人:青井电子株式会社