有机发光二极管显示器的制造方法
【专利摘要】有机发光二极管(OLED)显示器包括：包括多个像素的衬底，布置在所述像素中的薄膜晶体管；与所述薄膜晶体管连接并且布置在所述像素中的有机发光元件，位于所述有机发光元件上的封装部件，以及布置在所述封装部件之上或之下并且包括第一部分和第二部分的外部光遮蔽部件。第一部分的厚度比第二部分厚度薄，并且第一部分布置在像素中。
【专利说明】有机发光二极管显示器
1.
【技术领域】
[0001]本公开大体上涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
[0002]2.相关技术的讨论
[0003]有机发光二极管显示器可以包括有机发光元件，所述有机发光元件由例如空穴注入电极、有机发射层和电子注入电极组成。通过当在有机发光层中结合电子和空穴而产生的激子从激发态落入基态时所产生的能量，每一有机发光元件发射光，并且有机发光二极管显示器通过使用这种光发射而显示预定的图像。
[0004]因为有机发光二极管显示器具有自发光特性并且不需要单独的光源，所以与液晶显示器不同，可以降低该有机发光二极管显示器的厚度和重量。此外，因为有机发光二极管显示器可以表现出高品质特性，例如低功耗、高亮度和快响应速度，因此，有机发光二极管显示器作为下一代显示装置而受到关注。
[0005]OLED显示器可以通过共振和薄膜晶体管的反射来提取所产生的光，并且非发光区中的电容器、驱动器和信号线可能导致对比度变差。
[0006]因此，圆形偏振膜用于增加对比度。根据用于结合多层膜的方法，圆形偏振膜包括线性偏振膜和相差膜。
[0007]在沉积显示平板的薄膜封装之后，连接这样的圆形偏振膜。然而，因为圆形偏振膜可以厚达200 μ m,因此显示装置可能不是轻薄的，并且可能增加生产成本。
[0008]概述
[0009]本发明的示例性实施方案提供了有机发光二极管(OLED)显示器，在不使用圆形偏振膜的情况下增加对比率并且使显示装置更轻薄且更柔韧。
[0010]示例性实施方案提供了有机发光二极管(OLED)显示器，其包括:包括多个像素的衬底，布置在所述像素中的薄膜晶体管，与所述薄膜晶体管连接并且布置在所述像素中的有机发光元件，布置在所述有机发光元件上的封装部件，以及布置在所述封装部件之上或之下并且包括第一部分和第二部分的外部光遮蔽部件。第一部分的厚度比第二部分的厚度薄，并且第一部分布置在像素中。
[0011]外部光遮蔽部件可以包括下部外部光遮蔽部件和上部外部光遮蔽部件。
[0012]下部外部光遮蔽部件可以包括凹槽部分，并且所述凹槽部分可以布置在像素中。
[0013]上部外部光遮蔽部件可以布置在下部外部光遮蔽部件上。
[0014]上部外部光遮蔽部件可以包括以下至少之一:金属层、金属氧化物层、金属氮化物层、介电层以及黑色层，并且上部外部光遮蔽部件具有在下部外部光遮蔽部件上的均匀厚度。
[0015]金属层可以包含选自Al、Ag、Mg、Cr、T1、N1、Au、Ta、Cu、Ca、Co、Fe、Mo、W、Pt、Yb 以及NiS或它们的合金的材料，金属氧化物可以包含CrOxXuOx和MoOx之一，金属氮化物层可以包含TiNx、TiNxAl和CrNx之一，并且黑色层可以由含有炭黑和黑色染料的聚合物材料制成。
[0016]包括金属层、金属氧化物层或金属氮化物层的上部外部光遮蔽部件可以具有不大于约50nm的厚度。
[0017]介电层可以包含以下至少之一=S12, Ti02、LiF, CaF2' MgF2' SiNx、Ta2O5' Nb2O5'SiCN, S1x、T1x、ZrO2, Mg。、CaO、Y2O3> ThF4' YF3> Alx0y、S1xNy' ZrOxFy, S1xFy' A10xNy、基于丙烯酸酯的聚合物、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二酯。
[0018]介电层可以具有不大于约I μπι的厚度。
[0019]上部外部光遮蔽部件可以包括多个遮蔽部件层，每一遮蔽部件层可以包括以下至少之一:金属层、金属氧化物层、金属氮化物层、介电层以及黑色层，并且所述遮蔽部件层可以具有在下部外部光遮蔽部件上的均匀厚度。
[0020]第一部分可以具有不小于约40%的透光率，并且第二部分可以具有低于约40%的透光率。
[0021]根据示例性实施方案，提供了有机发光二极管(OLED)显示器。所述OLED显示器包括:包括多个像素和多个非像素区域的衬底，布置在所述像素中的薄膜晶体管，与所述薄膜晶体管连接并且布置在所述像素中的有机发光元件，布置在所述有机发光元件上的封装部件，布置在所述封装部件上的防干扰层以及布置在所述防干扰层上的外部光遮蔽部件。外部光遮蔽部件包括布置在像素中和非像素区域中的下部外部光遮蔽部件，以及布置在所述像素区域中的下部外部光遮蔽部件之上并且在所述像素中的下部外部光遮蔽部件的凹槽部分之中的上部外部光遮蔽部件。布置在像素中的下部外部光遮蔽部件的厚度小于布置在非像素区域中的下部外部光遮蔽部件的厚度。
[0022]根据示例性实施方案，提供了有机发光二极管(OLED)显示器。所述OLED显示器包括:包括多个像素和多个非像素区域的衬底；布置在所述衬底上的缓冲层；布置在所述缓冲层上的半导体，其中所述半导体包括源区、漏区和布置在所述源区与所述漏区之间的通道区；布置在所述半导体上的栅极绝缘层；布置在所述栅极绝缘层上的栅电极；布置在所述栅电极上的层间绝缘层，其中所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层包括分别暴露源区和漏区的源接触孔和漏接触孔；布置在层间绝缘层上的源极和漏极，其中所述源极与所述源区通过源接触孔连接，并且所述漏极与所述漏区通过漏接触孔连接；以及布置在层间绝缘层上并且包括暴露所述漏极的接触孔的保护层。
[0023]OLED显示器还包括:布置在保护层上并且与漏极通过接触孔连接的第一电极，布置在第一电极上并且包括暴露所述第一电极的开口的像素限定层，布置在所述像素限定层的开口中的有机发射层，布置在所述像素限定层和所述有机发射层上的第二电极，布置在第二电极上的包括无机层和有机层至少之一的封装部件，以及布置在所述封装部件上的外部光遮蔽部件。外部光遮蔽部件包括布置在像素中和非像素区域中的下部外部光遮蔽部件，以及布置在所述像素区域中的下部外部光遮蔽部件之上并且在所述像素中的下部外部光遮蔽部件的凹槽部分之中的上部外部光遮蔽部件。布置在像素中的下部外部光遮蔽部件的厚度小于布置在非像素区域中的下部外部光遮蔽部件的厚度。
[0024]在示例性实施方案中，通过形成外部光遮蔽部件，可以预期在不使用厚偏振板的情况下增加对比率的效果。
[0025]此外，当不使用厚偏振板时，可以降低OLED显示器的厚度，由此使其更轻薄并增加其柔韧特性。
[0026]附图简述
[0027]从以下详细描述并结合附图能更详细地了解本发明的示例性实施方案。
[0028]图1为例性实施方案的有机发光二极管(OLED)显示器的像素布局视图。
[0029]图2为沿图1的线I1-1I的剖视图。
[0030]图3和图4为依次示出示例性实施方案的OLED显示器的制造方法的剖视图。
[0031]图5为示例性实施方案的OLED显示器的中间步骤的剖视图。
[0032]图6为示例性实施方案的OLED显示器的示意性剖视图。
[0033]图7为示例性实施方案的OLED显示器中像素的等效电路。
[0034]图8为示出图7所示的OLED显示器中的像素的剖视图。
[0035]示例性实施方案详述
[0036]在以下详述中，仅通过例示来示出和描述某些示例性实施方案。本领域技术人员应认识到，可以以各种不同方式修改示例性实施方案，所有方式不背离本发明的精神或范围。
[0037]在附图和本说明书中，与此处描述无关的部分或元件被省略以清楚地描述示例性实施方案，并且相同或相似的组成元件在整个说明书中以相同符号标出。
[0038]此外，任意示出附图中所示的每一组件的尺寸和厚度以更好地理解和易于描述，但本发明的示例性实施方案不限于此。
[0039]在附图中，层、膜、板件、区域等的厚度可以为了清楚而放大。在附图中，为了更好地理解和易于描述，可以放大相同层和区的厚度。在整个本说明书中，当层、膜、板等的第一部分被描述为布置在第二部分“上”时，这表明将第一部分直接布置在第二部分上或具有在其之间的第三部分。
[0040]此外，在整个本说明书中，当一部分被描述为“包含(comprising)(或包括(including))”组成元件时，这表明该部分可以还包含其他组成部分，除非明确另有规定。
[0041]在下文中，将参考附图描述示例性实施方案的包括光学单元的显示装置。
[0042]图1为示例性实施方案的有机发光二极管(OLED)显示器的像素布局视图，并且图2为沿图1的线I1-1I的剖视图。
[0043]如图1和图2所示，本示例性实施方案的OLED显示器包括例如衬底100和多个像素P，每一像素包括位于衬底100上的薄膜晶体管Q和与薄膜晶体管Q连接的有机发光元件70。
[0044]衬底100可以由例如玻璃、石英、塑料等制成。例如，在实施方案中，衬底100可以为由塑料材料形成的柔性衬底，所述塑料材料例如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚烯丙醇酯(polyallylate)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺(PI)等。
[0045]像素包括例如显示红色的红色像素RP、显示绿色的绿色像素GP、以及显示蓝色的蓝色像素BP。例如，红色、绿色和蓝色可以用作用于显示全色的基色的实例，并且红色、绿色和蓝色像素RP、GP和BP可以用作用于显示全色的原色像素。依照行和列来重复布置组成一组的红色像素RP、绿色像素GP和蓝色像素BP。该组可以包括其他像素，例如显示白色的白色像素(未示出)等。
[0046]OLED显示器包括例如像素LA和非像素LB。像素LA表示用于显示颜色、例如红色、绿色和蓝色的发光区，而非像素LB表示除像素LA之外的其余区。
[0047]OLED显示器包括用于遮蔽外部光的外部光遮蔽部件200，并且外部光遮蔽部件200包括例如通常在像素LA和非像素LB中形成的下部外部光遮蔽部件2，以及位于下部外部光遮蔽部件2上的上部外部光遮蔽部件20。
[0048]下部外部光遮蔽部件2的厚度为例如约20nm至约10 μ m。下部外部光遮蔽部件2可以由例如选自以下之一形成:铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、金(Au)、钽(Ta)、铜(Cu)、钙(Ca)、钴(Co)、铁(Fe)、.(Mo)、钨(W)、钼(Pt)、镱(Yb)、镍硫化物(NiS)或它们的合金。例如，在实施方案中，下部外部光遮蔽部件2可以包括金属氧化物或金属氮化物，例如铬氧化物(CrOx)、铜氧化物(CuOx)、钥氧化物(MoOx)、钛氮化物(TiNx)、钛铝氮化物TiAlNx或铬氮化物(CrNx)。
[0049]下部外部光遮蔽部件2可以包括例如由含有炭黑或黑色染料的聚合物制成的黑色层(未不出)。
[0050]下部外部光遮蔽部件2包括例如位于像素LA中的凹槽部分10。因此，位于像素LA中的下部外部光遮蔽部件2a的厚度可以比位于非像素LB的下部外部光遮蔽部件2b的厚度薄。
[0051]上部外部光遮蔽部件20包括例如多层遮蔽部件层，并且可以通过例如堆叠单层或多层的金属层、金属氮化物层、金属氧化物层、黑色层和介电层形成遮蔽部件层。上部外部光遮蔽部件20的整个厚度为例如约0.02 μ m至约10 μ m。
[0052]上部外部光遮蔽部件20的金属层24和34可以由例如选自以下之一形成:Al、Ag、Mg、Cr、T1、N1、Au、Ta、Cu、Ca、Co、Fe、Mo、W、Pt、Yb、NiS 或它们的合金，并且金属氧化物或金属氮化物可以包括例如CrOx、CuOx、MoOx、TiNx、TiNxAl或CrNx。金属层24和34具有例如不大于约50nm的厚度。黑色层可以由例如包含炭黑或黑色染料的聚合物材料制成，并且具有约0.05 μ m至约10 μ m的厚度。
[0053]上部外部光遮蔽部件20的介电层22和32可以包含例如以下至少之一:二氧化硅(S12)、二氧化钛(T12)、氟化锂(LiF)、氟化钙(CaF2)、氟化镁(MgF2)、硅氮化物(SiNx)、五氧化二钽(Ta2O5)、五氧化二铌(Nb2O5)、硅碳氮化物(SiCN)、硅氧化物(S1x)、钛氧化物(T1x)、氧化锆(ZrO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钇(Y2O3)、四氟化钍(ThF4)、钇氟化物(YF3)、铝氧化物(AlxOy)、硅氧氮化物(S1xNy)、锆氧氟化物(ZrOxFy)、硅氧氟化物(S1xFy)、铝氧氮化物(AlOxNy)、丙烯酸酯、丙烯酸酯聚合物材料、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯以及聚对苯二甲酸乙二酯，并且可以具有例如不大于约Iym的厚度。
[0054]同时，参考图2，可以在上部外部光遮蔽部件20中堆叠例如多层金属层24和34以及介电层22和32。可以例如交替并且重复堆叠金属层24和34以及介电层22和32。如此形成上部外部光遮蔽部件20的金属层24和34以及介电层22和32以具有例如沿下部外部光遮蔽部件2的表面的相同厚度。
[0055]此外，金属层24和34以及介电层22和32由例如相同材料形成，并且在像素LA和非像素LB中具有相同堆叠结构。例如，如果介电层22、金属层24和介电层22以该顺序堆叠在像素LA中，则介电层32、金属层34和介电层32也以相同顺序堆叠在非像素LB中。此外，堆叠在像素LA中的介电层22或金属层24以及堆叠在非像素LB中的介电层32或金属层34由例如相同材料制成。
[0056]如此，如果形成上部外部光遮蔽部件20，则沿下部外部光遮蔽部件2的凹槽部分形成上部外部光遮蔽部件20。因此，根据凹槽部分10的深度，在像素LA中形成的外部光遮蔽部件200具有与非像素LB中的外部光遮蔽部件200的厚度不同的厚度。易言之，形成位于像素LA的外部光像素部件200的厚度比位于非像素LB中的外部光遮蔽部件200的厚度薄。
[0057]根据示例性实施方案，当形成凹槽部分10时，通过调节凹槽部分10的深度来控制在像素LA和非像素LB中形成的外部光遮蔽部件200的厚度差。然而，通过移除(未示出)像素LA的所有下部外部光遮蔽部件2并仅在非像素LB形成具有所需厚度的下部外部光遮蔽部件2，从而控制在像素LA和非像素LB中形成的外部光遮蔽部件200的厚度差。
[0058]同时，介电层可以具有厚度，其中通过在金属层反射的光的例如约180°相位差来产生相消干涉。
[0059]像素LA的外部光遮蔽部件200可以具有例如不小于约40%的透光率，并且非像素LB的外光遮蔽部件200可以具有例如低于约40%的透光率。
[0060]在本示例性实施方案中，通过如此形成外部光遮蔽部件200以在像素LA和非像素LB具有不同厚度，可以在不形成圆形偏振膜的情况下防止外部光反射，由此增加黑色可见度。
[0061]易言之，由位于非像素LB中的外部光遮蔽部件200的厚的厚度来遮蔽从外部流入的光。因为由金属层反射的光由于介电层导致的约180°倒相而消失，所以可以防止由金属层反射的光免于转移向外部。
[0062]此外，可以形成下部外部光遮蔽部件200以使其在像素LA的厚度例如比其在非像素LB的厚度薄，由此获得不小于约40%的透光率。
[0063]在下文，将参考图3和图4描述OLED显示器的制造方法。
[0064]图3和图4是依次示出示例性实施方案的OLED显示器的制造方法的剖视图，并且图5是示例性实施方案的OLED显示器的中间步骤的剖视图。
[0065]如图3所示，在衬底100上形成薄膜晶体管Q和有机发光元件70。形成封装部件260以覆盖有机发光元件70。
[0066]接下来，如图4所示，在封装部件260上形成具有凹槽部分10的下部外部光遮蔽部件2。下部外部光遮蔽部件2由例如金属形成。
[0067]如图4所示，下部外部光遮蔽部件2的凹槽部分10可以通过例如在金属膜上通过光蚀刻方法形成蚀刻掩模PR并通过蚀刻法来形成。或者，如图5所示，可以通过使用液体墨的喷墨印刷法或使用金属糊的丝网印刷法，例如仅在非像素LB中选择性地形成下部外部光遮蔽部件2。此外，或者，可以通过形成金属膜并使用例如激光器蚀刻金属膜来形成下部外部光遮蔽部件2，或通过使用转移法选择性地将金属层转移至非像素LB。
[0068]接下来，如图2所示，可以通过例如在下部外部光遮蔽部件2上堆叠介电层和金属层来在下部外部光遮蔽部件2上形成上部外部光遮蔽部件20。
[0069]图6为示例性实施方案的OLED显示器的示意性剖视图。
[0070]因为图6所示的OLED显示器的大部分层间构型与图2所示的OLED显示器的层间构型相同，所以将仅详述不同元件。
[0071]如图6所示,本示例性实施方案的OLED显示器包括例如衬底100,位于衬底100上的薄膜晶体管Q，与薄膜晶体管Q连接的有机发光元件70，位于发光元件70上的封装部件260，位于封装部件260上的防干扰层300，以及位于防干扰层300上的外部光遮蔽部件200。
[0072]防干扰层300用于防止封装部件260与外部光遮蔽部件200之间的干扰。对此，形成防干扰层300以具有例如不小于光的相干长度的厚度。易言之，可以形成防干扰层300以具有例如不小于约I μ m的厚度。
[0073]防干扰层300可以例如为无机或有机膜，并且无机膜可以包含例如以下至少之一:Si02, Ti02、LiF, CaF2' MgF2' SiNx, Ta2O5' Nb2O5' SiCN, S1x、T1x、ZrO2, Mg。、CaO、Y2O3>ThF4, YF3、AlxOy, S1xNy、ZrOxFy, S1xFy以及AlOxNy、或基于丙烯酸酯的聚合物、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二酯。有机膜可以由例如透明有机聚合物或单体形成，例如基于丙烯酸酯的材料，并且可以包括丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二酯。
[0074]在下文，将参考图7和图8详述包括外部光遮蔽部件的OLED显示器。
[0075]图7为示例性实施方案的OLED显示器中像素的等效电路。
[0076]本示例性实施方案的OLED显示器包括例如多个信号线121、171和172以及与其连接的像素PX。
[0077]信号线包括例如用于传递门信号(或扫描信号)的扫描信号线121，用于传递数据信号的数据线171，用于传递驱动电压的驱动电压线172等。扫描信号线121例如基本在行向中延伸并基本彼此平行，并且数据线171例如基本在列向中延伸并基本彼此平行。示出了驱动电压线172例如基本在列向中延伸，但本发明的示例性实施方案不限于此。例如，在实施方案中，驱动电压线172可以在行向或列向中延伸，并且可以形成为网状。
[0078]一像素PX包括例如开关晶体管Qs，驱动晶体管Qd，存储电容器Cst和有机发光元件LD。
[0079]例如，开关晶体管Qs具有例如与相应的扫描信号线121连接的控制终端，与相应的数据线171连接的输入终端，以及与驱动晶体管Qd连接的输出终端。开关晶体管Qs将从数据线171传递的数据信号传输至驱动晶体管Qd，以响应从扫描信号线121传递的门信号。
[0080]驱动晶体管Qd也可以具有与开关晶体管Qs连接的控制终端，与驱动电压线172连接的输入终端以及与有机发光元件LD连接的输出终端。驱动晶体管Qd使输出电流ILD流动，所述输出电流ILD的振幅取决于驱动晶体管Qd的控制终端与输出终端之间的电压。
[0081]电容器Cst连接在驱动晶体管Qd的控制终端和输入终端之间。电容器Cst使向驱动晶体管Qd的控制终端施加的数据信号带电，并且甚至在关闭开关晶体管Qs之后保持数据信号带电。
[0082]OLED形式的有机发光元件LD具有与驱动晶体管Qd连接的输出终端以及与常规电压Vss连接的阴极。有机发光元件LD发射光，从而显示图像，所述光的强度取决于驱动晶体管Qd的输出电流ILD。有机发光元件LD可以包含例如有机材料，其独特地发射原色，例如红色、绿色和蓝色的三原色，中至少一种颜色的光，并且有机发光装置通过其空间集合(spatial sums)而显示期望的图像。
[0083]图8为示出图7所示的OLED显示器中的像素的剖视图。
[0084]参考图8，根据堆叠顺序，基于图7的薄膜晶体管Qd和有机发光元件LD来详细描述OLED显示器的结构。在下文，驱动晶体管Qd系指薄膜晶体管。
[0085]如图8所示，在衬底100上形成防止不必要的组分的渗透并同时使表面平整的缓冲层120，所述不必要的组分例如杂质或水分。
[0086]可以在缓冲层120上形成包括例如无机半导体如氧化物半导体或有机半导体的半导体135。在实施方案中，半导体135可以由例如无定形娃(例如氢化无定形娃)制成。或者，在实施方案中，半导体135可以由例如多晶硅、微晶硅或单晶硅形成。
[0087]例如，在本示例性实施方案中，在缓冲层120上形成由例如多晶硅形成的半导体135。
[0088]将半导体135分为例如通道区1355、源区1356和漏区1357。在通道区1355的对侧形成源区1356和漏区1357。半导体135的通道区1355为例如不掺杂杂质的多晶硅，即，本征半导体。半导体135的源区1356和漏区1357例如为掺杂导电杂质的多晶硅，S卩，杂质半导体。
[0089]向源区1356和漏区1357掺杂的杂质可以为p_型杂质和n_型杂质之一。
[0090]在半导体135上形成栅极绝缘层140。栅极绝缘层140可以例如为包含以下至少之一的单层或多层:原硅酸四乙酯(TEOS)、硅氮化物、硅氧化物、硅氧氮化物(S1N)、铝氧化物(AlOx)、钇氧化物(Y2O3)、铪氧化物(HfOx)、锆氧化物(ZrOx)、氮化铝(AlN)、铝氧氮化物(AlNO)、钛氧化物(T1x)、酞酸钡(BaTi03)以及酞酸铅(PbT13)。
[0091]在栅极绝缘层140上形成栅电极155。栅电极155与通道区1355重叠。栅电极155可以包含例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钥(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、钥钨(Moff)以及铝(Al)/铜(Cu)、铜(Cu)、锌(Zn)、钴(Co)、猛(Mn)、铱(Ir)、铑(Rh)、锇(Os)、钽(Ta)，或这些中任一种的化合物。
[0092]在栅电极155上形成层间绝缘层160。与栅极绝缘层140相似,层间绝缘层160可以由以下形成:例如，原硅酸四乙酯(TEOS)、硅氮化物、硅氧化物、硅氧氮化物(S1N)、铝氧化物(AlOx)、氧化钇(Y2O3)、铪氧化物(HfOx)、锆氧化物(ZrOx)、氮化铝(AlN)、铝氧氮化物(AlNO)、钛氧化物(T1x)、钛酸钡(BaTi03)以及钛酸铅(PbT13)。
[0093]层间绝缘层160和栅极绝缘层140具有例如分别暴露源区1356和漏区1357的源接触孔166和漏接触孔167。在层间绝缘层160上形成源电极176和漏电极177。源电极176通过源接触孔166与源区1356连接，并且漏极177通过漏接触孔167与漏区1357连接。源电极176和漏电极177可以包含例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钥(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、钥钨(Moff)以及铝(Al)/铜(Cu)、铜(Cu)、锌(Zn)、钴(Co)、锰(Mn)、铱(Ir)、铑(Rh)、锇(Os)、钽(Ta)，或这些中任一种的化合物。
[0094]在层间绝缘层160上形成保护层180。保护层180包括例如暴露漏电极177的接触孔185。
[0095]在保护层180上形成通过接触孔185与漏电极177连接的第一电极710。第一电极710成为图6的有机发光元件的阳极。
[0096]在第一电极710上形成像素限定层190。
[0097]像素限定层190包括例如暴露第一电极710的开口 195。可以形成像素限定层190以包含例如诸如聚丙烯酸酯或聚酰亚胺的树脂以及诸如二氧化硅的无机材料。
[0098]在像素限定层190的开口 195中形成有机发射层720。
[0099]有机发射层720形成为例如包括以下一个或多个的多层:发光层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
[0100]例如，如果有机发射层720包括上述所有层，则在第一电极710上布置电子注入层，随后在其上依次堆叠电子传输层、有机发射层、空穴传输层和空穴注入层。
[0101]在像素限定层190和有机发射层720上形成第二电极730。
[0102]第二电极730成为图5的有机发光元件70的阴极。因此，第一电极710、有机发射层720和第二电极730形成有机发光元件70。
[0103]OLED显示器可以构造成正面显示型、反面显示型和两面显示型之一，这取决于有机发光兀件70的发光方向。
[0104]当OLED显示器构造成正面显示型时，例如用反射膜形成第一电极710并且用半透明膜形成第二电极730。当OLED显示器构造成反面显示型时，例如用半透明膜形成第一电极710并且例如用反射膜形成第二电极730。当OLED显示器构造成两面显示型时，例如用透明膜或半透明膜形成第一电极710和第二电极730。
[0105]例如用选自镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)及它们的合金中至少一种金属材料形成反射膜和半透明膜。给定的膜为反射膜或半透明膜根据它们的厚度而定。对于半透明膜，厚度越小，透光率增加得越大，而厚度越大，电阻增加得越大。
[0106]透明膜由例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、铟氧化物(In2O3)等形成。
[0107]可以在第二电极730上由无机层或有机层形成封装部件260，并且可以例如交替堆叠无机层和有机层。封装部件260保护像素避免外部空气。
[0108]可以交替堆叠一个或多个有机层和一个或多个无机层。可以提供例如多个各无机层或有机层。
[0109]有机层由例如聚合物形成。例如，在实施方案中，有机层可以为由聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中任一种形成的单层或层压层。例如，在实施方案中，有机层可以由聚丙烯酸酯形成，并且特别包括其中聚合包含基于二丙烯酸酯的单体和基于三丙烯酸酯的单体的单体组合物的物质。此外，在单体组合物中可以进一步例如包含基于单丙烯酸酯的单体。此外，在单体组合物中可以进一步包含已知的光引发剂，例如2，4，6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦(TPO)，但本发明的示例性实施方案不限于此。
[0110]无机层可以为例如包括金属氧化物或金属氮化物的单层或层压层。例如，无机层可以包括SiNx、Al2O3' S12和T12中任一种。
[0111]暴露于外界的封装部件260的最上层可以由无机层形成以防止水分向有机发光元件70渗透。
[0112]封装部件260可以包括例如至少一夹层结构，其中在至少两无机层之间插入至少一有机层。此外，封装部件260可以包括例如至少一夹层结构，其中在至少两有机层之间插入至少一无机层。
[0113]包括例如LiF的卤化金属层可以被进一步包括在第二电极730和无机层之间。当通过例如溅射方式或等离子沉积方式形成无机层时，卤化金属层可以防止包括第二电极730的显示部分免受破坏。
[0114]可以例如通过诸如金属衬底或玻璃衬底的封装衬底来替代封装部件260，而不用形成有机层和无机层。
[0115]在封装部件260上形成与图1至6相同的外部光遮蔽部件200。形成外部光遮蔽部件200以便具有例如在像素LA和非像素LB中不同的厚度。布置在像素LA中的外部光遮蔽部件200的厚度例如比布置在非像素LB中的外部光遮蔽部件200的厚度薄。
[0116]已经描述了本发明的示例性实施方案，但还应注意，可以在不背离由随附权利要求的界限所限定的本发明主旨和范围的情况下，可以进行各种修改，这对于本领域技术人员而目是显而易见的。
【权利要求】
1.有机发光二极管(OLED)显示器，其包括: 包括多个像素的衬底； 布置在所述像素中的薄膜晶体管； 与所述薄膜晶体管连接并且布置在所述像素中的有机发光元件； 布置在所述有机发光元件上的封装部件；以及 布置在所述封装部件之上或之下并且包括第一部分和第二部分的外部光遮蔽部件， 其中所述第一部分的厚度比所述第二部分的厚度薄，并且其中所述第一部分布置在所述像素中。
2.如权利要求1所述的OLED显示器，其中所述外部光遮蔽部件包括下部外部光遮蔽部件和上部外部光遮蔽部件。
3.如权利要求2所述的OLED显示器，其中所述下部外部光遮蔽部件包括凹槽部分，并且所述凹槽部分布置在所述像素中。
4.如权利要求3所述的OLED显示器，其中所述上部外部光遮蔽部件布置在所述下部外部光遮蔽部件上。
5.如权利要求4所述的OLED显示器，其中所述上部外部光遮蔽部件包括以下至少之一:金属层、金属氧化物层、金属氮化物层、介电层以及黑色层，并且其中所述上部外部光遮蔽部件具有在所述下部外部光遮蔽部件上的均匀厚度。
6.如权利要求5所述的OLED显示器，其中所述金属层包含选自以下的材料:铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、金(Au)、钽(Ta)、铜(Cu)、钙(Ca)、钴(Co)、铁(Fe)、钥(Mo)、钨(W)、钼(Pt)、镱(Yb)、镍硫化物(NiS)或它们的合金， 所述金属氧化物层包含铬氧化物(CrOx)、铜氧化物(CuOx)和钥氧化物(MoOx)之一， 所述金属氮化物层包含钛氮化物(TiNx)、TiAlNx和铬氮化物(CrNx)之一，以及 其中所述黑色层包括包含炭黑或黑色染料的聚合物材料。
7.如权利要求5所述的0LED，其中所述上部外部光遮蔽部件包括所述金属层、所述金属氧化物层或所述金属氮化物层，并且具有不大于50nm的厚度。
8.如权利要求5所述的OLED显示器，其中所述介电层包含以下至少之一:二氧化硅(S12)、二氧化钛(T12)、氟化锂(LiF)、氟化钙(CaF2)、氟化镁(MgF2)、硅氮化物(SiNx)、五氧化二钽(Ta2O5)、五氧化二铌(Nb2O5)、硅碳氮化物(SiCN)、硅氧化物(S1x)、钛氧化物(T1x)、氧化锆(ZrO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钇(Y2O3)、四氟化钍(ThF4)、钇氟化物(YF3)、铝氧化物(AlxOy)、硅氧氮化物(S1xNy)、锆氧氟化物(ZrOxFy)、硅氧氟化物(S1xFy)、铝氧氮化物(AlOxNy)、基于丙烯酸酯的聚合物、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯以及聚对苯二甲酸乙二酯。
9.如权利要求5所述的OLED显示器，其中所述介电层具有不大于Iμ m的厚度。
10.如权利要求4所述的OLED显示器，其中所述上部外部光遮蔽部件包括多个遮蔽部件层， 其中每一所述遮蔽部件层包括金属层、金属氧化物层、金属氮化物层、介电层和黑色层中至少之一，以及 其中所述遮蔽部件层具有在所述下部外部光遮蔽部件上的均匀厚度。
11.如权利要求10所述的OLED显示器，其中所述金属层包含选自以下的材料:铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、金(Au)、钽(Ta)、铜(Cu)、钙(Ca)、钴(Co)、铁(Fe)、钥(Mo)、钨(W)、钼(Pt)、镱(Yb)、镍硫化物(NiS)或它们的合金， 其中所述金属氧化物层包含铬氧化物(CrOx)、铜氧化物(CuOx)和钥氧化物(MoOx)之 其中所述金属氮化物层包含钛氮化物(TiNx)、钛铝氮化物(TiAlNx)和铬氮化物(CrNx)之一，以及 其中所述黑色层包括包含炭黑或黑色染料的聚合物材料。
12.如权利要求10所述的0LED，其中包括所述金属层、所述金属氧化物层或所述金属氮化物层的所述上部外部光遮蔽部件具有不大于50nm的厚度。
13.如权利要求10所述的OLED显示器，其中所述介电层包含以下至少之一:二氧化硅(S12)、二氧化钛(T12)、氟化锂(LiF)、氟化钙(CaF2)、氟化镁(MgF2)、硅氮化物(SiNx)、五氧化二钽(Ta2O5)、五氧化二铌(Nb2O5)、硅碳氮化物(SiCN)、硅氧化物(S1x)、钛氧化物(T1x)、氧化锆(ZrO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钇(Y2O3)、四氟化钍(ThF4)、钇氟化物(YF3)、铝氧化物(AlxOy)、硅氧氮化物(S1xNy)、锆氧氟化物(ZrOxFy)、硅氧氟化物(S1xFy)、铝氧氮化物(AlOxNy)、基于丙烯酸酯的聚合物、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯以及聚对苯二甲酸乙二酯。
14.如权利要求10所述的OLED显示器，其中所述介电层具有不大于Iμ m的厚度。
15.如权利要求1所述的OLED显示器，其中所述第一部分具有不小于40%的透光率，并且所述第二部分具有低于40%的透光率。
16.有机发光二极管(OLED)显示器，其包括: 包括多个像素和多个非像素区域的衬底； 布置在所述像素中的薄膜晶体管； 与所述薄膜晶体管连接并且布置在所述像素中的有机发光元件； 布置在所述有机发光元件的封装部件； 布置在所述封装部件上的防干扰层；以及 布置在所述防干扰层上的外部光遮蔽部件，其中所述外部光遮蔽部件包括布置在所述像素中并且在所述非像素区域中的下部外部光遮蔽部件，以及布置在所述非像素区域中的所述下部外部光遮蔽部件之上并且在所述像素中的所述下部外部光遮蔽部件的凹槽部分之中的上部外部光遮蔽部件， 其中布置在所述像素中的下部外部光遮蔽部件的厚度小于布置在所述非像素区域中的下部外部光遮蔽部件的厚度。
17.如权利要求16所述的OLED显示器，其中所述防干扰层具有不小于Iμ m的厚度。
18.如权利要求17所述的OLED显示器，其中所述防干扰层包括无机膜和有机膜之一。
19.如权利要求18所述的OLED显示器，其中所述防干扰层包含选自以下的至少一种材料:二氧化硅(S12)、二氧化钛(T12)、氟化锂(LiF)、氟化钙(CaF2)、氟化镁(MgF2)、硅氮化物(SiNx)、五氧化二钽(Ta2O5)、五氧化二铌(Nb2O5)、硅碳氮化物(SiCN)、硅氧化物(S1x)、钛氧化物(T1x)、氧化锆(ZrO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钇(Y2O3)、四氟化钍(ThF4)、氟化钇(YF3)、铝氧化物(AlxOy)、硅氧氮化物(S1xNy)、锆氧氟化物(ZrOxFy)、硅氧氟化物(S1xFy)以及铝氧氮化物(AlOxNy)。
20.如权利要求18所述的OLED显示器，其中所述防干扰层包含选自以下的至少一种材料:丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯以及聚对苯二甲酸乙二酯。
【文档编号】H01L27/32GK104241319SQ201410116825
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年3月26日 优先权日:2013年6月18日
【发明者】曺尚焕, 金秀燕, 朴相炫, 赵尹衡, 宋昇勇 申请人:三星显示有限公司