包括辅助电极的有机发光装置制造方法

包括辅助电极的有机发光装置制造方法
【专利摘要】有机发光装置，其包括：衬底；布置在所述衬底上的第一电极；布置在所述第一电极上的第一有机层图案；与所述第一有机层图案交替布置的辅助电极图案，其包括上绝缘层、下绝缘层及布置在其间的辅助电极；布置在所述第一有机层图案和所述辅助电极图案上的发光层；布置在所述发光层上的第二有机层；以及布置在所述第二有机层上的第二电极。
【专利说明】包括辅助电极的有机发光装置
[0001] 相关专利申请的引用
[0002] 本申请要求于2013年6月11日提交的第10-2013-0066793号韩国专利申请的优 先权，该申请的公开内容通过引用整体并入本文。 1.【技术领域】
[0003] 本公开涉及有机发光装置，更具体地，涉及包括辅助电极的有机发光装置。
[0004] 2.相关技术的讨论
[0005] 有机发光装置是利用在施加电压时发射光的材料的装置，并且可以是有益的，因 为其具有高亮度、优异对比度、多色性、广视角、高速响应及低操作电压。
[0006] 有机发光装置具有阳极和阴极之间插入有机发光层的结构。当施加电压时，来自 阳极的空穴和来自阴极的电子被注入有机发光层。注入的空穴和电子可以在有机发光层内 的邻近分子之间产生电子交换，并且向相对的电极移动。此外，当电子和空穴在某一分子中 重耦合时，可以以高激发态形成分子激子。当分子激子返回低能的基态时，其可以发射其自 身特有的光。可以根据所用的有机发光装置的材料和结构来限制在阳极和阴极上施加的电 压，由此，也可以限制有机发光装置的电荷载流子的注入量和发光量。
[0007] 发明简述
[0008] 本发明的示例性实施方案提供了能控制电荷载流子的量且不受装置的材料和结 构影响的有机发光装置。
[0009] 根据本发明的实施方案，提供了有机发光装置，其包括：衬底；布置在所述衬底上 的第一电极；布置在所述第一电极上的第一有机层图案；与所述第一有机层图案交替布置 的辅助电极图案，其包括上绝缘层、下绝缘层及布置在其间的辅助电极；布置在所述第一有 机层图案和所述辅助电极图案上的发光层；布置在所述发光层上的第二有机层；以及布置 在所述第二有机层上的第二电极。
[0010] 所述辅助电极图案可以布置在所述第一电极上。
[0011] 在所述辅助电极图案中，绝缘层还布置在所述辅助电极的侧面上，使得所述辅助 电极布置在所述绝缘层内。
[0012] 所述第二电极包括重叠辅助电极的电极，其与所述辅助电极图案重叠；以及重叠 第一有机层的电极，其与所述第一有机层图案重叠，其中所述重叠辅助电极的电极和重叠 第一有机层的电极彼此绝缘。
[0013] 第一电极可以同第一有机层图案一起形成第一电极-第一有机层图案，其中所述 第一电极-第一有机层图案可以与辅助电极图案交替布置。
[0014] 第一电极-第一有机层图案和辅助电极可以布置在衬底上。
[0015] 第一电极可以为阳极，并且第二电极可以为阴极。此处，第一有机层图案可以包括 选自空穴传输层、空穴注入层以及具有空穴传输和空穴注入的双重功能的层中至少之一， 并且第二有机层可以包括选自电子传输层、电子注入层以及具有电子传输和电子注入的双 重功能的层中至少之一。
[0016] 第一电极可以为阴极，并且第二电极可以为阳极。此处，第一有机层图案可以包括 选自电子传输层、电子注入层以及具有电子传输和电子注入的双重功能的层中至少之一， 并且第二有机层可以包括选自空穴传输层、空穴注入层以及具有空穴传输和空穴注入的双 重功能的层中至少之一。
[0017] 根据本发明的实施方案，提供了有机发光装置，其包括：衬底；布置在所述衬底上 的第一电极；布置在所述第一电极上的第一有机层图案；布置在所述第一有机层图案上的 发光层；布置在所述发光层上的第二有机层；与所述第二有机层交替布置的辅助电极图 案，其包括上绝缘层和布置在其中的辅助电极；以及布置在所述第二有机层上的第二电极。
[0018] 所述第二电极包括重叠辅助电极的电极，其与所述辅助电极图案重叠；以及重叠 第二有机层的电极，其与所述第二有机层重叠，其中所述重叠辅助电极的电极和重叠第二 有机层的电极彼此绝缘。
[0019] 所述第二电极同所述第二有机层一起形成第二电极-第二有机层,其中所述第二 电极-第二有机层可以与辅助电极图案交替布置。
[0020] 第一电极可以为阳极，并且第二电极可以为阴极。在此，第一有机层图案可以包括 选自空穴传输层、空穴注入层以及具有空穴传输和空穴注入的双重功能的层中至少之一， 并且第二有机层可以包括选自电子传输层、电子注入层以及具有电子传输和电子注入的双 重功能的层中至少之一。
[0021] 第一电极可以为阴极，并且第二电极可以为阳极。此处，第一有机层图案可以包括 电子传输层、电子注入层、具有电子传输和电子输入功能的层或它们中的至少两个层，并且 所述第二有机层可以包括空穴传输层、空穴注入层以及具有空穴传输或空穴注入的双重功 能的层，或者它们中至少两个层。
[0022]绝缘层可以包括以下的氧化物膜或氮化物膜：81、八1、1^、11、21'或13、聚（甲基丙 烯酸甲酯）（PMMA)、聚酰亚胺（PI)、聚乙烯吡咯烷酮（PVP)、聚醚砜（PES)、聚苯乙烯（ PS)、聚 (酯酰胺）（PEA)，或他们的组合。
[0023]可以通过例如使用诸如氧化铟锡（IT0)、氧化铟锌（IZ0)、氧化锌（ Zn0)、铝掺杂的 氧化锌（ΑΖ0)、氧化铟（In2〇3)、氧化锡（Sn〇2)、氧化镓铟锡 （Gno)、氧化镓铟锌（GIZ〇)、氧化 镓锌（GZ0)和/或氧化氟锡（pro)的透明导电氧化物；诸如锂 （Li)、镁（Mg)、铝（A1)、招-锂 (Al-Li)、妈（Ca)、镁-铟（Mg-In)、镁-银（Mg-Ag)、金（Au)、银（Ag)、钚（Pu)和镍（Ni)、铬 (Cr)、钛（Ti)或铜（Cu)的金属；诸如碳纳米管和富勒烯的碳导电纳米管；诸如硅 （Si)、磷 化铟（InP)和氮化镓（GaN)的半导电材料；或者诸如聚乙炔、聚亚甲基乙炔、聚吡咯、聚亚苯 基、聚噻吩、聚C3-烷基-噻吩）的导电聚合物或他们的组合来形成辅助电极。此外，绝缘 层和辅助电极可以分别由透明材料组成。 t〇〇24] 附图简述
[0025]根据以下详细描述并结合附图能更详细地了解本发明的示例性实施方案，其中：
[0026] 图1为本发明示例性实施方案的有机发光装置的横截面示意图；
[0027] 图2为本发明示例性实施方案的有机发光装置的横截面示意图；
[0028] 图3为本发明示例性实施方案的有机发光装置的横截面示意图；
[0029] 图4为本发明示例性实施方案的有机发光装置的横截面示意图；
[0030]图5为本发明示例性实施方案的有机发光装置的横截面示意图；
[0031]图6为本发明示例性实施方案的有机发光装置的横截面示意图；以及 [0032]图7为本发明示例性实施方案的有机发光装置的横截面示意图。
[0033]本发明示例性实施方案的详述
[0034]现详细地参考示例性实施方案，所述实施方案的实例在附图中示出，并且相同的 标号在全文指代相同的元件。对此，本发明的示例性实施方案可以具有不同的形式且不应 解释为受限于本文所示的描述。
[0035]图1为本发明示例性实施方案的有机发光装置100的横截面示意图。
[0036]有机发光装置100包括例如：衬底101 ;第一电极111 ;第一有机层图案131 ;辅助 电极图案12〇 ;发光层I33 ;第二有机层1：35 ;以及第二电极141，其以该顺序依次形成。 [0037]所使用的衬底101可以例如为用于常规有机发光装置的任何衬底。可以通过例如 使用具有优异机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、易于操作性和防水性的玻璃或透 明塑料来制备衬底101。例如，在实施方案中，衬底101可以由塑料材料形成，所述塑料材料 例如聚对苯二甲酸乙二酯（PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯（p EN)、聚碳酸酯（PC)、聚烯丙基化 物（polyallylate)、聚醚酰亚胺（PEI)、聚醚砜（PES)或聚酰亚胺。或者，衬底1〇1可由不 透明材料形成，所述不透明材料例如硅或不锈钢。
[0038]在所述衬底101的顶部上形成第一电极111。第一电极m可以例如为阳极或者 具有相对高功函的材料。可以通过使用例如透明导电氧化物形成第一电极ιη，所述透明 导电氧化物例如氧化铟锡（IT0)、氧化铟锌（ΙΖ0)、氧化锌（ZnO)、铝掺杂的氧化锌（AZ0)、氧 化铟（Ιη 203)或氧化锡（Sn02)、氧化镓铟锡（GIT0)、氧化镓铟锌（GIZ0)、氧化镓锌（GZ0)和 /或氧化氟锡（FT0)，但本发明的示例性实施方案不限于此。第一电极^可以通过例如沉 积法或溉射法形成。
[0039]在第一电极111的顶部上例如交替地形成辅助电极图案120和第一有机层图案 131。辅助电极图案120例如以多个彼此分开的图案的形式来形成，并且第一有机层图案 131布置在多个辅助电极图案120之间。
[0040] 辅助电极图案120和第一电极层图案131可以通过例如常规光刻构图、压印、剥离 法（lift-off process)等形成。例如，第一有机层图案131可以通过剥离法形成，所述剥离 法包括首先形成辅助电极图案120,在辅助电极122上形成额外的层图案，和在衬底的整个 表面上形成第一有机层，以及除去所述额外的层图案。或者，第一有机层图案131可以通过 例如除形成辅助电极图案120之外的使用荫罩的气相沉积而形成。此外，第一有机层图案 131可以通过例如使用具有在其上形成的图案的模具来压印第一有机层材料而形成。
[0041] 辅助电极图案12〇包括例如插入上绝缘层121b和下绝缘层121a之间的辅助电极 122。
[0042] 下绝缘层121a和上绝缘层121b可以包括例如：无机材料，诸如硅（Si)、铝（A1)、 铪（Hf)、钛（Ti)、锆（Zr)或钽（Ta)的氧化物膜或氮化物膜；有机材料，诸如聚（甲基丙烯 酸甲酯）（PMMA)、聚酰亚胺（PI)、聚乙烯吡咯烷酮（PVP)、聚醚砜（PES)、聚苯乙烯（PS)、聚 (酯酰胺）（PEA)、聚丙烯酸酯（PAR)、聚醚酰亚胺（PEI)、聚萘二甲酸二乙醇酯（PEN)、聚对苯 二甲酸乙二酯（PET)、聚苯硫醚（PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺、聚碳酸酯（PC)、三醋酸纤 维素（TAC)和醋酸丙酸纤维素（CAP);或它们的组合。
[0043] 下绝缘层121a和上绝缘层121b可以例如通过化学气相沉积（CVD)、等离子体增 强化学气相沉积（PECVD)、溅射、旋涂、压印、喷墨等形成。下绝缘层12la和上绝缘层121b 的厚度可以例如为约lnm至约1 μ m，但本发明的示例性实施方案不限于此。下绝缘层ma 和上绝缘层121b可以增加辅助电极122和第二电极141之间的绝缘性。
[0044] 例如，辅助电极122可以包括：透明导电氧化物，例如氧化铟锡（IT〇)、氧化铟锌 (ΙΖ0)、氧化锌（ΖηΟ)、铝掺杂的氧化锌（ΑΖ0)、氧化铟（Ιη2〇3)和氧化锡（Sn〇 2)、氧化镓铟锡 (GIT0)、氧化镓铟锌（GIZ0)、氧化镓锌（GZ0)和/或氧化氟锡（FT0);金属，例如锂（Li)、镁 (Mg)、铝（A1)、铝-锂（Al-Li)、钙（Ca)、镁-铟（Mg-In)、镁-银（Mg-Ag)、金（Au)、银（Ag)、 钚（Pu)和镍（Ni);碳导电纳米管，例如碳纳米管和富勒烯；以及半导电材料，例如硅（Si)、 磷化铟（InP)和氮化镓（GaN) ;或导电聚合物，例如聚乙炔、聚亚甲基乙炔、聚吡咯、聚亚苯 基、聚噻吩、聚（3-烷基-噻吩），或他们的组合。在此，当辅助电极122通过使用诸如Au、 Ag、Pu和Ni的金属或半导体材料形成时，该辅助电极122可以例如以纳米线形式制备。
[0045] 辅助电极122可以例如通过CVD、PECVD、溅射、旋涂、压印、喷墨等形成。辅助电极 122的厚度可以例如为约lnm至约1 μ m,但本发明的示例性实施方案不限于此。
[0046] 当下绝缘层121a和上绝缘层121b与辅助电极U2均由透明材料形成时，可以防 止辅助电极122阻滞从发光层133发射的光，由此防止发光面积的减少。
[0047] 可以根据所用的有机发光装置的材料和结构来限制在阳极和阴极上施加的电压， 由此，也可以限制有机发光装置的发光量。然而，在本发明实施方案的有机发光装置100 中，通过控制辅助电极122的电压，可以扩展或减少与辅助电极I22邻近的第一有机层图案 131内的耗尽层，因此，能控制在有机发光装置100内移动的电荷载流子（例如，当第一电极 111为阴极时为电子，并且当第一电极111为阳极时为空穴）的量，由此还能控制装置的发 光量。
[0048] 此外，当在有机发光装置100的辅助电极122与第一有机层图案131之间形成肖 特基势垒时，能通过向辅助电极122施加比肖特基势垒的阈电压更低的电压且还通过控制 电荷载流子的量来防止漏电流，由此也能控制发光性。
[0049] 当第一电极111为阳极时，第一有机层图案131可以包括例如下述的图案：空穴注 入层、空穴传输层、具有空穴传输和空穴注入的双重功能的层，或它们中的至少两个层。可 以例如通过真空沉积法、旋涂法、浇铸法、LB法等来形成空穴注入层、空穴传输层或空穴功 能层。
[0050] 在空穴注入层中使用的化合物的实例包括：酞菁化合物，例如铜酞菁、 DNTPD (N，Ν' -二苯基-N，Ν' -双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基）-苯基]-联苯-4, 4，-二胺、 m_MTDATA(4, 4'，4' ' -三（3-甲基苯基苯基氨基）三苯胺）、TDATA(4, 4'，4' ' -三（Ν，Ν-二 苯基氨基）三苯胺）、2T-NATA(4,4'，4'' -三{N，-(2-萘基）-N-苯基氨基}-三苯胺）、 PED0T/PSS (聚（3, 4-乙烯二氧噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸酯））、Pani/DBSA (聚苯胺/十二烷 基苯磺酸）、Pani/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸）或PANI/PSS(聚苯胺/聚（4-苯乙烯磺酸酯）） 等，但示例性实施方案不限于此。空穴注入层的厚度可以例如为约100表至约2,000A,: 但示例性实施方案不限于此。
[0051] 在空穴传输层中使用的化合物的实例可以包括：咔唑衍生物，例如N-苯基咔哇 和聚乙烯基咔唑；基于三苯胺的化合物，例如TPD(N，Ν' -双（3-甲基苯基）-Ν，Ν' -二 苯基-[1,1-联苯]-4, 4' -二胺等、ΝΡΒ(Ν，Ν' -二（卜萘基）-Ν，Ν' -二苯基联苯胺、 TCTA(4, 4'，4"-三（N-咔唑基）三苯胺等，但示例性实施方案不限于此。空穴传输层的厚 度可以例如为约羞至约2,000 但示例性实施方案不限于此。
[0052]例如，可以形成具有空穴传输和空穴注入的双重功能的空穴功能层，而非空穴注 入层和空穴传输层。空穴功能层可以包括例如至少一种选自空穴注入层材料和空穴传输层 材料的材料。空穴功能层的厚度可以例如为约10:1久至约但示例性实施方案不 限于此。
[0053]辅助电极图案120和第一有机层图案131的高度可以例如分别为约100 ▲至约 3,000 但示例性实施方案不限于此。
[0054]可以在辅助电极图案12〇和第一有机层图案131的顶部上形成发光层（EML) 133。 发光层133可以包括例如至少一种选自已知发光材料的材料。发光层133可以包括例如主 体和掺杂剂。
[0055] 主体的实例包括三（8-喹啉）铝（Alq3)、CBP(4,4'_双（N-咔唑基）_1，1'-联苯）、 聚（正乙烯基咔唑）^1〇、9，1〇-二（萘-2-基）蒽_吣、4,4，，4，，-三（咔唑-9-基）-三 苯胺（TCTA)、1，3, 5-三（N-苯基苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)、3_叔丁基-9, 10-二 (萘-2-基）蒽（TBADN)、联苯乙烯（DSA)、E3或（4, 4' -双（9-咔唑基）-2, 2-二甲基-联 苯（CDBP)等，但示例性实施方案不限于此。
[0056] 可以使用的掺杂剂的实例可以包括公知的掺杂剂。公知的掺杂剂可以为选自荧光 掺杂剂和磷光掺杂剂中至少之一。荧光掺杂剂可以包括包含Ir、Pt、Os、Re、Ti、Zr、Hf或它 们中至少两种的组合的有机金属络合物，但示例性实施方案不限于此。
[0057] 可以使用的公知的红色掺杂剂的实例可以包括八乙基卟啉铂（II) (PtOEP)、 Ir(piq)3(三（2-苯基异喹啉）铱）、Btp2Ir(acac)(双（2-(2，-苯并噻吩基）-吡啶-N，C3'） (乙酰丙酮酸）铱）等，但示例性实施方案不限于此。
[0058] 所使用的公知的绿色掺杂剂的实例可以包括三（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)3)、（双 (2-苯基卩比陡）（乙酰丙酮酸）铱（III) (Ir(ppy)2(acac))、三（2-(4-甲苯基）苯基卩比陡） 铱（11'〇1^^)3)、1〇-(2-苯并噻唑基）-1，1，7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1!1，5!1，11!1-[1]苯 并吡喃并[6, 7,8-ij]_喹嗪-11-酮（C545T)等，但不限于此。
[0059] 可以使用的公知的蓝色掺杂剂的实例可以包括双[3, 5-二氟-2-(2-吡啶基）苯 基](批陡甲酸）铱（ΠΙ) (F2Irpic)、（F2ppy)2Ir (tmd)、Ir (dfppz)3、4, 4,-双（2, 2,-二 苯基乙烯-1-基）联苯（DPVBi)、4, 4' -双[4-(二苯基氨基）苯乙烯基]联苯（DPAVBi)、 2, 5, 8, 11-四-叔丁基二萘嵌苯（TBPe)等，但示例性实施方案不限于此。
[0060] 例如，当发光层133包括主体和掺杂剂时，相对于100重量份的主体，掺杂剂的量 可以通常为约0. 001重量份至约15重量份，但示例性实施方案不限于此。
[0061] 可以通过例如真空沉积法、旋涂法、烧铸法、Langmuir Blodgett (LB)法等来形成 发光层133。发光层133的厚度可以为例如约100晨至约U000 A。例如，在实施方案中， 发光层133的厚度可以为约200 1至约600盖。当发光层I33的厚度在上述范围内时，能 表现出优异的发射性而没有操作电压的显著增加。
[0062] 例如，当发光层133包含磷光掺杂剂时，可以通过真空沉积法、旋涂法、浇铸法、LB 法等在空穴传输层与发光层之间形成空穴阻滞层（HBL)(未示出），从而防止空穴扩散入电 子传输层。
[0063] 可以用于空穴阻滞层的化合物的实例可以包括但不限于噁二唑衍生物、三唑衍生 物或菲咯啉衍生物等。例如，BCP可以用作空穴阻滞层的材料。空穴阻滞层（未示出）的 厚度可以为例如约50 A至约例如，在实施方案中，空穴阻滞层的厚度可以为约 _ A至约I
[0064]在发光层133的顶部上形成第二有机层135。第二有机层135可以包括例如以下 的图案：电子注入层、电子传输层、具有电子传输和电子注入的双重功能的层、或它们中的 至少两个层。
[0065]用于电子传输层的化合物的实施例包括已知的化合物，例如Alq3、2, 9-二甲 基 _4, 7-二苯基-1，10-菲咯琳（BCP)、4, 7-二苯基-1，10-菲咯琳（Bphen)、3-(4_ 联 苯基）-4_苯基-5_叔丁基苯基-1，2, 4-三唾（TAZ)、4_(萘-1-基）-3, 5-二苯 基-4H-1, 2, 4-三唑（NTAZ)、tBu-PBD (2- (4-联苯基）-5- (4-叔丁基苯基）-1，3, 4-噁二唑、 双（2-甲基-8-喹琳-N1，08)-(1，Γ-联苯-4-基）错（BAlq)、双（苯并喹琳-10-基）铍 (Bebq 2)、9, 10-二（萘-2-基）蒽（ADN)等，但示例性实施方案不限于此。
[0066]可以通过例如真空沉积法或旋涂法、浇铸法等来形成电子传输层。电子传输层的 厚度可以为例如约彳〇〇 A至约1，〇〇〇 A。
[0067]可以用于电子注入层的材料的实例可以包括例如，8-羟基-喹啉锂（LiQ)、氟化 锂（LiF)、氧化锂（Li20)、氯化钠（NaCl)、氟化钠（NaF)、氟化钾（KF)、氟化铷（RbF)、氟化铯 (CsF)、氟化纺（FrF)、氟化铍（BeF 2)、氟化镁（MgF2)、氟化钙（CaF2)、氟化锶（SrF2)、氧化钡 (BaO)、氟化钡（BaF 2)和氟化镭（RaF2)等，但示例性实施方案不限于此。
[0068]当在电子传输层中时，电子注入层可以通过例如真空沉积法来形成。电子注入层 的厚度可以例如为约1 A至约100
[0069]此外，例如可以用电子传输层和电子注入层同时替代具有电子传输和电子注入的 双重功能的电子功能层。
[0070]在第二有机层135的顶部上形成第二电极141。可以通过例如使用具有低功函 的金属、合金、导电化合物或其组合来形成第二电极141。第二电极141可以由例如Li、镁 (Mg)、铝（A1)、铝-锂（Al-Li)、钙（Ca)、镁-铟（Mg-In)、镁-银（Mg-Ag)等形成。此外， 第二电极141可以形成为多种变体，包括使用以下的传输电极：氧化铟锡 （IT0)、氧化铟锌 (ΙΖ0)、氧化锌（ΖηΟ)、铝掺杂的氧化锌（ΑΖ0)、氧化铟（Ιη2〇 3)、氧化锡（Sn〇2)、氧化镓铟锡 (GIT0)、氧化镓铟锌（GIZ0)、氧化镓锌（GZ0)和/或氧化氟锡（FT0)。
[0071] 任选地，第一电极111可以为阴极。当第一电极111为阴极时，第一电极ill可以 包括例如具有低功函的材料。在该情况下，可以通过使用例如招（A1)、钠（Na)、钾（K)、f5 (Ca)、镁（Mg)或钼铝（MoAl)来形成第一电极111，但示例性实施方案不限于此。
[0072] 当第一电极111为阴极时，第一有机层图案131可以包括例如下述的图案：电子注 入层、电子传输层、具有电子传输和电子注入的双重功能的层，或它们中的至少两个层。此 夕卜，第二有机层135可以包括例如以下的图案：空穴注入层、空穴传输层以及具有空穴注入 和空穴传输的双重功能的层，或它们中的至少两个层。
[0073]图2为本发明示例性实施方案的有机发光装置200的横截面示意图。下文将阐述 在图2的有机发，装置200与图1的有机发光装置100之间的主要差异。
[0074]图2所示的有机发光装置200与图1所示的有机发光装置100的不同之处在于辅 助电极222存在于绝缘层221之内。对于本发明实施方案的有机发光装置2〇〇,不存在肖 特基结，因为辅助电极222存在于绝缘层221之内，由此在第一有机层图案231与辅助电极 222之间不存在接触。当在上述实施方案中时，注入发光层 133的电荷的量可以根据向辅助 电极222施加的电压而增加或降低，因为通过使用经由第一有机层图案 131的电场而诱导 的电荷能选择性改变第一有机层图案131中的电荷迁移率。在本发明的实施方案中，辅助 电极222的厚度可以例如为约lnm至约丨μ m，并且辅助电极图案22〇的厚度可以例如为约 lnm 至约 1 μ m。
[0075]图3为本发明示例性实施方案的有机发光装置30〇的横截面示意图。下文将阐述 在图3的有机发光装置300与图2的有机发光装置2〇〇之间的主要差异。图3所示的有机 发光装置300与图2所示的有机发光装置 200不同之处在于有机发光装置3〇〇的第二电极 341包括多个彼此绝缘的子电极。参考图 3,有机发光装置3〇〇的第二电极341包括例如： 重叠辅助电极的电极341a，其与辅助电极222重叠；以及重叠第一有机层的电极 341b，其与 第一有机层图案231重叠。此处，重叠辅助电极的电极34i a和重叠第一有机层的电极341b 彼此绝缘。在有机发光装置300中，可以通过向重叠辅助电极的电极341&施加比重叠第一 有机层的电极341b更大的电压（以绝对值计）来抵消由辅助电极222降低的第二电极341 与第一电极111之间的电势差。
[0076]此外，尽管图3的有机发光装置300的辅助电极222存在于绝缘层221之内，但辅 助电极可以存在于绝缘层的顶部，如同在有机发光装置100的情形那样。
[0077]图4为本发明示例性实施方案的有机发光装置400的横截面示意图。下文将阐述 在图4的有机发光装置400与图2的有机发光装置200之间的主要差异。
[0078]图4所示的有机发光装置400与图2所示的有机发光装置200不同之处在于第一 电极411同第一有机层图案331 -起形成第一电极-第一有机层图案41〇,并且布置于辅助 电极图案420之间。在有机发光装置400中，第一电极411的厚度可以例如为约l nm至约 1 μ m，并且弟一有机层图案331的厚度可以例如为约lnm至约1 μ m。参考图4,因为第一电 极441布置在辅助电极图案420之间，所以第一电极441与第二电极141之间的距离变得 更短，因此，在第一电极411与第二电极141之间的层上施加的电场变高，由此增加装置的 发光效率。此外，在本实施方案中，辅助电极442布置在绝缘层421之内。
[0079]图5为本发明示例性实施方案的有机发光装置5〇〇的横截面示意图。下文将阐述 在图5的有机发光装置500与图2的有机发光装置200之间的主要差异。
[0080]图5所示的有机发光装置500与图2所示的有机发光装置200不同之处在于辅助 电极图案520与第二有机层535交替地布置在发射层133与第二电极141之间，并在第一 电极111和发光层133之间不形成图案。在有机发光装置 5〇〇中，布置在发光层133与第 二电极141之间的辅助电极图案520能控制电荷载流子的量，所述电荷载流子通过与图1 至4中的有机发光装置1〇〇、200、 3〇0和400的辅助电极图案120、220和420相同的机制而 在有机发光装置500内移动。即，因为电荷迁移率根据施加在辅助电极522上的电压而变， 所以能通过控制在有机发光装置500中的电荷的量来增加或降低发光量。此外，在本实施 方案中'第一有机层图案531布置在发光层133和第一电极ill之间。此外，辅助电极522 布置在绝缘层521之内。
[0081]图6为本发明不例性实施方案的有机发光装置600的横截面示意图。下文将阐述 在图6的有机发光装置6〇〇与图5的有机发光装置500之间的主要差异。
[0082]图6所示的有机发光装置600与图5所示的有机发光装置500不同之处在于第二 电极341包括多个彼此绝缘的子电极。参考图6,第二电极341包括例如：重叠辅助电极的 电极341a,其与辅助电极522重叠；以及重叠第二有机层的电极 34lb，其与第二有机层图案 535重叠。在此，重叠辅助电极的电极341a和第二有机层 535彼此绝缘。在有机发光装置 600中，可以通过向重叠辅助电极的电极341a施加比重叠第二有机层的电极341b更高的电 压（以绝对值计）来抵消由辅助电极 522降低的第二电极341与第一电极111之间的电势 差。
[0083]图7为本发明示例性实施方案的有机发光装置700的横截面示意图。下文将阐述 在图7的有机发光装置7〇0与图5的有机发光装置500之间的主要差异。
[0084]图7所不的有机发光装置700与图5所示的有机发光装置500不同之处在于第二 电极641同第二有机层635 -起形成第二电极-第二有机层640,并且布置于辅助电极图案 620之间。在有机发光装置700中，第二电极641的厚度可以例如为约l nm至约1 μ m，并且 第二有机层635的厚度可以例如为约lnm至约1 μ m。参考图7,因为第二电极641布置在 辅助电极图案620之间，所以第一电极111与第二电极641之间的距离变得更短，因此，在 第一电极111与第二电极641之间的层上施加的电场变高，由此增加装置的发光效率。此 夕卜，在本实施方案中，辅助电极622布置在绝缘层621之内。
[0085] 在示例性实施方案中，当第一电极为阴极且第二电极为阳极时，第一有机层图案 或第一有机层可以包括电子注入层、电子传输层、具有电子传输和电子注入的双重功能的 电子功能层，或它们中至少两个层的图案。此外，第二有机层可以包括空穴注入层、空穴传 输层、具有空穴传输和空穴注入的双重功能的空穴功能层，或它们中的至少两个层的图案。 [0086] 在本发明实施方案的有机发光装置中，存在多种方法来向辅助电极施加电压以控 制电荷载流子的量，包括连续施加电压且同时有机发光装置发射光的方法、以预定间隔施 加电压的方法、施加预定值的电压的方法、施加变化值的电压的方法等。此外，可以使用负 电压或正电压以用于增加或降低在有机图案层中的电荷迁移率。
[0087] 本发明的示例性实施方案可以用于具有多种结构的有机发光装置，包括例如发射 单色的有机发光装置、发射复合色的有机发光装置或发射白色的有机发光装置。
[0088] 此外，本发明的示例性实施方案可以通过合适的修改而用于例如有机发光装置的 顶发射和两侧发射，以及用于有机发光装置的底发射。
[0089] 已经描述了本发明的示例性实施方案，但还要注意的是，可以在不背离由随附权 利要求的界限所限定的本发明主旨和范围的情况下，可以进行各种修改，这对于本领域技 术人员而目是显而易见的。
【权利要求】
1. 有机发光装置，其包括： 衬底； 布置在所述衬底上的第一电极； 布置在所述第一电极上的第一有机层图案； 与所述第一有机层图案交替布置的辅助电极图案，其包括上绝缘层、下绝缘层和在其 间布置的辅助电极； 布置在所述第一有机层图案和所述辅助电极图案上的发光层； 布置在所述发光层上的第二有机层；以及 布置在所述第二有机层上的第二电极。
2. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述辅助电极图案布置在所述第一电极 上。
3. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中在所述辅助电极图案中，所述绝缘层还布 置在所述辅助电极的侧面上，使得所述辅助电极布置在所述绝缘层之内。
4. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第二电极包括：重叠辅助电极的电极， 其与所述辅助电极图案重叠；以及重叠第一有机层的电极，其与所述第一有机层图案重叠， 其中所述重叠辅助电极的电极和所述重叠第一有机层的电极彼此绝缘。
5. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一电极同所述第一有机层图案构成 第一电极-第一有机层图案，其中所述第一电极-第一有机层图案与所述辅助电极图案交 替布置。
6. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一电极-第一有机层图案和所述辅 助电极图案布置在所述衬底上。
7. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一有机层图案包括选自空穴传输 层、空穴注入层以及具有空穴传输和空穴注入的双重功能的层中至少之一，并且所述第二 有机层包括选自电子传输层、电子注入层以及具有电子传输和电子注入的双重功能的层中 至少之一。
8. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一有机层图案包括选自电子传输 层、电子注入层以及具有电子传输和电子注入的双重功能的层中至少之一，并且所述第二 有机层包括选自空穴传输层、空穴注入层以及具有空穴传输和空穴注入的双重功能的层中 至少之一。
9. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述绝缘层包括选自以下的氧化膜或氮化 物膜中至少之一：硅（Si)、铝（A1)、铪（Hf)、钛（Ti)、锆（Zr)或钽（Ta)、聚（甲基丙烯酸甲 酯）（PMMA)、聚酰亚胺（PI)、聚乙烯吡咯烷酮（PVP)、聚醚砜（PES)、聚苯乙烯（PS)、聚（醚酰 胺）(PEA)。
10. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述辅助电极包含选自以下至少之一：氧 化铟锡（ITO)、氧化铟锌（IZO)、氧化锌（ZnO)、铝掺杂的氧化锌（AZO)、氧化铟（Ιη 203)、氧化 锡（Sn02)、氧化镓铟锡（GIT0)、氧化镓铟锌（GIZ0)、氧化镓锌（GZ0)和/或氧化氟锡（FT0); 锂（Li)、镁（Mg)、铝（A1)、铝-锂（Al-Li)、钙（Ca)、镁-铟（Mg-In)、镁-银（Mg-Ag)、金 (Au)、银（Ag)、钚（Pu)和镍（Ni)、铬（Cr)、钛（Ti)或铜（Cu);碳纳米管和富勒烯；娃（Si)、 磷化铟（InP)和氮化镓（GaN);或诸如聚乙炔、聚亚甲基乙炔、聚吡咯、聚亚苯基、聚噻吩、聚 (3-烷基-噻吩）的导电聚合物，或他们的组合。
11. 如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述绝缘层和所述辅助电极分别由透明 材料组成。
12. 有机发光装置，其包括： 衬底； 布置在所述衬底上的第一电极； 布置在所述第一电极上的第一有机层图案； 布置在所述第一有机层图案上的发光层； 布置在所述发光层上的第二有机层； 与所述第二有机层交替布置的辅助电极图案，其包括绝缘层和布置在其中的辅助电 极；以及 布置在所述第二有机层上的第二电极。
13. 如权利要求12所述的有机发光装置，其中所述第二电极包括：重叠辅助电极的电 极，其与所述辅助电极图案重叠；以及重叠第二有机层的电极，其与所述第二有机层重叠， 其中所述重叠辅助电极的电极和所述重叠第二有机层的电极彼此绝缘。
14. 如权利要求12所述的有机发光装置，其中所述第二电极同所述第二有机层构成第 二电极-第二有机层，其中所述第二电极-第二有机层与所述辅助电极图案交替布置。
15. 如权利要求12所述的有机发光装置，其中所述第一有机层图案包括选自空穴传输 层、空穴注入层以及具有空穴传输和空穴注入的双重功能的层中至少之一，并且所述第二 有机层包括选自电子传输层、电子注入层以及具有电子传输和电子注入的双重功能的层中 至少之一。
16. 如权利要求12所述的有机发光装置，其中所述第一有机层图案包括选自电子传输 层、电子注入层以及具有电子传输和电子注入功能的层中至少之一，并且所述第二有机层 包括选自空穴传输层、空穴注入层以及具有空穴传输和空穴注入的双重功能的层中至少之 〇
17. 有机发光装置，其包括： 衬底； 布置在所述衬底上的第一电极； 布置在所述第一电极上的多个辅助电极图案，其包括上绝缘层、下绝缘层和布置在其 间的辅助电极； 布置在所述多个辅助电极图案之间的第一有机层图案，其中所述第一有机层图案接触 所述辅助电极图案的侧表面； 布置在所述第一有机层图案和所述辅助电极图案的上表面上的发光层； 布置在所述发光层的上表面上的第二有机层；以及 布置在所述第二有机层的上表面上的第二电极。
18. 如权利要求17所述的有机发光装置，其中所述第一有机层图案接触所述辅助电极 图案的所述上绝缘层和所述下绝缘层及所述辅助电极的侧表面。
19. 如权利要求17所述的有机发光装置，其中所述辅助层还形成在所述辅助电极的侧 表面上，使得所述辅助电极布置在所述绝缘层之内，并且其中所述第一有机层图案接触其 中布置所述辅助电极的绝缘层的侧面。
20.如权利要求18所述的有机发光装置，其中所述第一电极布置在所述辅助电极图案 之间且在所述第一有机层图案之下，其中所述第一电极和所述第一有机层图案一起构成第 一电极-第一有机层图案，并且其中所述第一电极-第一有机层图案的第一电极和第一有 机层图案接触其中布置所述辅助电极的绝缘层的侧面。
【文档编号】H01L51/50GK104241537SQ201410202990
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年5月14日 优先权日:2013年6月11日
【发明者】金基棲, 崔大成, 安以峻, 朴源祥 申请人:三星显示有限公司