技术总结
本发明公开了一种AlyInxGa1‑x‑yN薄膜的外延结构及生长方法，自下而上依次包括：衬底、AlN缓冲层、InxGa1‑xN(0≤x≤1)缓冲层、AlyGa1‑yN(0≤y≤1)掩模层和AlyInxGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1)主层，其特征在于：在所述AlyGa1‑yN掩模层中、InxGa1‑xN(0≤x≤1)缓冲层和AlyInxGa1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1)主层之间，设有呈间隔排布、竖向的微孔，在每个微孔的下对应位置的InxGa1‑xN缓冲层中设有一个空腔；微孔的直径小于空腔的直径。本发明是通过一次性在线生长的外延工艺，在衬底与外延材料之间的缓冲层中设计了大量的空腔，这种空腔有两个作用：(1)增加了薄膜柔性，为应力的弛豫提供了变形空间，可以释放AlyInxGa1‑x‑yN薄膜所受到的来自衬底的应力；(2)对于发光器件，空腔增强了界面反射，故可提高光的提取效率。
技术研发人员：全知觉;刘军林;吴小明;江风益
受保护的技术使用者：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
文档号码：201410219231
技术研发日：2014.05.23
技术公布日：2017.01.18