技术总结
本发明公开了一种基于聚合物的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源极、LiF、钝化层1、ITO栅电极1、有机绝缘层PTFE和漏极，所述有机绝缘层上设有ITO栅电极2，所述ITO栅电极1一侧设有钝化层1，所述漏极与有机绝缘层PTFE间设有钝化层2，所述源极与钝化层1间设有LiF薄膜层，所述源极与LiF薄膜层上淀积有Al金属层。本发明利用LiF和Al所产生的偶极子层实现2DEG浓度的部分增加，并利用源场板结构提高器件的击穿电压。
技术研发人员：冯倩;董良;代波;杜锴;陆小力;马晓华;郑雪峰;郝跃
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201410311169
技术研发日：2014.07.02
技术公布日：2017.01.18