技术总结
本发明公开了一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源极、钝化层1、有机绝缘层PTFE、钝化层2，所述有机绝缘层PTFE上依次设有ITO栅电极1和high‑k介质层，所述high‑k介质上设有ITO栅电极2，所述源极与有机绝缘层PTFE之间设有钝化层1，所述漏极与有机绝缘层PTFE之间设有钝化层2。本发明采用浮栅结构俘获电子实现增强型AlGaN/GaN HEMT器件，避免了采用F离子注入引入的晶格损伤以及栅区域干法刻蚀引入的大量界面态。
技术研发人员：冯倩;董良;代波;杜锴;陆小力;马晓华;郑雪峰;郝跃
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201410312271
技术研发日：2014.07.02
技术公布日：2017.01.18