有机发光二极管显示器及其制造方法
【专利摘要】本发明公开一种OLED显示器，该OLED显示器包括基底，该基底具有形成有机发光二极管的像素区域和围绕像素区域的外围区域。监测图案设置在外围区域中并且彼此分开。
【专利说明】有机发光二极管显示器及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明的示例性实施例涉及一种有机发光二极管(0LED)显示器及其制造方法。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(0LED)显示器包括两个电极和设置在它们之间的有机发射层，从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在有机发射层中结合以产生激子，当激子释放能量时执行光发射。
[0003]为了将这种0LED显示器应用到诸如TV的大尺寸显示器，已经增大了 0LED显示器的尺寸，但是当利用精细金属掩膜(FMM)通过真空沉积工艺形成薄膜时，无法容易地制造出用于放大的0LED显示器的大尺寸FMM。因此，已经提出了通过使0LED材料液化来印刷的方法应用于0LED显不器的尺寸放大。
[0004]一般的印刷方法包括狭缝涂覆、喷墨印刷和喷嘴印刷等。在利用诸如印刷方法确定薄膜的厚度和表面轮廓时，无法容易地分析其中堆叠了层的薄膜的表面的复杂形状，因此已经利用重量测量法、薄膜厚度测量法、视觉测量法和透射率测量法等来监测印刷装置中的排放量的控制。然而，重量测量法、视觉测量法和透射率测量法无法得到关于印刷到0LED面板的单元层的信息。
[0005]另外，在作为真空沉积工艺中所使用的薄膜厚度测量方法的椭圆光度法的情况下，适于有机层厚度的光束尺寸是以毫米为单位的，因此不易测量数十至数百微米的像素中的膜厚度，或不易测量表面轮廓。因此，为了得到关于单元层的信息，在基底的外部边缘处需要几微米的监测图案区域，并且作为真空工艺的结果而无法及时确定该厚度，从而如果发生故障，则会花费不期望的长的时间段来解决该故障。
[0006]在本【背景技术】部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明的背景的理解，并且因此其可以包含不构成现有技术的信息。
【发明内容】
[0007]本发明的示例性实施例提供一种能够迅速确定每层薄膜的厚度和轮廓的有机发光二极管(0LED)显示器及其制造方法。
[0008]另外的方面将在下面的描述中部分地进行阐述，部分地通过描述将是清楚的或者可以通过实施本发明而获知。
[0009]本发明的示例性实施例公开一种0LED显示器,该0LED显示器包括:基底,具有形成有机发光二极管的像素区域和围绕像素区域的外围区域；监测图案，形成在外围区域中并且彼此分开。
[0010]本发明的示例性实施例还公开了一种用于制造0LED显示器的方法。所述方法可以包括:在基底的像素区域中形成有机发光二极管并且在围绕像素区域的外围区域中形成监测图案；以及通过将监测图案彼此进行比较来测量形成有机发光二极管的有机发光构件的每层有机薄膜的厚度。
[0011]本发明的示例性实施例还公开了一种OLED显示器,该OLED显示器包括:基底,包括像素区域和围绕像素区域的外围区域；有机发光二极管，设置在像素区域中的基底上；监测图案，形成为彼此分开并且设置在外围区域中，其中，有机发光二极管包括有机发光构件，有机发光构件包括层叠布置的有机薄膜，监测图案中的至少一个由与有机薄膜中的一个薄膜的材料相同的材料制成。
[0012]将要理解的是，所有前述一般描述和以下的详细描述是示例性和解释性的，并且意图提供所请求保护的发明的进一步解释。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]附图示出了本发明的示例性实施例，并与描述一起用于说明本发明的原理，其中，包括附图以提供对本发明的进一步理解，附图包括在本说明书中并构成本说明书的一部分。
[0014]图1是根据本发明的示例性实施例的OLED显示器的等效电路图。
[0015]图2是根据本发明的示例性实施例的OLED显示器的剖视图。
[0016]图3至图7是根据本发明的示例性实施例的OLED显示器的制造工艺的剖视图。
[0017]图8是根据本发明的示例性实施例的OLED显示器的剖视图。
【具体实施方式】
[0018]在下文中将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应当被解释为限制于这里所阐述的示例性实施例。而是，提供这些实施例使得本公开是彻底的，并且这些示例性实施例将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。在附图中同样的附图标记表示同样的元件。
[0019]因此，附图和描述本质上将被认为是说明性的而不是限制性的。为了更好地理解并易于描述，选择性地确定了附图中示出的组件的尺寸和厚度，本发明不限于附图中示出的示例。
[0020]在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。另外，在附图中，为了更好地理解并易于描述，夸大了一些层和区域的厚度。将要理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。将要理解的是，对于本公开的目的来说，“X、Y和Z中的至少一个(种)”可被解释为只有X、只有Y、只有Z，或者X、Y和Z中的两项或更多项的任意组合(例如，XYZ、XYY> TL、ZZ)。
[0021]另外，附图示出了具有6Tr-2Cap结构的有源矩阵(AM)型有机发光二极管(OLED)显示器，在这种结构中，每个像素设置有6个薄膜晶体管TFT和2个电容器，但本发明不限于此。因此，OLED显示器可具有各种结构。例如，OLED显示器的每个像素可设置有多个薄膜晶体管以及一个或更多个电容器，并且还可以形成另外的布线或者可省略现有的布线。最低限度，“像素”是指显示图像的单元，有机发光二极管显示器通过多个像素显示图像。
[0022]图1是根据本发明的示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的等效电路图。在图1中，OLED显示器包括信号线以及连接到信号线并且按矩阵布置的像素。
[0023]信号线包括用于传输栅极信号(或扫描信号)的扫描线121、用于传输数据信号的数据线171以及用于传输驱动电压的驱动电压线172。扫描线121沿行方向延伸并且彼此基本平行。数据线171和驱动电压线172沿列方向延伸并且彼此基本平行。
[0024]每个像素PX包括开关薄膜晶体管Tl、驱动薄膜晶体管T2、存储电容器Cst和有机发光二极管OLED。
[0025]开关薄膜晶体管Tl包括连接到扫描线121的控制端、连接到数据线171的输入端以及连接到驱动薄膜晶体管T2的输出端。开关薄膜晶体管Tl响应于施加到扫描线121的扫描信号，将施加到数据线171的数据信号传输到驱动薄膜晶体管T2。
[0026]驱动薄膜晶体管T2包括连接到开关薄膜晶体管Tl的控制端、连接到用于传输驱动电压ELVDD的驱动电压线172的输入端以及连接到有机发光二极管OLED的输出端。驱动薄膜晶体管T2传输输出电流Id，该输出电流Id的幅值根据施加在驱动薄膜晶体管T2的控制端和输出端之间的电压而改变。
[0027]存储电容器Cst连接在驱动薄膜晶体管T2的控制端和输入端之间。存储电容器Cst被充以施加到驱动薄膜晶体管T2的控制端的数据信号，并且在开关薄膜晶体管Tl截止之后保持数据信号的充入。
[0028]有机发光二极管OLED包括连接到驱动薄膜晶体管T2的输出端的阳极、连接到共电压ELVSS的阴极、以及形成在阳极与阴极之间的有机发光构件。有机发光二极管OLED显示器通过根据驱动薄膜晶体管T2的输出电流Id发射具有不同强度的光来显示图像。
[0029]开关薄膜晶体管Tl和驱动薄膜晶体管T2可以是η-沟道场效应晶体管(FET)或P-沟道FET。另外，可以改变薄膜晶体管Tl、薄膜晶体管Τ2、存储电容器Cst和有机发光二极管OLED之间的连接关系。
[0030]将参照图1和图2对根据本发明的示例性实施例的OLED显示器的结构进行更加详细地描述。
[0031]如图2所示，OLED显示器的基底包括发生光发射的像素区域P以及围绕像素区域P的外围区域D。
[0032]作为开关元件的驱动薄膜晶体管Τ2形成在基底110的像素区域P中。栅极绝缘层140覆盖基底110和驱动薄膜晶体管Τ2。层间绝缘层160和钝化层180按照该顺序覆盖栅极绝缘层140。
[0033]有机发光二极管70形成在像素区域P中，彼此分开的监测图案80形成在外围区域D中。有机发光二极管70发射光，监测图案80不发射光。
[0034]有机发光二极管70包括连接到驱动薄膜晶体管Τ2的第一电极710、设置在第一电极710上的有机发光构件720、以及设置在有机发光构件720上的第二电极730。
[0035]第一电极710可以由诸如ITO或IZO的透明导体形成，由有机层形成的像素限定层350形成在第一电极710上。像素限定层350包括使第一电极710的大部分暴露的开口。
[0036]形成在第一电极710和像素限定层350上的有机发光构件720包括层叠的有机薄膜，这些有机薄膜包括下层有机薄膜721和722、中层有机薄膜723以及上层有机薄膜724和725。中层有机薄膜723可包括发射光的有机发射层723，下层有机薄膜可包括改善发射效率的空穴注入层(HIL) 721和空穴传输层(HTL) 722，上层有机薄膜724和725可包括改善发射效率的电子传输层(ETL) 724和电子注入层(EIL)725。
[0037]在这种情况下，空穴注入层721可全部设置在第一电极710和像素限定层350上，并且可利用印刷方法将空穴传输层722、有机发射层723、电子传输层724和电子注入层725设置在像素限定层350的开口 351中。
[0038]OLED显示器的有机发光构件720可包括空穴注入层721、空穴传输层722、有机发射层723、电子传输层724和电子注入层725，但可以省略空穴注入层721、空穴传输层722、电子传输层724和电子注入层725中的一个。
[0039]第二电极730设置在有机发光构件720的电子注入层(EIL) 725上。第二电极730形成为在整个基底，并且与第一电极710匹配，因此将电流传输到有机发光构件720。
[0040]第一电极710、有机发光构件720和第二电极730形成有机发光二极管70。第一电极710可以是阳极并且第二电极730可以是阴极，或者，第一电极710可以是阴极并且第二电极730可以是阳极。
[0041]监测图案80可包括由与有机薄膜721、722、723、724和725中的至少一个薄膜的材料相同的材料所制成的监测有机薄膜721d、722d、723d、724d和725d。监测有机薄膜721d、722d、723d、724d和725d包括下层监测有机薄膜721d和722d、中层监测有机薄膜723d以及上层监测有机薄膜724d和725d。在这种情况下，下层监测有机薄膜721d和722d包括子下层监测有机薄膜，上层监测有机薄膜724d和725d包括子上层监测有机薄膜。根据示例性实施例的OLED显示器的子下层监测有机薄膜包括第一子下层监测有机薄膜721d和第二子下层监测有机薄膜722d，子上层监测有机薄膜包括第一子上层监测有机薄膜724d和第二子上层监测有机薄膜725d。
[0042]下层监测有机薄膜721d和722d由与下层有机薄膜721和722的材料相同的材料制成，中层监测有机薄膜723d由与中层有机薄膜723的材料相同的材料制成，上层监测有机薄膜724d和725d由与上层有机薄膜724和725的材料相同的材料制成。
[0043]第一子下层监测有机薄膜721d由与空穴注入层721相同材料制成并且与空穴注入层721设置在同一层上。第二子下层监测有机薄膜722d由与空穴传输层722的材料相同的材料制成并且与空穴传输层722设置在同一层上。中层监测有机薄膜723d由有机发射层723的材料相同的材料制成并且与有机发射层723设置在同一层上。第一子上层监测有机薄膜724d由与电子传输层724的材料相同的材料制成并且与电子传输层724设置在同一层上。第二子上层监测有机薄膜725d由与电子注入层725的材料相同的材料制成并且与电子注入层725设置在同一层上。
[0044]外围像素限定层360由与像素限定层350的材料相同的材料制成并且与像素限定层350形成在同一层上。外围像素限定层360形成在外围区域D中，并且外围像素限定层360使监测图案80分开。
[0045]监测图案80可包括下层监测图案81和82、中层监测图案83以及上层监测图案84和85。监测图案80的数量可以比厚度将要被测量的有机薄膜的数量多一个。S卩，形成OLED显示器的有机发光构件的有机薄膜可由包括空穴注入层721、空穴传输层722、有机发射层723、电子传输层724和电子注入层725的总共五个薄膜形成。然而，因为空穴注入层721形成在整个有机发光二极管70上方，所以空穴注入层721会被排除在厚度能够被测量的有机薄膜之外。因此，可以形成五个监测图案81、82、83、84和85，以测量空穴传输层722、有机发射层723、电子传输层724和电子注入层725的厚度。
[0046]下层监测图案81和82包括第一下层监测图案81和第二下层监测图案82。第一下层监测图案81包括由与第一电极710的材料相同的材料制成并且与第一电极710在同一层上的监测电极710d、形成在整个外围像素限定层360上方的第一子下层监测有机薄膜721d、以及覆盖第一子下层监测有机薄膜721d的参考监测电极730d。另外，第二下层监测图案82包括监测电极710d、第一子下层监测有机薄膜721d、形成在外围像素限定层360的开口 361中的第二子下层监测有机薄膜722d以及参考监测电极730d。
[0047]中层监测图案83包括监测电极710d、下层监测有机薄膜721d和722d、中层监测有机薄膜723d以及参考监测电极730。下层监测有机薄膜721d和722d、中层监测有机薄膜723d和参考监测电极730顺序地层叠。
[0048]上层监测图案84和85包括第一上层监测图案84和第二上层监测图案85，第一上层监测图案84包括监测电极710d、下层监测有机薄膜721d和722d、中层监测有机薄膜723d、第一子上层监测有机薄膜724d和参考监测电极730d。下层监测有机薄膜721d和722d、中层监测有机薄膜723d、第一子上层监测有机薄膜724d和参考监测电极730d顺序地层叠。另外，第二上层监测图案85包括监测电极710d、下层监测有机薄膜721d和722d、中层监测有机薄膜723d、第一子上层监测有机薄膜724d、第二子上层监测有机薄膜725d和参考监测电极730d。下层监测有机薄膜721d和722d、中层监测有机薄膜723d、第一子上层监测有机薄膜724d、第二子上层监测有机薄膜725d和参考监测电极730d顺序地层叠。
[0049]如上所述，形成有机发光构件720的有机薄膜721、722、723、724和725形成包括监测有机薄膜721d、722d、723d、724d和725d中的至少一个的监测图案80，使得能够精确地确定每层有机薄膜721、722、723、724和725的厚度和轮廓，其中，监测有机薄膜721d、722d、723d、724d和725d由与有机薄膜721、722、723、724和725的材料相同的材料制成并且与有机薄膜721、722、723、724和725在相同的层上。
[0050]另外，因为利用常压工艺中执行的印刷方法形成监测图案80，所以能够迅速地确定每层有机薄膜721、722、723、724和725的厚度和轮廓。
[0051]现在将参照图3至图7更加详细地描述根据本发明的示例性实施例的OLED显示器的制造方法。
[0052]如图3中所示，在基底110的像素区域P中形成驱动薄膜晶体管T2、第一电极710、像素限定层350和空穴注入层721，并且与此同时，在基底110的外围区域D中形成监测电极710d、外围像素限定层360和第一子下层监测有机薄膜721d。
[0053]如图4中所示，然后，通过利用印刷设备1000的喷嘴1100的印刷方法同时形成空穴传输层722和第二子下层监测有机薄膜722d。
[0054]如图5中所示，然后，利用印刷设备1000的喷嘴1100同时形成有机发射层723和中层监测有机薄膜723d。
[0055]然后，如图6中所不,利用印刷设备1000的喷嘴1100同时形成电子传输层724和第一子上层监测有机薄膜724d。
[0056]如图7中所示，然后，利用印刷设备1000的喷嘴1100同时形成电子注入层725和第二子上层监测有机薄膜725d。
[0057]然后，如图2中所示，在前侧中同时形成第二电极730和参考监测电极730d，使得完成包括第一下层监测图案81、第二下层监测图案82、中层监测图案83、第一上层监测图案84和第二上层监测图案85的监测图案80。
[0058]另外，将监测图案81、82、83、84和85彼此进行比较，以测量形成有机发光二极管70的每层有机薄膜721、722、723、724和725的厚度。例如，利用第二下层监测图案82与中层监测图案83之间的高度差或者利用中层监测图案83与第一上层监测图案84之间的高度差，能够测量有机发射层723的厚度。
[0059]在示例性实施例中，在整个第一电极710和像素限定层350上方形成空穴注入层721，在监测电极710d和外围像素限定层360的整个上方形成第一子下层监测有机薄膜721d。然而，在另一示例性实施例中，可以利用印刷方法在像素限定层350的开口 351中形成空穴注入层721，并且可以利用印刷方法在外围像素限定层360的开口 361中形成第一子下层监测有机薄膜721。
[0060]图8是根据本发明的示例性实施例的OLED显示器的剖视图，并且除了空穴注入层721之外与图2的示例性实施例基本上相同，因此将省略相同的描述。
[0061]如图8中所示，利用印刷方法在像素限定层350的开口 351中形成空穴注入层721，并且利用印刷方法在外围像素限定层360的开口 361中形成第一子下层监测有机薄膜721d。
[0062]监测图案80可包括下层监测图案81和82、中层监测图案83、上层监测图案84和85以及参考监测图案86。
[0063]第一下层监测图案81包括监测电极710d、第一子下层监测有机薄膜721d和参考监测电极730d。第二下层监测图案82包括监测电极710d、第一子下层监测有机薄膜721d、第二子下层监测有机薄膜722d和参考监测电极730d。
[0064]中层监测图案83包括监测电极710d、下层监测有机薄膜721d和722d、中层监测有机薄膜723d和参考监测电极730d。下层监测有机薄膜721d和722d、中层监测有机薄膜723d和参考监测电极730d顺序地层叠。
[0065]上层监测图案84和85包括第一上层监测图案84和第二上层监测图案85。第一上层监测图案84包括监测电极710d、下层监测有机薄膜721d和722d、中层监测有机薄膜723d、第一子上层监测有机薄膜724d和参考监测电极730d。下层监测有机薄膜721d和722d、中层监测有机薄膜723d、第一子上层监测有机薄膜724d和参考监测电极730d顺序地层叠。另外，第二上层监测图案85包括监测电极710d、下层监测有机薄膜721d和722d、中层监测有机薄膜723d、第一子上层监测有机薄膜724d、第二子上层监测有机薄膜725d和参考监测电极730d。下层监测有机薄膜721d和722d、中层监测有机薄膜723d、第一子上层监测有机薄膜724d、第二子上层监测有机薄膜725d和参考监测电极730d顺序地层叠。
[0066]参考监测图案86包括参考监测电极730d，参考监测电极730d由与第二电极730的材料相同的材料制成并且与第二电极730形成在同一层上。
[0067]监测图案80的数量比厚度将要被测量的有机薄膜的数量多一个。即，根据本发明的示例性实施例的形成OLED显示器的有机发光构件的有机薄膜由空穴注入层721、空穴传输层722、有机发射层723、电子传输层724和电子注入层725这五个薄膜形成，因此可以形成六个监测图案81、82、83、84、85和86，以测量五个有机薄膜的厚度。
[0068]例如，可以利用参考监测图案86与第一下层监测图案81之间的高度差来测量空穴注入层721的厚度。
[0069]如所描述的，形成有机发光构件720的有机薄膜721、722、723、724和725中的每层薄膜形成包括监测有机薄膜721d、722d、723d、724d和725d中的至少一个的监测图案80，使得能够精确地确定每层有机薄膜721、722、723、724和725的厚度和轮廓，其中，监测有机薄膜721d、722d、723d、724d和725d由与有机薄膜721、722、723、724和725的材料相同的材料制成并且与有机薄膜721、722、723、724和725在相同的层上。
[0070]根据本发明的示例性实施例的OLED显示器及其制造方法形成包括至少一个监测有机薄膜的监测图案，使得能够精确地确定每层有机薄膜的厚度和轮廓，其中，监测有机薄膜由与形成有机发光构件的每层有机薄膜的材料相同的材料制成并且与该有机薄膜形成在同一层上。
[0071]另外，利用常压工艺中执行的印刷方法形成监测图案，使得能够迅速地确定每层有机薄膜的厚度和轮廓。
[0072]对本领域技术人员来说将显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明做出各种修改和变更。因此，本发明意图覆盖落入本发明的修改和变更，只要这些修改和变更在所附权利要求及其等同物的范围内。
【权利要求】
1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括: 基底，包括像素区域和围绕像素区域的外围区域； 有机发光二极管，设置在像素区域中的基底上；以及 监测图案，形成为彼此分开并且设置在外围区域中。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，有机发光二极管包括: 开关元件，设置在像素区域中； 第一电极，与开关元件连接； 有机发光构件，设置在第一电极上并且包括有机薄膜； 第二电极，设置在有机发光构件上。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，监测图案包括下层监测图案、中层监测图案、上层监测图案和参考监测图案； 有机薄膜包括下层有机薄膜、中层有机薄膜和上层有机薄膜。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，下层监测图案包括由与有机薄膜中的最下面的有机薄膜的材料相同的材料制成的下层监测有机薄膜。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中，中层监测图案包括分别由与下层有机薄膜和中层有机薄膜的材料相同的材料制成的下层监测有机薄膜和中层监测有机薄膜。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，上层监测图案包括分别由与下层有机薄膜、中层有机薄膜和上层有机薄膜的材料相同的材料制成的下层监测有机薄膜、中层监测有机薄膜和上层监测有机薄膜。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中，下层监测有机薄膜包括子下层监测有机薄膜，上层监测有机薄膜包括子上层监测有机薄膜。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括: 像素限定层，设置在像素区域中并且包括暴露第一电极的开口 ；以及 外围像素限定层，设置在外围区域中并且使监测图案分开， 其中，像素限定层和外围像素限定层由相同的材料制成并且设置在同一层上。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，下层有机薄膜和下层监测有机薄膜分别完全覆盖像素限定层和外围像素限定层。
10.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器，其中，参考监测图案包括由与第二电极的材料相同的材料制成并与第二电极设置在同一层上的参考监测电极。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中，下层有机薄膜设置在像素限定层的开口中，下层监测有机薄膜设置在外围像素限定层的开口中。
12.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，监测图案的数量比厚度将要被测量的有机薄膜的数量多一个。
13.一种用于制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括: 在基底的像素区域中形成有机发光二极管，并且通过沉积有机薄膜在基底的外围区域中形成监测图案；以及 通过将监测图案彼此进行比较来测量每层有机薄膜的厚度。
14.根据权利要求13所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法， 其中，同时执行有机发光二极管的形成和监测图案的形成。
15.根据权利要求14所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中，监测图案包括下层监测图案、中层监测图案和上层监测图案； 有机发光二极管包括下层有机薄膜、中层有机薄膜和上层有机薄膜。
16.根据权利要求15所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中， 下层监测图案包括第一下层监测图案和第二下层监测图案； 上层监测图案包括第一上层监测图案和第二上层监测图案。
17.根据权利要求16所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中，下层监测图案包括由与下层有机薄膜的材料相同的材料制成的下层监测有机薄膜。
18.根据权利要求17所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中，中层监测图案包括由与下层有机薄膜的材料相同的材料制成的下层监测有机薄膜和由与中层有机薄膜的材料相同的材料制成的中层监测有机薄膜。
19.根据权利要求18所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法，其中，上层监测图案包括由与下层有机薄膜的材料相同的材料制成的下层监测有机薄膜、由与中层有机薄膜的材料相同的材料制成的中层监测有机薄膜以及由与上层有机薄膜的材料相同的材料制成的上层监测有机薄膜。
20.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括: 基底，包括像素区域和围绕像素区域的外围区域； 有机发光二极管，设置在像素区域中的基底上；以及 监测图案，形成为彼此分开并且设置在外围区域中， 其中，有机发光二极管包括有机发光构件，有机发光构件包括层叠布置的有机薄膜； 监测图案中的至少一个由与有机薄膜中的一个薄膜的材料相同的材料制成。
【文档编号】H01L27/32GK104425551SQ201410323182
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年7月8日 优先权日:2013年9月11日
【发明者】闵卿旭 申请人:三星显示有限公司