一种含铈的烧结钕铁硼磁体及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种含铈的烧结钕铁硼磁体及其制备方法，该含铈的烧结钕铁硼磁体通过熔炼、氢碎、成型、烧结和时效处理得到，含有重量百分比为1～15％的铈，铈主要分布在富稀土相，含铈的烧结钕铁硼磁体的晶粒尺寸为2～6μm，铈在熔炼温度达到1200～1300℃时加入熔炼炉中；优点是铈在熔炼温度达到1200～1300℃时加入熔炼炉中与其他原材料混合，减少熔炼过程中铈的损失，保证大量的铈进入富稀土相，形成富铈相，改善富稀土相与主相边界的分布均匀性，使晶粒变得圆滑，磁体的晶粒细小并且均匀，在保证磁体磁性能的基础上大幅度提高磁体强韧性，使磁体具有较好的力学性能；由于采用大量价格便宜的铈取代价格较贵的镨钕合金，降低了成本。
【专利说明】一种含铈的烧结钕铁硼磁体及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种烧结钕铁硼磁体，尤其是涉及一种含铈的烧结钕铁硼磁体及其制备方法。
【背景技术】
[0002]近年来随着国内稀土永磁产业的迅猛发展，烧结钕铁硼磁体的应用领域不断扩大，对烧结钕铁硼磁体的磁性能与力学性能的要求也越来越高。与此同时，烧结钕铁硼磁体的用量也在不断增加，作为烧结钕铁硼磁体主要成分的镨钕消耗量剧增，镨钕的储量越来越少，价格较贵，由此导致烧结钕铁硼磁体成本较高。为了降低烧结钕铁硼磁体的成本，目前主要采用储量较多且价格便宜的镧铈来取代烧结钕铁硼磁体的镨钕。由于在烧结钕铁硼磁体加入过多镧铈会导致烧结钕铁硼磁体磁性能急剧下降，因此在正常生产中为保证烧结钕铁硼磁体的磁性能，加入的镧铈的量通常较少。
[0003]烧结钕铁硼磁体为脆性材料，其抗弯强度只有250?360MPa，力学性能较差，烧结钕铁硼磁体在加工过程中容易出现开裂、掉渣和缺角等问题，由此降低了磁体的成品率和加工精度，增加了磁体的加工成本。目前提高烧结钕铁硼磁体的力学性能的方法主要是在烧结钕铁硼磁体中添加过渡族金属元素，但是该方法在提高烧结钕铁硼磁体力学性能方面作用比较有限，并不能大幅提高烧结钕铁硼磁体的力学性能。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题之一是提供一种在保证磁体磁性能的基础上，成本较低，且力学性能较好的含铈的烧结钕铁硼磁体。
[0005]本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种含铈的烧结钕铁硼磁体，通过熔炼、氢碎、制粉、成型、烧结和时效处理得到，含有重量百分比为I?15%的铈，所述的铈主要分布在富稀土相，所述的含铈的烧结钕铁硼磁体的晶粒尺寸为2?6μπι，所述的铈在熔炼温度达到1200?1300°C时加入熔炼炉中。
[0006]与现有技术相比，本发明的优点在于将铈在熔炼温度达到1200?1300°C时加入熔炼炉中与其他原材料混合，减少熔炼过程中铈的损失，保证大量的铈进入富稀土相，形成富铈相，改善富稀土相与主相边界的分布均匀性，使晶粒变得圆滑。同时，通过控制磁粉粒径和烧结工艺，使得磁体的晶粒细小并且均匀，减小因铈的加入而引起的磁体磁性能降低；该磁体的抗弯强度可达350?450MPa，提高幅度超过30%，在保证磁体磁性能的基础上大幅度提高磁体强韧性，使磁体具有较好的力学性能；并且本发明中大幅度提高了铈的含量，采用价格便宜的铈取代价格较贵的镨钕合金，降低了成本。
[0007]本发明所要解决的技术问题之二是提供一种含铈的烧结钕铁硼磁体的制备方法，采用该制备方法制备的含铈的烧结钕铁硼磁体，在保证磁体磁性的基础上，成本较低，且力学性能较好。
[0008]本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种含铈的烧结钕铁硼磁体的制备方法，包括以下步骤:
[0009]①熔炼:
[0010]①-1将制备烧结钕铁硼磁体的除铈以外的其他原材料投入到熔炼炉中；
[0011 ] ①-2先对熔炼炉抽真空至真空度达到10Pa，然后向熔炼炉内充入氩气至压力为26 ?29kPa ；
[0012]①-3对熔炼炉加热，在熔炼炉内温度为1200?1300°C时加入铈，在熔炼炉内温度为1400°C?1500°C时浇铸，得到速凝片；
[0013]②氢碎和制粉；
[0014]③成型；
[0015]④烧结和时效处理。
[0016]步骤②中所述的氢碎和制粉工艺具体包括以下步骤:
[0017]②-1将速凝片装入氢碎炉中，在温度540°C?600°C下进行氢碎得到第一粉料；
[0018]②-2将润滑剂加入第一粉料中，混合均匀得到第二粉料；
[0019]②-3将第二粉料放入气流磨中进行处理，得到比表面粒度为1.0?3.0 μ m的第三粉料，将第三粉料搅拌均匀。
[0020]步骤③所述的成型过程具体为:将搅拌均匀的第三粉料在磁场大小为1.2T?3T的磁场中进行压制，压制后经过等静压处理，得到压坯密度为3.9?4.5g/cm3的生坯。
[0021]步骤④中所述的烧结和时效处理具体包括以下步骤:
[0022]④-1将生坯放入烧结炉中并升温，当升温至300°C?940°C时保温3?10小时；
[0023]④-2在980°C?1040°C，真空度高于KT1Pa的条件下烧结5?10小时；
[0024]④-3进行两级时效处理,第一级时效处理温度为860?930°C,时间为I?5小时，第二级时效处理温度为440-600°C，时间为I?5小时。
[0025]与现有技术相比，本发明的优点在于在熔炼过程中采用二次加料，先将制备烧结钕铁硼磁体的除铈以外的其他原材料投入到熔炼炉中进行熔炼，然后在熔炼温度达到1200?1300°C时将铈加入熔炼炉中与其他原材料混合，由此减少熔炼过程中铈的损失，保证了稀土的含量，为生产高抗弯强度磁体打下良好基础。同时，通过控制磁粉粒径和烧结工艺，使得磁体的晶粒细小并且均匀，由此保证最终制备得到的磁体磁性能降低幅度较小，而抗弯强度可达350?450MPa，提高幅度超过30%，本发明的制备方法在保证磁体磁性能的基础上大幅度提高磁体强韧性，使磁体具有较好的力学性能；并且本发明的制备方法中，大幅度提高了铈的含量，采用价格便宜的铈取代价格较贵的镨钕合金，降低了成本；
[0026]当氢碎和制粉工艺具体为:将速凝片在温度540°C?600°C下进行氢碎得到第一粉料；然后将润滑剂加入第一粉料中，混合均匀得到第二粉料；最后将第二粉料放入气流磨中进行处理，得到比表面粒度为1.0?5.0ym的第三粉料时，该粉料粒径细，分布细窄，烧结时更易获得细小均匀的晶粒，有利于提高磁体的磁性能与抗弯强度；
[0027]当烧结和时效处理具体为:先将生坯放入烧结炉中并升温，当升温至300°C?9400C时保温3?10小时；然后在980°C?1040°C，真空度高于KT1Pa的条件下烧结5?10小时；最后进行两级时效处理，第一级时效处理温度为860?930°C，时间为I?5小时，第二级时效处理温度为440-600°C，时间为I?5小时，通过先保温后低温长时间烧结，可抑制晶粒长大，促进主相和富稀土相分布更加均匀，进一步提高磁体的抗弯强度。
【具体实施方式】
[0028]以下结合实施例对本发明作进一步详细描述。
[0029]本发明公开了一种含铈的烧结钕铁硼磁体及其制备方法，该含铈的烧结钕铁硼磁体通过熔炼、氢碎、制粉、成型、烧结和时效处理得到，含有重量百分比为I?15%的铈，铈分布在富稀土相，含铈的烧结钕铁硼磁体的晶粒尺寸为2?6 μ m，铈在熔炼温度达到1200?1300°C时加入熔炼炉中。
[0030]实施例一:一种含铈的烧结钕铁硼磁体，通过熔炼、氢碎、制粉、成型、烧结和时效处理得到，其具体成分及含量如下所示:(PrNd)aCeb(Al, Cu，Nb, Zr，Ti，Co)eFedBe，其中a为17% (重量百分比)，b为14% (重量百分比)，c为2.8% (重量百分比)，d为65.22%(重量百分比)，e为0.98% (重量百分比)。
[0031]本实施例中，铈主要分布在烧结钕铁硼磁体的富稀土相，该含铈的烧结钕铁硼磁体的晶粒尺寸为2?6μπι，铈在熔炼温度达到1250°C时加入熔炼炉中与其他原材料混合。
[0032]本实施例的含铈的烧结钕铁硼磁体的制备方法包括以下步骤:
[0033]①熔炼:
[0034]①-1将制备烧结钕铁硼磁体的除铈以外的其他原材料按照对应的配比投入到熔炼炉中；
[0035]①-2先对熔炼炉抽真空至真空度达到10Pa，然后向熔炼炉内充入氩气至压力为26kPa ；
[0036]①-3对熔炼炉加热，在熔炼炉内温度为1250°C时加入铈，在熔炼炉内温度为1450 0C时浇铸，得到速凝片。
[0037]②氢碎和制粉:
[0038]②-1将速凝片装入氢碎炉中，在温度570°C下进行氢碎得到第一粉料；
[0039]②-2将润滑剂加入第一粉料中，混合均匀得到第二粉料；
[0040]②-3将第二粉料放入气流磨中进行处理，得到比表面粒度为3.0 μ m的第三粉料，将第三粉料搅拌均匀。
[0041]③成型:将搅拌均匀的第三粉料在磁场大小为1.7T的磁场中进行压制，压制后经过等静压处理，得到压坯密度为4.0g/cm3的生坯。
[0042]④烧结和时效处理:
[0043]④-1将生坯放入烧结炉中并升温，当升温至300°C?940°C时保温3?10小时；
[0044]④-2在980°C，真空度高于KT1Pa的条件下烧结10小时；
[0045]④-3进行两级时效处理，第一级时效处理温度为890°C，时间为2小时，第二级时效处理温度为450°C，时间为4小时。
[0046]实施例二:一种含铈的烧结钕铁硼磁体，通过熔炼、氢碎、制粉、成型、烧结和时效处理得到，其具体成分及含量如下所示:(PrNd)aCeb(Al, Cu，Nb, Zr，Ti，Co)eFedBe，其中a为20% (重量百分比)，b为11% (重量百分比)，c为2.2% (重量百分比)，d为65.82%(重量百分比)，e为0.98% (重量百分比)。
[0047]本实施例中，铈分布在烧结钕铁硼磁体的富稀土相，该含铈的烧结钕铁硼磁体的晶粒尺寸为2?6 μ m，铈在熔炼温度达到1250°C时加入熔炼炉中与其他原材料混合。
[0048]本实施例的含铈的烧结钕铁硼磁体的制备方法包括以下步骤:
[0049]①熔炼:
[0050]①-1将制备烧结钕铁硼磁体的除铈以外的其他原材料按照对应的配比投入到熔炼炉中；
[0051]①-2先对熔炼炉抽真空至真空度达到10Pa，然后向熔炼炉内充入氩气至压力为26kPa ；
[0052]①-3对熔炼炉加热，在熔炼炉内温度为1250°C时加入铈，在熔炼炉内温度为1450 0C时浇铸，得到速凝片。
[0053]②氢碎和制粉:
[0054]②-1将速凝片装入氢碎炉中，在温度570°C下进行氢碎得到第一粉料；
[0055]②-2将润滑剂加入第一粉料中，混合均匀得到第二粉料；
[0056]②-3将第二粉料放入气流磨中进行处理，得到比表面粒度为2.5 μ m的第三粉料，将第三粉料搅拌均匀。
[0057]③成型:将搅拌均匀的第三粉料在磁场大小为1.7T的磁场中进行压制，压制后经过等静压处理，得到压坯密度为4.0g/cm3的生坯。
[0058]④烧结和时效处理:
[0059]④-1将生坯放入烧结炉中并升温，当升温至300°C?940°C时保温3?10小时；
[0060]④-2在1000°C，真空度高于KT1Pa的条件下烧结8小时；
[0061]④-3进行两级时效处理，第一级时效处理温度为890°C，时间为2小时，第二级时效处理温度为480°C，时间为4小时。
[0062]实施例三:一种含铈的烧结钕铁硼磁体，通过熔炼、氢碎、制粉、成型、烧结和时效处理得到，其具体成分及含量如下所示:(PrNd)aCeb(Al, Cu，Nb, Zr，Ti，Co)eFedBe，其中a为20 % (重量百分比)，b为11 % (重量百分比)，c为2.1 % (重量百分比)，d为65.92 %(重量百分比)，e为0.98% (重量百分比)。
[0063]本实施例中，铈分布在烧结钕铁硼磁体的富稀土相，该含铈的烧结钕铁硼磁体的晶粒尺寸为2?6 μ m，铈在熔炼温度达到1250°C时加入熔炼炉中与其他原材料混合。
[0064]本实施例的含铈的烧结钕铁硼磁体的制备方法包括以下步骤:
[0065]①熔炼:
[0066]①-1将制备烧结钕铁硼磁体的除铈以外的其他原材料按照对应的配比投入到熔炼炉中；
[0067]①-2先对熔炼炉抽真空至真空度达到lOPa，然后向熔炼炉内充入氩气至压力为26kPa ；
[0068]①-3对熔炼炉加热，在熔炼炉内温度为1250°C时加入铈，在熔炼炉内温度为1450 0C时浇铸，得到速凝片。
[0069]②氢碎和制粉:
[0070]②-1将速凝片装入氢碎炉中，在温度570°C下进行氢碎得到第一粉料；
[0071 ] ②-2将润滑剂加入第一粉料中，混合均匀得到第二粉料；
[0072]②-3将第二粉料放入气流磨中进行处理，得到比表面粒度为2.7 μ m的第三粉料，将第三粉料搅拌均匀。
[0073]③成型:将搅拌均匀的第三粉料在磁场大小为1.7T的磁场中进行压制，压制后经过等静压处理，得到压坯密度为4.0g/cm3的生坯。
[0074]④烧结和时效处理:
[0075]④-1将生坯放入烧结炉中并升温，当升温至300°C?940°C时保温3?10小时；
[0076]④-2在1000°C，真空度高于KT1Pa的条件下烧结8小时；
[0077]④-3进行两级时效处理，第一级时效处理温度为890°C，时间为2小时，第二级时效处理温度为480°C，时间为4小时。
[0078]实施例四:一种含铈的烧结钕铁硼磁体，通过熔炼、氢碎、制粉、成型、烧结和时效处理得到，其具体成分及含量如下所示:(PrNd)aCeb(Al, Cu，Nb, Zr，Ti，Co)eFedBe，其中a为23% (重量百分比)，b为8% (重量百分比)，c为1.9% (重量百分比)，d为66.12% (重量百分比)，e为0.98% (重量百分比)。
[0079]本实施例中，铈分布在烧结钕铁硼磁体的富稀土相，该含铈的烧结钕铁硼磁体的晶粒尺寸为2?6 μ m，铈在熔炼温度达到1250°C时加入熔炼炉中与其他原材料混合。
[0080]本实施例的含铈的烧结钕铁硼磁体的制备方法包括以下步骤:
[0081]①熔炼:
[0082]①-1将制备烧结钕铁硼磁体的除铈以外的其他原材料按照对应的配比投入到熔炼炉中；
[0083]①-2先对熔炼炉抽真空至真空度达到lOPa，然后向熔炼炉内充入氩气至压力为26kPa ；
[0084]①-3对熔炼炉加热，在熔炼炉内温度为1250°C时加入铈，在熔炼炉内温度为1450 0C时浇铸，得到速凝片。
[0085]②氢碎和制粉:
[0086]②-1将速凝片装入氢碎炉中，在温度570°C下进行氢碎得到第一粉料；
[0087]②-2将润滑剂加入第一粉料中，混合均匀得到第二粉料；
[0088]②-3将第二粉料放入气流磨中进行处理，得到比表面粒度为2.5 μ m的第三粉料，将第三粉料搅拌均匀。
[0089]③成型:将搅拌均匀的第三粉料在磁场大小为1.7T的磁场中进行压制，压制后经过等静压处理，得到压坯密度为4.0g/cm3的生坯。
[0090]④烧结和时效处理:
[0091]④-1将生坯放入烧结炉中并升温，当升温至300°C?940°C时保温3?10小时；
[0092]④-2在1010°C，真空度高于KT1Pa的条件下烧结7小时；
[0093]④-3进行两级时效处理，第一级时效处理温度为890°C，时间为2小时，第二级时效处理温度为490°C，时间为4小时。
[0094]实施例五:一种含铈的烧结钕铁硼磁体，通过熔炼、氢碎、制粉、成型、烧结和时效处理得到，其具体成分及含量如下所示:(PrNd)aCeb(Al, Cu，Nb, Zr，Ti，Co)eFedBe，其中a为22% (重量百分比)，b为8% (重量百分比)，c为1.8% (重量百分比)，d为67.22% (重量百分比)，e为0.98% (重量百分比)。
[0095]本实施例中，铈分布在烧结钕铁硼磁体的富稀土相，该含铈的烧结钕铁硼磁体的晶粒尺寸为2?6 μ m，铈在熔炼温度达到1250°C时加入熔炼炉中与其他原材料混合。
[0096]本实施例的含铈的烧结钕铁硼磁体的制备方法包括以下步骤:
[0097]①熔炼:
[0098]①-1将制备烧结钕铁硼磁体的除铈以外的其他原材料按照对应的配比投入到熔炼炉中；
[0099]①-2先对熔炼炉抽真空至真空度达到10Pa，然后向熔炼炉内充入氩气至压力为26kPa ；
[0100]①-3对熔炼炉加热，在熔炼炉内温度为1250°C时加入铈，在熔炼炉内温度为1450 0C时浇铸，得到速凝片。
[0101]②氢碎和制粉:
[0102]②-1将速凝片装入氢碎炉中，在温度570°C下进行氢碎得到第一粉料；
[0103]②-2将润滑剂加入第一粉料中，混合均匀得到第二粉料；
[0104]②-3将第二粉料放入气流磨中进行处理，得到比表面粒度为2.8 μ m的第三粉料，将第三粉料搅拌均匀。
[0105]③成型:将搅拌均匀的第三粉料在磁场大小为1.7T的磁场中进行压制，压制后经过等静压处理，得到压坯密度为4.0g/cm3的生坯。
[0106]④烧结和时效处理:
[0107]④-1将生坯放入烧结炉中并升温，当升温至300°C?940°C时保温3?10小时；
[0108]④-2在1010°C，真空度高于KT1Pa的条件下烧结7小时；
[0109]④-3进行两级时效处理，第一级时效处理温度为890°C，时间为2小时，第二级时效处理温度为490°C，时间为4小时。
[0110]实施例六:一种含铈的烧结钕铁硼磁体，通过熔炼、氢碎、制粉、成型、烧结和时效处理得到，其具体成分及含量如下所示:(PrNd)aCeb(Al, Cu，Nb, Zr，Ti，Co)eFedBe，其中a为24% (重量百分比)，b为7% (重量百分比)，c为1.8% (重量百分比)，d为66.22% (重量百分比)，e为0.98% (重量百分比)。
[0111]本实施例中，铈分布在烧结钕铁硼磁体的富稀土相，该含铈的烧结钕铁硼磁体的晶粒尺寸为2?6 μ m，铈在熔炼温度达到1250°C时加入熔炼炉中与其他原材料混合。
[0112]本实施例的含铈的烧结钕铁硼磁体的制备方法包括以下步骤:
[0113]①熔炼:
[0114]①-1将制备烧结钕铁硼磁体的除铈以外的其他原材料按照对应的配比投入到熔炼炉中；
[0115]①-2先对熔炼炉抽真空至真空度达到lOPa，然后向熔炼炉内充入氩气至压力为26kPa ；
[0116]①-3对熔炼炉加热，在熔炼炉内温度为1250°C时加入铈，在熔炼炉内温度为1450 0C时浇铸，得到速凝片。
[0117]②氢碎和制粉:
[0118]②-1将速凝片装入氢碎炉中，在温度570°C下进行氢碎得到第一粉料；
[0119]②-2将润滑剂加入第一粉料中，混合均匀得到第二粉料；
[0120]②-3将第二粉料放入气流磨中进行处理，得到比表面粒度为2.6 μ m的第三粉料，将第三粉料搅拌均匀。
[0121]③成型:将搅拌均匀的第三粉料在磁场大小为1.7T的磁场中进行压制，压制后经过等静压处理，得到压坯密度为4.0g/cm3的生坯。
[0122]④烧结和时效处理:
[0123]④-1将生坯放入烧结炉中并升温，当升温至300°C?940°C时保温3?10小时；
[0124]④-2在1015°C，真空度高于KT1Pa的条件下烧结7小时；
[0125]④-3进行两级时效处理，第一级时效处理温度为890°C，时间为2小时，第二级时效处理温度为500°C，时间为4小时。
[0126]实施例七:一种含铈的烧结钕铁硼磁体，通过熔炼、氢碎、制粉、成型、烧结和时效处理得到，其具体成分及含量如下所示:(PrNd)aCeb(Al, Cu，Nb, Zr，Ti，Co)eFedBe，其中a为25% (重量百分比)，b为6% (重量百分比)，c为1.8% (重量百分比)，d为66.22% (重量百分比)，e为0.98% (重量百分比)。
[0127]本实施例中，铈分布在烧结钕铁硼磁体的富稀土相，该含铈的烧结钕铁硼磁体的晶粒尺寸为2?6 μ m，铈在熔炼温度达到1250°C时加入熔炼炉中与其他原材料混合。
[0128]本实施例的含铈的烧结钕铁硼磁体的制备方法包括以下步骤:
[0129]①熔炼:
[0130]①-1将制备烧结钕铁硼磁体的除铈以外的其他原材料按照对应的配比投入到熔炼炉中；
[0131]①-2先对熔炼炉抽真空至真空度达到lOPa，然后向熔炼炉内充入氩气至压力为26kPa ；
[0132]①-3对熔炼炉加热，在熔炼炉内温度为1250°C时加入铈，在熔炼炉内温度为1450 0C时浇铸，得到速凝片。
[0133]②氢碎和制粉:
[0134]②-1将速凝片装入氢碎炉中，在温度570°C下进行氢碎得到第一粉料；
[0135]②-2将润滑剂加入第一粉料中，混合均匀得到第二粉料；
[0136]②-3将第二粉料放入气流磨中进行处理，得到比表面粒度为2.8 μ m的第三粉料，将第三粉料搅拌均匀。
[0137]③成型:将搅拌均匀的第三粉料在磁场大小为1.7T的磁场中进行压制，压制后经过等静压处理，得到压坯密度为4.0g/cm3的生坯。
[0138]④烧结和时效处理:
[0139]④-1将生坯放入烧结炉中并升温，当升温至300°C?940°C时保温3?10小时；
[0140]④-2在1025°C，真空度高于KT1Pa的条件下烧结6.5小时；
[0141]④-3进行两级时效处理，第一级时效处理温度为890°C，时间为2小时，第二级时效处理温度为480°C，时间为4小时。
[0142]实施例八:一种含铈的烧结钕铁硼磁体，通过熔炼、氢碎、制粉、成型、烧结和时效处理得到，其具体成分及含量如下所示:(PrNd)aCeb(Al, Cu，Nb, Zr，Ti，Co)eFedBe，其中a为29% (重量百分比)，b为2% (重量百分比)，c为1.2% (重量百分比)，d为66.82% (重量百分比)，e为0.98% (重量百分比)。
[0143]本实施例中，铈分布在烧结钕铁硼磁体的富稀土相，该含铈的烧结钕铁硼磁体的晶粒尺寸为2?6 μ m，铈在熔炼温度达到1250°C时加入熔炼炉中与其他原材料混合。
[0144]本实施例的含铈的烧结钕铁硼磁体的制备方法包括以下步骤:
[0145]①熔炼:
[0146]①-1将制备烧结钕铁硼磁体的除铈以外的其他原材料按照对应的配比投入到熔炼炉中；
[0147]①-2先对熔炼炉抽真空至真空度达到10Pa，然后向熔炼炉内充入氩气至压力为26kPa ；
[0148]①-3对熔炼炉加热，在熔炼炉内温度为1250°C时加入铈，在熔炼炉内温度为1450 0C时浇铸，得到速凝片。
[0149]②氢碎和制粉:
[0150]②-1将速凝片装入氢碎炉中，在温度570°C下进行氢碎得到第一粉料；
[0151]②-2将润滑剂加入第一粉料中，混合均匀得到第二粉料；
[0152]②-3将第二粉料放入气流磨中进行处理，得到比表面粒度为2.5 μ m的第三粉料，将第三粉料搅拌均匀。
[0153]③成型:将搅拌均匀的第三粉料在磁场大小为1.7T的磁场中进行压制，压制后经过等静压处理，得到压坯密度为4.0g/cm3的生坯。
[0154]④烧结和时效处理:
[0155]④-1将生坯放入烧结炉中并升温，当升温至300°C~940°C时保温3~10小时；
[0156]④-2在1035°C，真空度高于KT1Pa的条件下烧结6小时；
[0157]④-3进行两级时效处理，第一级时效处理温度为890°C，时间为2小时，第二级时效处理温度为500°C，时间为4小时。
[0158]采用中国计量院生产的型号为NM-10000H的磁性能测试仪对实施例一至实施例八的含铈的烧结钕铁硼磁体的磁性能进行检测，其中实施例一至实施例八中测试样为圆柱体，其尺寸为Φ 1mm (直径)X 10mm(高度)，测试结果如下表1所示:
[0159]表1实施例一至实施例八的磁性能数据
[0160]
【权利要求】
1.一种含铈的烧结钕铁硼磁体，通过熔炼、氢碎、制粉、成型、烧结和时效处理得到，其特征在于含有重量百分比为I?15%的铈，所述的铈主要分布在富稀土相，所述的含铈的烧结钕铁硼磁体的晶粒尺寸为2?6μπι，所述的铈在熔炼温度达到1200?1300°C时加入熔炼炉中。
2.—种权利要求1所述的含铈的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于包括以下步骤: ①熔炼: ①-1将制备烧结钕铁硼磁体的除铈以外的其他原材料投入到熔炼炉中； ①-2先对熔炼炉抽真空至真空度达到10Pa，然后向熔炼炉内充入氩气至压力为26?29kPa ； ①-3对熔炼炉加热，在熔炼炉内温度为1200?1300°C时加入铈，在熔炼炉内温度为1400°C?1500°C时浇铸，得到速凝片； ②氢碎和制粉； ③成型； ④烧结和时效处理。
3.根据权利要求2所述的一种含铈的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于步骤②中所述的氢碎和制粉工艺具体包括以下步骤: ②-1将速凝片装入氢碎炉中，在温度540°C?600°C下进行氢碎得到第一粉料； ②-2将润滑剂加入第一粉料中，混合均匀得到第二粉料； ②-3将第二粉料放入气流磨中进行处理，得到比表面粒度为1.0?3.0 μ m的第三粉料，将第三粉料搅拌均匀。
4.根据权利要求3所述的一种含铈的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于步骤③所述的成型过程具体为:将搅拌均匀的第三粉料在磁场大小为1.2T?3T的磁场中进行压制，压制后经过等静压处理，得到压坯密度为3.9?4.5g/cm3的生坯。
5.根据权利要求4所述的一种含铈的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于步骤④中所述的烧结和时效处理具体包括以下步骤: ④-1将生坯放入烧结炉中并升温，当升温至300°C?940°C时保温3?10小时； ④-2在980°C?1040°C，真空度高于KT1Pa的条件下烧结5?10小时； ④-3进行两级时效处理，第一级时效处理温度为860?930°C，时间为I?5小时，第二级时效处理温度为440?600°C，时间为I?5小时。
【文档编号】H01F1/057GK104167272SQ201410362419
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年7月28日 优先权日:2014年7月28日
【发明者】侯绍滕, 吕向科, 张民, 丁勇, 周晓庆, 陈丙炎 申请人:宁波韵升股份有限公司, 宁波韵升磁性材料有限公司, 宁波韵升高科磁业有限公司