一种薄膜晶体管的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种薄膜晶体管，涉及场效应晶体管领域，该薄膜晶体管的宽长比较大，有利于提高开态电流。一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，所述源极包括具有开口的环形，沿第一方向所述开口的宽度最大，且所述开口的最大宽度小于所述源极内环沿第一方向上任意两点的最大距离；所述漏极被所述环形包围，且与所述源极不接触；所述漏极与所述源极内环的间隔相同。用于薄膜晶体管、包含该薄膜晶体管的显示面板以及显示装置。
【专利说明】一种薄膜晶体管
【技术领域】
[0001] 本发明涉及场效应晶体管领域，尤其涉及一种薄膜晶体管。
【背景技术】
[0002] TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显不 器）具有反应速度快、对比度高、色彩逼真等特点，占据了绝大部分液晶显示器市场。
[0003] 如图1所示，TFT-IXD的显示面板包括多条栅线11和数据线12,栅线11和数据 线12交叉形成多个显示单元，每个显示单元设置有一个薄膜晶体管20和像素电极13。 TFT-IXD的显示原理为：通过栅线11和数据线12控制每个薄膜晶体管20的开闭，向对应 的像素电极13写入图像信号，以实现显示。实际应用中，为了保证向显示单元的像素电极 即时准确的写入图像信号，薄膜晶体管的开态电流要大，且为了提高显示图像的亮度，显示 单元的开口率要大。而薄膜晶体管沟道的宽长比直接影响薄膜晶体管的开态电流和显示单 兀的开口率。
【权利要求】
1. 一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，其特征在于，所述源极包括具有开口的环 形，沿第一方向所述开口的宽度最大，且所述开口的最大宽度小于所述源极内环沿第一方 向上任意两点的最大距离；所述漏极被所述环形包围，且与所述源极不接触；所述漏极与 所述源极内环的间隔相同。
2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极为具有开口的矩形环或 圆形环。
3. 根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述源极为具有开口的圆形环 的情况下，所述源极还包括位于所述圆形环内部与所述圆形环相连的凸出部。
4. 根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极的形状为所述 源极内环等比缩小的形状。
5. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和漏极的拐角为钝角。
【文档编号】H01L29/06GK104332490SQ201410606296
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年10月27日 优先权日:2014年10月27日
【发明者】王武, 邱海军, 尚飞, 王国磊 申请人:重庆京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司