显示基板及其制作方法、显示装置制造方法

显示基板及其制作方法、显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示领域。其中，显示基板包括：形成在衬底基板上的缓冲金属层的图形；位于形成有所述缓冲金属层的图形的衬底基板上的无机缓冲层；位于所述无机缓冲层上的显示器件；其中，所述缓冲金属层的热膨胀系数在所述无极缓冲层的热膨胀系数和所述基板的热膨胀系数之间。本发明的技术方案能够缓冲基板对无机缓冲层造成的热应力的作用，防止无机缓冲层破裂，并提升显示器件的显示效果。
【专利说明】显示基板及其制作方法、显示装置

【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示领域，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。

【背景技术】
[0002] 近年来，显示器市场发展很快，尤其是平板显示领域，如IXD(液晶显示器）， rop (等离子体显示器），OLED (有机电致发光显示器）等，得到了越来越广泛的应用。
[0003] 但是，液晶显示器、有机电致发光显示器的载体主要采用玻璃基板，玻璃基板具有 脆性、易损坏等缺点，在要求便携化、轻薄化、质轻的移动显示设备领域以及大尺寸显示设 备领域的应用上受到了限制。因此，近年来以柔性基板如塑料基板、金属箔片等代替玻璃基 板制备的柔性显示器件受到了广泛关注，在未来显示领域也将有更广阔的发展空间。
[0004] 有机柔性基板采用的材料主要包括PET (聚对苯二甲酸乙二醇酯）、PI (聚酰亚 胺）、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯）等，这些材料具有较高的温度稳定性、尺寸稳定性和化学 稳定性。PI是耐温等级最高的聚合物材料，且具有良好的化学稳定性和尺寸稳定性，是最有 前途的柔性基板材料。
[0005] 现有技术一般需要在PI基板上制备无机缓冲层（采用SiNx和SiO2等），用以缓冲 PI表面的粗糙度，之后再在无机缓冲层上制备显示器件。但是由于PI的热膨胀系数与无机 缓冲层相差较大（PI的热膨胀系数为16ppm/°C，SiNx和SiO 2的热膨胀系数小于5ppm/°C )， 且无机缓冲层一般需要采用PECVD (等离子体增强化学气相沉积法）高温制备，在高温下 PI层会对无机缓冲层有较大的热应力（压应力），严重时甚至会使无机缓冲层破裂；另外， 采用PECVD制备的无机缓冲层的本征应力也为较大的压应力，这样会使无机缓冲层更易破 裂。
[0006] 现有解决上述问题的方法是通过调整工艺参数，将与PI层接触的无机缓冲层的 本征应力调整为拉应力，即将无机缓冲层制备成结构疏松的膜层，但是调整应力的过程比 较复杂，并且膜层疏松不利于阻隔水汽，因此，现有技术并不能很好的解决无机缓冲层破裂 的问题。


【发明内容】

[0007] 本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够缓 冲基板对无机缓冲层造成的热应力的作用，防止无机缓冲层破裂，并提升显示器件的显示 效果。
[0008] 为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
[0009] 一方面，提供一种显不基板，包括：
[0010] 形成在衬底基板上的缓冲金属层的图形；
[0011] 位于形成有所述缓冲金属层的图形的衬底基板上的无机缓冲层；
[0012] 位于所述无机缓冲层上的显示器件；
[0013] 其中，所述缓冲金属层的热膨胀系数在所述无极缓冲层的热膨胀系数和所述基板 的热膨胀系数之间。
[0014] 进一步地，所述衬底基板为柔性基板。
[0015] 进一步地，所述显示器件包括：
[0016] 利用多晶硅层形成的有源层的图形；
[0017] 栅绝缘层；
[0018] 利用栅金属层形成的栅电极；
[0019] 中间绝缘层；
[0020] 利用源漏金属层形成的源电极和漏电极；
[0021] 包括有第一过孔的钝化层；
[0022] 利用透明导电层形成的像素电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏电极 连接。
[0023] 进一步地，所述缓冲金属层的图形包括所述显示器件的第一电容的第一电极；
[0024] 所述显示基板还包括：
[0025] 利用掺杂或离子注入后的所述多晶硅层形成的所述显示器件的第一电容的第二 电极。
[0026] 进一步地，所述显示基板还包括：
[0027] 利用掺杂或离子注入后的所述多晶硅层形成的所述显示器件的第二电容的第一 电极；
[0028] 利用栅金属层形成的所述显示器件的第二电容的第二电极。
[0029] 进一步地，所述显示基板还包括：
[0030] 贯穿所述钝化层、所述中间绝缘层、所述栅绝缘层和所述无机缓冲层的第二过 孔；
[0031] 利用透明导电层形成的通过所述第二过孔与所述第一电容的第一电极连接的信 号引出线。
[0032] 本发明实施例还提供了 一种显示装置，包括上述的显示基板。
[0033] 本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括：
[0034] 在衬底基板上形成缓冲金属层的图形；
[0035] 在形成有所述缓冲金属层的图形的衬底基板上形成无机缓冲层；
[0036] 在所述无机缓冲层上制备显示器件；
[0037] 其中，所述缓冲金属层的热膨胀系数在所述无极缓冲层的热膨胀系数和所述基板 的热膨胀系数之间。
[0038] 进一步地，所述在衬底基板上形成缓冲金属层的图形之前还包括：
[0039] 对所述衬底基板的表面进行等离子体轰击；或
[0040] 对所述衬底基板的表面进行金属离子注入。
[0041] 进一步地，所述在所述无机缓冲层上制备显示器件包括：
[0042] 在所述无机缓冲层上利用多晶硅层形成有源层的图形；
[0043] 形成栅绝缘层；
[0044] 利用栅金属层形成栅电极；
[0045] 形成中间绝缘层；
[0046] 利用源漏金属层形成源电极和漏电极；
[0047] 形成包括有第一过孔的钝化层；
[0048] 利用透明导电层形成像素电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏电极连 接。
[0049] 进一步地，所述缓冲金属层的图形包括所述显示器件的第一电容的第一电极；
[0050] 利用多晶硅层形成有源层的图形的同时还包括：
[0051] 利用所述多晶硅层形成所述第一电容的第二电极区域；
[0052] 所述利用所述多晶硅层形成所述第一电容的第二电极区域之后还包括：
[0053] 对所述第二电极区域进行掺杂或离子注入形成所述第一电容的第二电极。
[0054] 进一步地，利用多晶硅层形成有源层的图形的同时还包括：
[0055] 利用多晶硅层形成所述显示器件的第二电容的第一电极区域；
[0056] 利用多晶硅层形成所述显示器件的第二电容的第一电极区域之后还包括：对所述 第一电极区域进行掺杂或离子注入形成所述第二电容的第一电极；
[0057] 利用栅金属层形成栅电极的同时还包括：
[0058] 利用栅金属层形成所述第二电容的第二电极。
[0059] 进一步地，所述利用透明导电层形成像素电极之前还包括：
[0060] 形成贯穿所述钝化层、所述中间绝缘层、所述栅绝缘层和所述无机缓冲层的第二 过孔；
[0061] 利用透明导电层形成像素电极的同时还包括：
[0062] 利用透明导电层形成通过所述第二过孔与所述第一电容的第一电极连接的信号 引出线。
[0063] 本发明的实施例具有以下有益效果：
[0064] 上述方案中，在基板上形成无机缓冲层之前，先在衬底基板上形成缓冲金属层的 图形，之后再制备无机缓冲层，并在无机缓冲层上制备显示器件。由于金属的热膨胀系数介 于基板和无机绝缘层之间，并且制备缓冲金属层时的温度较低，不会有较大的热应力，而金 属本征应力多为张应力，能够很好的缓冲热应力，因此可以缓冲基板对无机缓冲层造成的 热应力的作用，防止无机缓冲层破裂；另外，缓冲金属层可以用作显示装置存储电容的下电 极，无机绝缘层用作存储电容的绝缘介质层，这样制备得到的存储电容距离源漏电极和像 素电极较远，能够减低电容耦合的效应，提升显示器件的显示效果。

【专利附图】

【附图说明】
[0065] 图1为本发明实施例在PI基板上制备缓冲金属层的图形后的示意图；
[0066] 图2为本发明实施例制备无机缓冲层和多晶硅层后的示意图；
[0067] 图3为本发明实施例制备TFT结构后的示意图；
[0068] 图4为本发明实施例显示基板的结构示意图。
[0069] 附图标记
[0070] 1玻璃基板 2 PI基板 3缓冲金属层 4无机缓冲层5有源层
[0071] 6附加电容下电极 7存储电容上电极 8栅绝缘层
[0072] 9栅电极 10附加电容上电极 11中间绝缘层
[0073] 12源电极/漏电极 13钝化层 14像素电极 15存储电容
[0074] 16附加电容17信号引出线

【具体实施方式】
[0075] 为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合 附图及具体实施例进行详细描述。
[0076] 本发明的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够缓冲基板对无 机缓冲层造成的热应力的作用，防止无机缓冲层破裂，并提升显示器件的显示效果。
[0077] 本发明实施例提供了一种显示基板，包括：
[0078] 形成在衬底基板上的缓冲金属层的图形；
[0079] 位于形成有所述缓冲金属层的图形的衬底基板上的无机缓冲层；
[0080] 位于所述无机缓冲层上的显示器件；
[0081] 其中，所述缓冲金属层的热膨胀系数在所述无极缓冲层的热膨胀系数和所述基板 的热膨胀系数之间。
[0082] 本发明的显示基板包括位于衬底基板上的缓冲金属层的图形、无机缓冲层、位于 无机缓冲层上的显示器件。由于金属的热膨胀系数介于基板和无机绝缘层之间，并且制备 缓冲金属层时的温度较低，不会有较大的热应力，而金属本征应力多为张应力，能够很好的 缓冲热应力，因此可以缓冲基板对无机缓冲层造成的热应力的作用，防止无机缓冲层破裂； 另外，缓冲金属层可以用作显示装置存储电容的下电极，无机绝缘层用作存储电容的绝缘 介质层，这样制备得到的存储电容距离源漏电极和像素电极较远，能够减低电容耦合的效 应，提升显示器件的显示效果。
[0083] 其中，衬底基板可以为柔性基板，比如PET基板、PI基板、PEN基板等。进一步地， 衬底基板还可以为玻璃基板等硬质基板，因为对于非柔性基板，同样需要在非柔性基板上 形成一层无机缓冲层来阻隔非柔性基板中的金属离子。
[0084] 进一步地，所述显示器件包括：
[0085] 利用多晶硅层形成的有源层的图形；
[0086] 栅绝缘层；
[0087] 利用栅金属层形成的栅电极；
[0088] 中间绝缘层；
[0089] 利用源漏金属层形成的源电极和漏电极；
[0090] 包括有第一过孔的钝化层；
[0091] 利用透明导电层形成的像素电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏电极 连接。
[0092] 进一步地，所述缓冲金属层的图形包括所述显示器件的第一电容的第一电极；
[0093] 所述显示基板还包括：
[0094] 利用掺杂或离子注入后的所述多晶硅层形成的所述显示器件的第一电容的第二 电极。
[0095] 进一步地，所述显示基板还包括：
[0096] 利用掺杂或离子注入后的所述多晶硅层形成的所述显示器件的第二电容的第一 电极；
[0097] 利用栅金属层形成的所述显示器件的第二电容的第二电极。
[0098] 进一步地，所述显示基板还包括：
[0099] 贯穿所述钝化层、所述中间绝缘层、所述栅绝缘层和所述无机缓冲层的第二过 孔；
[0100] 利用透明导电层形成的通过所述第二过孔与所述第一电容的第一电极连接的信 号引出线。
[0101] 本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。所述显示装置 可以为：液晶面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能 的产品或部件。
[0102] 本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括：
[0103] 在衬底基板上形成缓冲金属层的图形；
[0104] 在形成有所述缓冲金属层的图形的衬底基板上形成无机缓冲层；
[0105] 在所述无机缓冲层上制备显示器件；
[0106] 其中，所述缓冲金属层的热膨胀系数在所述无极缓冲层的热膨胀系数和所述基板 的热膨胀系数之间。
[0107] 本发明的制作方法，在基板上形成无机缓冲层之前，先在衬底基板上形成缓冲金 属层的图形，之后再制备无机缓冲层，并在无机缓冲层上制备显示器件。由于金属的热膨胀 系数介于基板和无机绝缘层之间，并且制备缓冲金属层时的温度较低，不会有较大的热应 力，而金属本征应力多为张应力，能够很好的缓冲热应力，因此可以缓冲基板对无机缓冲层 造成的热应力的作用，防止无机缓冲层破裂；另外，缓冲金属层可以用作显示装置存储电容 的下电极，无机绝缘层用作存储电容的绝缘介质层，这样制备得到的存储电容距离源漏电 极和像素电极较远，能够减低电容耦合的效应，提升显示器件的显示效果。
[0108] 其中，衬底基板可以为柔性基板，比如PET基板、PI基板、PEN基板等。进一步地， 衬底基板还可以为玻璃基板等硬质基板，因为对于非柔性基板，同样需要在非柔性基板上 形成一层无机缓冲层来阻隔非柔性基板中的金属离子。
[0109] 进一步地，所述在衬底基板上形成缓冲金属层的图形之前还包括：
[0110] 对所述衬底基板的表面进行等离子体轰击；或
[0111] 对所述衬底基板的表面进行金属离子注入，以达到清洁衬底基板表面的目的。
[0112] 进一步地，所述在所述无机缓冲层上制备显示器件包括：
[0113] 在所述无机缓冲层上利用多晶硅层形成有源层的图形；
[0114] 形成栅绝缘层；
[0115] 利用栅金属层形成栅电极；
[0116] 形成中间绝缘层；
[0117] 利用源漏金属层形成源电极和漏电极；
[0118] 形成包括有第一过孔的钝化层；
[0119] 利用透明导电层形成像素电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏电极连 接。
[0120] 进一步地，所述缓冲金属层的图形包括所述显示器件的第一电容的第一电极；
[0121] 利用多晶硅层形成有源层的图形的同时还包括：
[0122] 利用所述多晶硅层形成所述第一电容的第二电极区域；
[0123] 所述利用所述多晶硅层形成所述第一电容的第二电极区域之后还包括：
[0124] 对所述第二电极区域进行掺杂或离子注入形成所述第一电容的第二电极。
[0125] 上述第一电容可以为显示装置的存储电容，这样缓冲金属层可以用作存储电容的 下电极，无机绝缘层用作存储电容的绝缘介质层，制备得到的存储电容距离源漏电极和像 素电极较远，能够减低电容耦合的效应，提升显示器件的显示效果。
[0126] 进一步地，利用多晶硅层形成有源层的图形的同时还包括：
[0127] 利用多晶硅层形成所述显示器件的第二电容的第一电极区域；
[0128] 利用多晶硅层形成所述显示器件的第二电容的第一电极区域之后还包括：对所述 第一电极区域进行掺杂或离子注入形成所述第二电容的第一电极；
[0129] 利用栅金属层形成栅电极的同时还包括：
[0130] 利用栅金属层形成所述第二电容的第二电极。
[0131] 上述第二电容可以作为显示装置的补偿电容。
[0132] 进一步地，所述利用透明导电层形成像素电极之前还包括：
[0133] 形成贯穿所述钝化层、所述中间绝缘层、所述栅绝缘层和所述无机缓冲层的第二 过孔；
[0134] 利用透明导电层形成像素电极的同时还包括：
[0135] 利用透明导电层形成通过所述第二过孔与所述第一电容的第一电极连接的信号 引出线，信号引出线可以将信号传输至所述第一电极。
[0136] 下面结合附图以及具体的实施例对本发明的显示基板及其制作方法进行进一步 地介绍：
[0137] 本实施例中的衬底基板为柔性的聚酰亚胺基板，本实施例的显示基板的制作方法 具体包括以下步骤：
[0138] 步骤a :如图1所示，在制备了 PI基板2的玻璃基板1上沉积一层缓冲金属层3， 并通过构图工艺形成缓冲金属层3的图形；
[0139] 具体地，可以采用磁控溅射或者热蒸镀的方法在PI基板2上沉积一层厚度为 200-500A的缓冲金属层，为了降低溅射过程对PI基板2的损伤，需要控制溅射功率使其 不要过高。另外为了增加缓冲金属层3与PI基板2的附着力，在沉积缓冲金属层3前，需 要对PI基板2表面进行氩气等离子体轰击，增加 PI基板2表面亲水性；或者对PI基板2 表面进行金属Ni离子注入，同时需要控制轰击强度，能够保证PI基板2表面不被破坏。
[0140] 缓冲金属层的材料可以为Cu, Al，Ag, Mo, Cr, Nd, Ni, Mn, Ti, Ta, W等金属以及这些 金属的合金。缓冲金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti， Mo\Al\Mo等。在缓冲金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形 成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于缓冲金属层3的图 形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留 区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻 蚀掉光刻胶未保留区域的金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成缓冲金属层3的图形，缓冲金 属层3的图形包括存储电容下电极。
[0141] 步骤b :如图2所不，制备无机缓冲层4和非晶娃层，并对非晶娃晶化形成多晶娃 层，并通过构图工艺利用多晶硅层形成有源层5的图形、存储电容上电极区域和附加电容 下电极区域，之后对存储电容上电极区域和附加电容下电极区域进行掺杂分别形成存储电 容上电极7和附加电容下电极6 ;
[0142] 具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD)方法在完成步骤a的PI基 板2上沉积厚度为丨500 ~ 2500 A的无机缓冲层4,无机缓冲层4可以选用氧化物、氮化物 或者氧氮化合物，具体可以为氮化硅/氧化硅的复合膜层。
[0143] 之后可以采用PECVD方法形成厚度为300-700A的非晶硅层，对非晶硅晶化形成 多晶硅层，在多晶硅层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光 刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于有源层5的图形、存储电 容上电极区域和附加电容下电极区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进 行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持 不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的多晶硅层，剥离剩余的光刻胶，形成有 源层5的图形、存储电容上电极区域和附加电容下电极区域，对存储电容上电极区域和附 加电容下电极区域进行掺杂分别形成存储电容上电极7和附加电容下电极6。
[0144] 步骤c :如图3所示，制备TFT结构；
[0145] 可以采用PECVD方法在完成步骤b的PI基板2上沉积厚度为500 ~ 2500 A的栅 绝缘层8,栅绝缘层8可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，具体地，栅绝缘层8可以为 氮化硅/氧化硅复合膜层。
[0146] 之后可以采用溅射或热蒸发的方法沉积厚度约为200 ~ 500A的栅金属层，栅金 属层可以是Cu, Al, Ag, Mo, Cr, Nd, Ni, Mn, Ti, Ta, W等金属以及这些金属的合金，栅金属层 可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο等。在栅金属层 上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光 刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅电极9和附加电容上电极10的图形所在区 域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光 刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻 胶未保留区域的栅金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成栅电极9和附加电容上电极10。
[0147] 采用PECVD方法沉积厚度为4000 ~ 6000 A的中间绝缘层11，中间绝缘层11可 以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，对中间绝缘层11进行刻蚀形成过孔。
[0148] 采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为2000 ~ 4000 A的源 漏金属层，源漏金属层可以是Cu, Al, Ag,Mo, Cr, Nd, Ni,Mn, Ti, Ta, W等金属以及这些金属的 合金。源漏金属层可以是单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo, Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο 等。在源漏金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶 未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于源电极和漏电极12的图形所 在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域 的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉 光刻胶未保留区域的源漏金属层，剥离剩余的光刻胶，形成源电极和漏电极12,源电极和漏 电极12通过过孔与有源层5连接。
[0149] 步骤d :如图4所示，制备钝化层和像素电极。
[0150] 钝化层由PVX和PLN组成，可以采用PECVD方法沉积氧化物、氮化物或者氧氮化合 物形成PVX，沉积有机材料形成PLN，对钝化层进行干刻形成像素电极过孔和信号引出线过 孔。
[0151] 通过溅射或热蒸发的方法沉积厚度约为300 ~ 1500 A的透明导电层，透明导电 层可以是ITO、IZO或者其他的透明金属氧化物，在透明导电层上涂覆一层光刻胶，采用掩 膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶 保留区域对应于像素电极14和信号引出线17的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于 上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留 区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的透明导电层薄 膜，剥离剩余的光刻胶，形成像素电极14和信号引出线17的图形，像素电极14通过像素电 极过孔与漏电极12连接，信号引出线17通过信号引出线过孔与缓冲金属层3的图形连接。
[0152] 图4中，15为经掺杂的多晶硅层的图形7与缓冲金属层3构成的存储电容，16为 经掺杂的多晶硅层的图形6与栅金属层的图形10构成的附加电容，附加电容在电路设计时 可以用为补偿电容。
[0153] 本实施例的制作方法先在聚酰亚胺基板上制备一层缓冲金属层并进行光刻、刻 蚀，形成图形作为存储电容的下电极，之后再在上面制备无机缓冲层，同时无机缓冲层被用 作存储电容的绝缘介质层，然后再在无机缓冲层上制备显示器件。金属的热膨胀系数一般 为10-20ppm/K,介于聚酰亚胺（16ppm/K)与无机绝缘层（SiNx:2.7ppm/K)之间，且制备缓 冲金属层时的温度较低，不会有较大的热应力，而金属本征应力多为张应力，能够起到缓冲 聚酰亚胺基板对无机缓冲层造成的热应力的作用，防止无机缓冲层出现裂痕。另外，存储电 容距离源电极、漏电极和像素电极较远，能够减低电容耦合的效应，提升显示装置的显示效 果。
[0154] 以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员 来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也 应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1. 一种显示基板，其特征在于，包括： 形成在衬底基板上的缓冲金属层的图形； 位于形成有所述缓冲金属层的图形的衬底基板上的无机缓冲层； 位于所述无机缓冲层上的显示器件； 其中，所述缓冲金属层的热膨胀系数在所述无极缓冲层的热膨胀系数和所述基板的热 膨胀系数之间。
2. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述衬底基板为柔性基板。
3. 根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述显示器件包括： 利用多晶硅层形成的有源层的图形； 栅绝缘层； 利用栅金属层形成的栅电极； 中间绝缘层； 利用源漏金属层形成的源电极和漏电极； 包括有第一过孔的钝化层； 利用透明导电层形成的像素电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏电极连 接。
4. 根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述缓冲金属层的图形包括所述显 不器件的第一电容的第一电极； 所述显示基板还包括： 利用掺杂或离子注入后的所述多晶硅层形成的所述显示器件的第一电容的第二电极。
5. 根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括： 利用掺杂或离子注入后的所述多晶硅层形成的所述显示器件的第二电容的第一电 极； 利用栅金属层形成的所述显示器件的第二电容的第二电极。
6. 根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括： 贯穿所述钝化层、所述中间绝缘层、所述栅绝缘层和所述无机缓冲层的第二过孔； 利用透明导电层形成的通过所述第二过孔与所述第一电容的第一电极连接的信号引 出线。
7. -种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的显示基板。
8. -种显示基板的制作方法，其特征在于，包括： 在衬底基板上形成缓冲金属层的图形； 在形成有所述缓冲金属层的图形的衬底基板上形成无机缓冲层； 在所述无机缓冲层上制备显示器件； 其中，所述缓冲金属层的热膨胀系数在所述无极缓冲层的热膨胀系数和所述基板的热 膨胀系数之间。
9. 根据权利要求8所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成 缓冲金属层的图形之前还包括： 对所述衬底基板的表面进行等离子体轰击；或 对所述衬底基板的表面进行金属离子注入。
10. 根据权利要求8所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述无机缓冲层 上制备显示器件包括： 在所述无机缓冲层上利用多晶硅层形成有源层的图形； 形成栅绝缘层； 利用栅金属层形成栅电极； 形成中间绝缘层； 利用源漏金属层形成源电极和漏电极； 形成包括有第一过孔的钝化层； 利用透明导电层形成像素电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述漏电极连接。
11. 根据权利要求10所述的显示基板的制作方法，其特征在于， 所述缓冲金属层的图形包括所述显示器件的第一电容的第一电极； 利用多晶硅层形成有源层的图形的同时还包括： 利用所述多晶硅层形成所述第一电容的第二电极区域； 所述利用所述多晶硅层形成所述第一电容的第二电极区域之后还包括： 对所述第二电极区域进行掺杂或离子注入形成所述第一电容的第二电极。
12. 根据权利要求10所述的显示基板的制作方法，其特征在于， 利用多晶硅层形成有源层的图形的同时还包括： 利用多晶硅层形成所述显示器件的第二电容的第一电极区域； 利用多晶硅层形成所述显示器件的第二电容的第一电极区域之后还包括：对所述第一 电极区域进行掺杂或离子注入形成所述第二电容的第一电极； 利用栅金属层形成栅电极的同时还包括： 利用栅金属层形成所述第二电容的第二电极。
13. 根据权利要求11所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述利用透明导电层 形成像素电极之前还包括： 形成贯穿所述钝化层、所述中间绝缘层、所述栅绝缘层和所述无机缓冲层的第二过 孔； 利用透明导电层形成像素电极的同时还包括： 利用透明导电层形成通过所述第二过孔与所述第一电容的第一电极连接的信号引出 线。
【文档编号】H01L27/12GK104393005SQ201410680601
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2014年11月24日 优先权日:2014年11月24日
【发明者】陈立强, 孙韬, 高涛, 杨静, 许晨 申请人:京东方科技集团股份有限公司