1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、通道层、源极以及漏极，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极，所述通道层设置于所述栅极绝缘层上与所述栅极相对应的位置，所述源极与漏极形成在所述栅极绝缘层与所述通道层上且分别覆盖所述通道层的两端，其特征在于，所述通道层包括三个第二导电率区域与两个第一导电率区域，所述两个第一导电率区域未被所述源极或漏极覆盖并分别位于所述通道层邻近所述源极与漏极的位置，所述三个第二导电率区域包括所述通道层被所述源极与漏极覆盖的两个区域以及所述通道层位于所述两个第一导电率区域之间的区域，两个第一导电率区域的导电率相同，三个第二导电率区域的导电率相同，所述第一导电率区域的导电率低于所述第二导电率区域的导电率。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述两个第一导电率区域的宽度分别为所述通道层的宽度的十分之一。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电率区域的载流子浓度低于所述通道层其它区域的载流子浓度。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电率区域的电阻高于所述通道层其它区域的电阻。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电率区域的电子迁移率低于所述通道层其它区域的电子迁移率。
6.一种薄膜晶体管的制作方法，该方法包括：
提供基板，并在该基板上形成栅极；
在所述基板上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层上依次形成半导体层与第一光阻层；
图案化该第一光阻层以形成正对所述栅极的第一光阻图案；
刻蚀未被所述第一光阻图案覆盖的半导体层以形成通道层；
去除该第一光阻图案两侧的部分以露出部分通道层；
在所述基板上形成覆盖所述栅极绝缘层、通道层以及第一光阻图案的金属层，并在所述金属层上形成第二光阻层；
图案化该第二光阻层以形成第二光阻图案，所述第二光阻图案在所述栅极绝缘层及通道层上的正投影的位置与所述第一光阻图案相隔一预定的距离；
刻蚀未被所述第二光阻图案覆盖的金属层以形成源极与漏极，并露出未被所述源极、漏极以及第一光阻图案覆盖的部分通道层；
对未被所述源极、漏极以及第一光阻图案覆盖的裸露的部分通道层进行降低导电率的处理以形成第一导电率区域，其中被所述源极、漏极以及第一光阻图案覆盖的部分通道层形成第二导电率区域，第一导电率区域的导电率低于第二导电率区域的导电率；以及
去除所述第一光阻图案与第二光阻图案。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该图案化的第一光阻图案是利用一位置正对所述栅极的光罩对该第一光阻层进行曝光显影的方法所形成的，所述光罩具有均匀的透光率，在曝光显影后，所述第一光阻图案具有均匀的厚度。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，通过O2或O3的等离子体对该第一光阻图案进行灰化处理，将该第一光阻图案从厚度与宽度上整体减小，从而该第一光阻图案两侧的部分被去除以露出部分通道层。
9.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该图案化的第一光阻图案是利用一位置正对所述栅极的灰阶光罩对该第一光阻层进行曝光显影的所方法形成厚度不同的阶梯状第一光阻图案，所述灰阶光罩中间位置的透光率比两侧低，在曝光显影后，所述第一光阻图案呈中间厚两侧薄的阶梯状图案。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，通过O2或O3的等离子体对该第一光阻图案进行灰化处理，对该第一光阻图案的厚度进行整体减薄，该第一光阻图案两侧较薄的部分先被去除，而中间较厚的部分被保留，从而通道层的两侧被露出。
11.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，通过等离子体注入、离子注入或载流子注入的方式处理所述第一导电率区域，使该第一导电率区域的载流子浓度降低、电阻增加或电子迁移率降低，以降低所述第一导电率区域的导电率。