一种键合线埋入扇入型封装件及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种键合线埋入扇入型封装件及其制备方法，属于微电子先进封装【技术领域】。所述封装件主要由键合线、芯片、塑封体、金属焊盘和焊球组成，所述芯片由塑封体包围，塑封体内有键合线，键合线一端连接芯片，另一端延伸至塑封体表面，并与塑封体表面的金属焊盘连接，金属焊盘上有焊球。形成该封装件的方法是：芯片焊盘对打芯片焊盘的方法，然后塑封，去掉载体，以及蚀刻掉芯片上表面部分厚度的塑封料，蚀刻后外露导线上，制作金属焊盘结构，最后植球。本发明形成的Bonding wire具有实现焊盘节距缩小的功能，代替常规RDL布线，降低成本。
【专利说明】一种键合线埋入扇入型封装件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及压焊、电镀、植球的工艺改进，具体是一种一种键合线埋入扇入型封装件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]集成电路是信息产业和高新技术的核心，是经济发展的基础，集成电路封装是集成电路技术的主要组成部分。
[0003]对于目前芯片管脚节距大于PCB给与封装的面积，造成管脚无法对接。传统QFN、BGA封装想要实现扇入必须用RDL布线完成，但RDL成本昂贵，而且是原有封装变厚，此发明可以有效舍去RDL层，使得封装成本更低，厚度更薄。相比于MIS封装的扇入功能，此发明有效的缩短了键合线的长度，降低电阻、电感等参数，有效的提升了电性能。
【发明内容】
[0004]对于上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种键合线埋入扇入型封装件及其制备方法，其基于现有工艺基础，是改变传统制造方式的新型结构工艺，不但可以满足超薄的趋势，也可以降低电性能参数，同时大大减少了键合线的有效长度。
[0005]一种键合线埋入扇入型封装件，主要由键合线、芯片、塑封体、金属焊盘和焊球组成，所述芯片由塑封体包围，塑封体内有键合线，键合线一端连接芯片，另一端延伸至塑封体表面，并与塑封体表面的金属焊盘连接，金属焊盘上有焊球。
[0006]键合线可以是金、银、铜、镀钯铜、合金线等。
[0007]金属焊盘可以是钛、铜、镍、金等中的一种。
[0008]金属焊盘上有焊料层。
[0009]焊料层可以是锡、锡铅、锡银、锡铜、锡银铜中的一种。
[0010]一种键合线埋入扇入型封装件的制备方法，其按照以下步骤进行:
[0011]步骤A:准备金属载体。
[0012]金属载体的材料可以是铜、铜合金、铁、铁合金、镲、镲合金等金属材料，优先选择铜或者铜合金材料。金属载体3可以为现有的封装用引线框架。对金属载体进行清洗和预处理，例如用等离子水去油污、灰尘等，以达到清洁的目的。
[0013]步骤B:上芯，芯片与金属载体连接，压焊，键合线连接芯片上表面的一端和另一端。
[0014]步骤C:塑封，塑封体包围芯片和键合线。
[0015]步骤D:去除金属载体。
[0016]步骤E:采用磨削工艺对塑封体减薄，在塑封体表面上露出键合线。
[0017]步骤F:在露出的键合线上采用溅射、蒸镀、化学镀或者电镀等方式制作金属焊盘。
[0018]步骤G:在金属焊盘上采用丝网印刷和电镀等方式，并经回流焊形成焊球，形成键合线埋入扇入型封装件。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1金属载体图；
[0020]图2上芯和压焊剖面图；
[0021]图3塑封后产品剖面图；
[0022]图4蚀刻掉金属载体的塑封体产品剖面图；
[0023]图5减薄塑封体产品示意图；
[0024]图6制作金属焊盘产品剖面图；
[0025]图7植球后产品剖面图。
[0026]图中I代表键合线，2代表芯片，3代表金属载体，4代表塑封体，5代表金属焊盘，6代表焊球。
【具体实施方式】
[0027]下面根据【专利附图】
【附图说明】来对本发明做进一步描述。
[0028]如图7所示，一种键合线埋入扇入型封装件，主要由键合线1、芯片2、塑封体4、金属焊盘5和焊球6组成，所述芯片2由塑封体4包围，塑封体4内有键合线1，键合线I 一端连接芯片2，另一端延伸至塑封体4表面，并与塑封体4表面的金属焊盘5连接，金属焊盘5上有焊球6。
[0029]键合线I可以是金、银、铜、镀钯铜、合金线等。
[0030]金属焊盘5可以是钛、铜、镍、金等中的一种。
[0031 ] 金属焊盘5上有焊料层。
[0032]焊料层可以是锡、锡铅、锡银、锡铜、锡银铜中的一种。
[0033]一种键合线埋入扇入型封装件的制备方法，其按照以下步骤进行:
[0034]步骤A:准备金属载体3，如图1所示。
[0035]金属载体3的材料可以是铜、铜合金、铁、铁合金、镲、镲合金等金属材料，优先选择铜或者铜合金材料。金属载体3可以为现有的封装用引线框架。对金属载体3进行清洗和预处理，例如用等离子水去油污、灰尘等，以达到清洁的目的。
[0036]步骤B:上芯，芯片2与金属载体3连接，压焊，键合线I连接芯片2上表面的一端和另一端，如图2所不。
[0037]步骤C:塑封，塑封体4包围芯片2和键合线1，如图3所示。
[0038]步骤D:去除金属载体3，如图4所示。
[0039]步骤E:采用磨削工艺对塑封体4减薄，在塑封体4表面上露出键合线1，如图5所不O
[0040]步骤F:在露出的键合线I上采用溅射、蒸镀、化学镀或者电镀等方式制作金属焊盘5，如图6所示。
[0041]步骤G:在金属焊盘5上采用丝网印刷和电镀等方式，并经回流焊形成焊球6，形成键合线埋入扇入型封装件，如图7所示。
【权利要求】
1.一种键合线埋入扇入型封装件，其特征在于，所述封装件主要由键合线(1)、芯片(2)、塑封体(4)、金属焊盘(5)和焊球(6)组成，所述芯片(2)由塑封体(4)包围，塑封体(4)内有键合线(1)，键合线⑴一端连接芯片(2)，另一端延伸至塑封体(4)表面，并与塑封体(4)表面的金属焊盘(5)连接，金属焊盘(5)上有焊球(6)。
2.根据权利要求1一种键合线埋入扇入型封装件，其特征在于，所述的键合线(I)是金、银、铜、镀钯铜或者合金线。
3.根据权利要求1一种键合线埋入扇入型封装件，其特征在于，金属焊盘(5)是钛、铜、镍、金中的一种。
4.根据权利要求1一种键合线埋入扇入型封装件，其特征在于，金属焊盘(5)上有焊料层O
5.根据权利要求4一种键合线埋入扇入型封装件，其特征在于，焊料层可以是锡、锡铅、锡银、锡铜、锡银铜中的一种。
6.一种键合线埋入扇入型封装件的制备方法，其特征在于，其按照以下步骤进行: 步骤A:准备金属载体(3); 步骤B:上芯，芯片⑵与金属载体(3)连接，压焊，键合线⑴连接芯片(2)上表面的一端和另一端； 步骤C:塑封，塑封体(4)包围芯片⑵和键合线⑴； 步骤D:去除金属载体(3); 步骤E:采用磨削工艺对塑封体(4)减薄，在塑封体⑷表面上露出键合线⑴；步骤F:在露出的键合线(I)上采用溅射、蒸镀、化学镀或者电镀等方式制作金属焊盘.5 ； 步骤G:在金属焊盘(5)上采用丝网印刷和电镀等方式，并经回流焊形成焊球￠)，形成键合线埋入扇入型封装件。
【文档编号】H01L23/49GK104505384SQ201410843597
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年12月30日 优先权日:2014年12月30日
【发明者】谢天禹, 王虎, 于大全, 夏国峰, 王小龙 申请人:华天科技（西安）有限公司