大功率器件引线框架的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种大功率器件引线框架，它包括呈纵向排列的多个引线框架单元、边带(1)、连筋(2)，所述引线框架单元包括载片区(3)、三个引脚(4)，所述多个纵向排列的引线框架单元通过边带(1)和连筋(2)进行连接，所述其中一个引脚(4)的键合区正表面镀有银层(5)。该大功率器件引线框架焊线时结合力强、塑封时牢固度强。
【专利说明】大功率器件引线框架
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种半导体弓I线框架版，具体涉及一种大功率器件弓I线框架。
【背景技术】
[0002]大功率器件引线框架是制造集成电路半导体元件的基本部件。目前，大功率器件引线框架一般都是裸铜工艺，即引线框架表面没有任何其他的金属镀层，这使得后续焊引线时引线与引线框架之间结合牢固度不好，容易脱落。另外，目前的大功率器件引线框架，其载片区、引脚基本是处于同一平面的，这不利于后续塑封料的塑封，塑封料与引线框架之间易脱落，从而影响成品综合性能。
实用新型内容
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种焊线时结合力强、塑封时牢固度强的大功率器件引线框架。
[0004]本实用新型所采用的技术方案为:
[0005]一种大功率器件引线框架，它包括呈纵向排列的多个引线框架单元、边带、连筋，所述引线框架单元包括载片区、三个引脚，所述多个纵向排列的引线框架单元通过边带和连筋进行连接，其中引脚的尾端部和载片区的一端分别与两边的边带连接，而引线框架单元的中间通过连筋将引脚纵向进行连接，以提高整个引线框架片的共面性，保证成品综合性能。所述三个引脚中其中一个引脚(多数情况下选择两边的引脚之一)的键合区即电焊区正表面镀有银层。所述(所有)引脚所在水平面低于(所有)载片区所在水平面。所述引脚的键合区为折弯处理后形成的V形槽。所述载片区背面的两侧向内设置有小凹槽。
[0006]与现有技术相比，本实用新型具有以下显著优点和有益效果:该大功率器件引线框架的一个引脚的键合区镀银层，这样将对结合度要求高的功能性引线焊接在此引脚上，可以显著提高该引线与引线框架的结合力，保证后续功能正常实施；而只在一个引脚的键合区镀银层，没有对所有引脚进行镀银，在保证功能正常实施的前提下可以有效节省成本。另外，所述引脚所在水平面低于载片区所在水平面、引脚的键合区为折弯处理后形成的V形槽、载片区背面的两侧向内设置有小凹槽，这些都有利于提高该大功率器件引线框架在塑封时的结合力，使得引线框架与塑封材料之间结合力强，牢固度高，不易脱开，从而提高产品综合性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1所示的是本实用新型大功率器件引线框架的结构示意图；
[0008]图2所示的是图1中A部分的放大结构示意图；
[0009]图3所示的是本实用新型大功率器件引线框架的侧视图；
[0010]图4所示的是图1中B部分的放大结构示意图。
[0011]其中:1、边带；2、连筋；3、载片区；4、引脚；5、银层；6、V形槽。【具体实施方式】
[0012]以下结合实施例对本实用新型作进一步具体描述，但不局限于此。
[0013]如图1所示，本实用新型大功率器件引线框架包括呈纵向排列的多个引线框架单元、边带1、连筋2。所述引线框架单元(即图1中A部分，即图2)包括载片区3、三个引脚
4。所述多个纵向排列的引线框架单元通过边带I和连筋2进行连接，其中引脚4的尾端部和载片区3的一端分别与两边的边带I连接，而引线框架单元的中间通过连筋2将引脚4纵向进行连接。所述三个引脚4中左边或右边一个引脚4的键合区即电焊区正表面镀有银层5。所述引脚4所在水平面低于载片区3所在水平面。所述引脚4的键合区为折弯处理后形成的V形槽6 (见图4)。所述载片区背面的两侧向内设置有小凹槽。
[0014]本实用新型的上述实施例是对本实用新型的说明而不能用于限制本实用新型，与本实用新型的权利要求书相当的含义和范围内的任何改变，都应认为是包括在权利要求书的范围内。
【权利要求】
1.一种大功率器件引线框架，包括呈纵向排列的多个引线框架单元、边带(1)、连筋(2)，所述引线框架单元包括载片区(3)、三个引脚(4)，所述多个纵向排列的引线框架单元通过边带(1)和连筋(2)进行连接，其特征在于:所述其中一个引脚(4)的键合区正表面镀有银层(5);所述引脚(4)所在水平 面低于载片区(3)所在水平面；所述引脚(4)的键合区为折弯处理后形成的V形槽(6);所述载片区(3)背面的两侧向内设置有小凹槽。
【文档编号】H01L23/495GK203774306SQ201420207906
【公开日】2014年8月13日 申请日期:2014年4月25日 优先权日:2014年4月25日
【发明者】陈孝龙, 陈明明, 李靖, 商岩冰, 袁浩旭 申请人:宁波华龙电子股份有限公司, 泰州华龙电子有限公司