一种igbt并联母排的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种IGBT并联母排，所述母排设计为四级阶梯，分别为第一级阶梯、第二级阶梯、第三级阶梯和第四级阶梯；所述第一级阶梯的母排上设置有若干个用于连接IGBT和输入电流的紧固件通孔；所述第二级阶梯下方设置有若干个被掏空至母排底部的“U”型凹槽；所述第三级阶梯下方设置有一个“T”型镂空；所述第四级阶梯的母排上设置有四个用于输出电流的紧固件通孔；所述“T”型镂空下方母排厚度为第二级阶梯或者第二级阶梯下方母排厚度的二分之一。本实用新型解决了各IGBT管电流不均衡的问题，避免了IGBT管的烧毁，提高了相应器件或者设备的整体使用性能。
【专利说明】—种IGBT并联母排
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及母排【技术领域】，特别涉及一种能够均流的IGBT并联母排。
【背景技术】
[0002]现有的母排一般为平面形状，在母排使用时，将各IGBT管通过母排上的紧固件通孔固定在母排上，各IGBT管的输入电流则经过母排的同一电流输出端输出。由于各IGBT管的紧固件通孔与母排的电流输出端的距离不同，故与各IGBT管连接的母排部分的电阻阻值是不相等的，所以存在各IGBT管上的电流不均衡的问题，容易造成靠近母排电流输出端的IGBT管过热，严重地，还会导致靠近母排电流输出端的IGBT管烧毁，从而影响相应器件或者设备的整体使用性能。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的在于提供一种IGBT并联母排，旨在解决由于与各IGBT管连接的母排部分的电阻阻值不相等而造成各IGBT管上的电流不均衡的问题。
[0004]本实用新型是这样实现的，一种IGBT并联母排，所述母排设计为四级阶梯，分别为第一级阶梯、第二级阶梯、第三级阶梯和第四级阶梯；
[0005]所述第一级阶梯的母排上设置有若干个用于连接IGBT和输入电流的紧固件通孔；
[0006]所述第二级阶梯下方设置有若干个被掏空至母排底部的“U”型凹槽，所述“U”型凹槽位于相邻的两个所述IGBT之间；
[0007]所述第三级阶梯下方设置有一个“T”型镂空，所述“T”型镂空下方母排的中心位置上设置有用于连接IGBT和输入电流的紧固件通孔，所述“T”型镂空位于母排底部相邻的两个所述“U”型凹槽之间；
[0008]所述第四级阶梯的母排上设置有四个用于输出电流的紧固件通孔；
[0009]所述“T”型镂空下方母排厚度为第二级阶梯或者第二级阶梯下方母排厚度的二分之一，所述第三极阶梯母排厚度为“T”型镂空下方母排厚度和第二级阶梯或者第二级阶梯下方母排厚度的总和。
[0010]进一步地，所述母排的材质为铜或者铝。
[0011]本实用新型的有益效果是:与现有技术相比，本实用新型的IGBT并联母排的四级阶梯设计使与各IGBT管连接的母排部分的电阻阻值都相等，解决了在母排使用过程中，各IGBT管上电流不均衡的问题，避免了 IGBT管的烧毁，提高了相应器件或者设备的整体使用性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型提供的一种IGBT并联母排的整体结构示意图；
[0013]图2为本实用新型提供的IGBT并联母排的俯视图；
[0014]图3为本实用新型提供的IGBT并联母排沿图2的A-A方向的剖面图；
[0015]图4为本实用新型提供的IGBT并联母排上IGBTl和IGBT2的电流流过IGBT并联母排的路径示意图。
【具体实施方式】
[0016]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0017]如图1所示为本实用新型提供的一种IGBT并联母排的结构示意图，图2为本实用新型提供的IGBT并联母排的俯视图，图3为本实用新型提供的IGBT并联母排沿图2的A-A方向的剖面图，结合图1、图2和图3，本实用新型提供的一种IGBT并联母排，其设计为四级阶梯，分别为第一级阶梯1、第二级阶梯2、第三级阶梯3和第四级阶梯4 ；
[0018]第一级阶梯I的母排上设置有若干个用于连接IGBT和输入电流的紧固件通孔5 ；
[0019]第二级阶梯2下方设置有若干个被掏空至母排底部的“U”型凹槽，“U”型凹槽位于相邻的两个所述IGBT之间；
[0020]第三级阶梯3下方设置有一个“T”型镂空，“T”型镂空下方母排的中心位置上设置有用于连接IGBT和输入电流的紧固件通孔5，前述“T”型镂空位于母排底部相邻的两个所述“U”型凹槽之间；
[0021]第四级阶梯4的母排上设置有四个用于输出电流的紧固件通孔；
[0022]上述“T”型镂空下方母排6厚度为第二级阶梯或者第二级阶梯下方母排7厚度的二分之一，上述第三级阶梯母排8厚度为“T”型镂空下方母排6厚度和第二级阶梯或者第二级阶梯下方母排7厚度的总和。
[0023]如图4所示为本实用新型提供的IGBT并联母排上IGBTl和IGBT2的电流流过IGBT并联母排的路径示意图，其中IGBTl上流过IGBT并联母排的电流9是IGBT2上流过IGBT并联母排的电流10和电流11之和；且IGBT2上流过IGBT并联母排的电流10和电流11的大小相等，即为IGBTl上流过IGBT并联母排的电流9的二分之一，第三级阶梯3上流过的电流为IGBTl上流过IGBT并联母排的电流9和IGBT2上流过IGBT并联母排的电流10之和。
[0024]本实用新型实施例中，上述母排的材质可以为铜或者铝。
[0025]本实用新型的一种IGBT并联母排的四级阶梯设计使与各IGBT管连接的母排部分的电阻阻值都相等，解决了在母排使用过程中，各IGBT管上电流不均衡的问题，避免了IGBT管的烧毁，提高了相应器件或者设备的整体使用性能。
[0026]以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质，在本实用新型的精神和原则之内，对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种IGBT并联母排，其特征在于:所述母排设计为四级阶梯，分别为第一级阶梯、第二级阶梯、第三级阶梯和第四级阶梯； 所述第一级阶梯的母排上设置有若干个用于连接IGBT和输入电流的紧固件通孔；所述第二级阶梯下方设置有若干个被掏空至母排底部的“U”型凹槽，所述“U”型凹槽位于相邻的两个所述IGBT之间； 所述第三级阶梯下方设置有一个“T”型镂空，所述“T”型镂空下方母排的中心位置上设置有用于连接IGBT和输入电流的紧固件通孔，所述“T”型镂空位于母排底部相邻的两个所述“U”型凹槽之间； 所述第四级阶梯的母排上设置有四个用于输出电流的紧固件通孔； 所述“T”型镂空下方母排厚度为第二级阶梯或者第二级阶梯下方母排厚度的二分之一，所述第三级阶梯母排厚度为“T”型镂空下方母排厚度和第二级阶梯或者第二级阶梯下方母排厚度的总和。
2.根据权利要求1所述的IGBT并联母排，其特征在于:所述母排的材质为铜或者铝。
【文档编号】H01R25/16GK203942117SQ201420329225
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2014年6月20日 优先权日:2014年6月20日
【发明者】姜朋乔, 刘炳柱, 李发军, 顾志强 申请人:深圳中德世纪新能源有限公司