硅通孔金属柱背面凸块结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种硅通孔金属柱背面凸块结构，包括：硅基板、至少一个硅通孔金属柱和与所述硅通孔金属柱个数相同的金属凸块；所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中，并延伸出所述硅基板背面与所述硅基板背面相距第一预设距离；每个所述金属凸块对应的环包设置在延伸出所述硅基板背面的各所述硅通孔金属柱表面。该方案在硅通孔金属柱本体上，将伸出硅基板背面的部分外围形成可焊接用的金属凸块，这种结构在外界压力下凸块不易变形，产品性能稳定。
【专利说明】硅通孔金属柱背面凸块结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体【技术领域】，尤其涉及一种硅通孔金属柱背面凸块结构。
【背景技术】
[0002]在娃通孔(through silicon via,TSV)工艺的背面凸块(bump)工艺中，常常采用传统bump的工艺,进行背面bump的加工，即娃基板背面凸块与娃通孔金属柱的接触面位于硅基板背面的表面，这种结构在外界压力下凸块很容易变形，致使凸块之间连通，进而导致产品性能失效。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的在于提供一种硅通孔金属柱背面凸块结构。
[0004]本实用新型实施例提供一种硅通孔金属柱背面凸块结构，包括:硅基板、至少一个硅通孔金属柱和与所述硅通孔金属柱个数相同的金属凸块；所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中，并延伸出所述硅基板背面与所述硅基板背面相距第一预设距离；每个所述金属凸块对应的环包设置在延伸出所述硅基板背面的各所述硅通孔金属柱表面。
[0005]本实用新型提供的硅通孔金属柱背面凸块结构，在硅通孔金属柱本体上，将伸出硅基板背面的部分外围形成可焊接用的金属凸块，这种结构在外界压力下凸块不易变形，产品性能稳定。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1为本实用新型提供的一种硅通孔金属柱背面凸块结构的示意图；
[0007]图2为本实用新型提供的又一种硅通孔金属柱背面凸块结构的示意图。
【具体实施方式】
[0008]图1为本实用新型提供的一种硅通孔金属柱背面凸块结构的示意图，如图1所示，该硅通孔金属柱背面凸块结构具体包括:硅基板11、至少一个硅通孔金属柱12和与硅通孔金属柱12个数相同的金属凸块13 ;硅通孔金属柱12设置在硅基板11中，并延伸出硅基板11背面与硅基板11背面相距第一预设距离；每个金属凸块13对应的环包设置在延伸出硅基板11背面的各硅通孔金属柱12表面。
[0009]进一步的，如图2所示，在所述硅基板11背面还设置有隔离层14，且隔离层14的厚度小于第一预设距离，且每个金属凸块13位于隔离层14表面上方，该隔离层14起到隔离硅基板11的作用，同时各硅通孔金属柱12仍然延伸出隔离层14的表面上。
[0010]进一步的，如图2所示，位于硅基板11正面还设置有至少一个顶层凸块15，该顶层凸块15用于多层娃基板互联。
[0011]进一步的，如图2所示，上述硅通孔金属柱12具体为圆柱形结构，且该圆柱形结构的一个底面垂直延伸出硅基板11背面。
[0012]进一步的，如图2所示，金属凸块13具体包括镍层和位于该镍层外的锡层，其中镍层对应环包延伸出硅基板11背面的硅通孔金属柱12的表面；或者，该金属凸块13具体为锡层。
[0013]本实用新型提供的硅通孔金属柱背面凸块结构，在硅通孔金属柱本体上，将伸出硅基板背面的部分外围形成可焊接用的金属凸块，这种结构在外界压力下凸块不易变形，广品性能稳定。
[0014]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
【权利要求】
1.一种硅通孔金属柱背面凸块结构，其特征在于，包括:硅基板、至少一个硅通孔金属柱和与所述硅通孔金属柱个数相同的金属凸块；所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中，并延伸出所述硅基板背面与所述硅基板背面相距第一预设距离；每个所述金属凸块对应的环包设置在延伸出所述硅基板背面的各所述硅通孔金属柱表面。
2.根据权利要求1所述的硅通孔金属柱背面凸块结构，其特征在于，在所述硅基板背面还设置有隔离层，且所述隔离层的厚度小于所述第一预设距离，每个所述金属凸块位于所述隔离层表面上。
3.根据权利要求1所述的硅通孔金属柱背面凸块结构，其特征在于，位于所述硅基板正面还设置有至少一个顶层凸块。
4.根据权利要求1所述的硅通孔金属柱背面凸块结构，其特征在于，所述硅通孔金属柱具体为圆柱形结构，且所述圆柱形结构的一个底面垂直延伸出所述硅基板背面。
5.根据权利要求1所述的硅通孔金属柱背面凸块结构，其特征在于，所述金属凸块包括镍层和位于所述镍层外的锡层，所述镍层对应环包延伸出所述硅基板背面的所述硅通孔金属柱的表面。
6.根据权利要求1-4任一项所述的硅通孔金属柱背面凸块结构，其特征在于，所述金属凸块具体为锡层。
【文档编号】H01L23/488GK204216027SQ201420518588
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年9月10日 优先权日:2014年9月10日
【发明者】丁万春 申请人:南通富士通微电子股份有限公司