技术总结
实施例包括一种装置，该装置包括：第一光伏电池；第一穿硅过孔(TSV)，第一穿硅过孔包括在第一光伏电池中并穿过掺杂的硅衬底的至少一部分，第一TSV包括(a)(ⅰ)第一侧壁，第一侧壁被与掺杂的硅衬底相反地进行掺杂，以及(a)(ⅱ)第一接触部，第一接触部大体上填充第一TSV；以及第二TSV，第二TSV包括在第一光伏电池中并穿过掺杂的硅衬底的至少另一部分，第二TSV包括(b)(ⅰ)第二侧壁，该第二侧壁包括掺杂的硅衬底，以及(b)(ⅱ)第二接触部，第二接触部大体上填充第二TSV；其中，第一接触部和第二接触部均包括大体上透明的导电材料。本文中描述了其它实施例。
技术研发人员：K·弗阿;N·尼迪;C-H·简;W·M·哈菲兹;Y·W·陈
受保护的技术使用者：英特尔公司
文档号码：201480079169
技术研发日：2014.06.27
技术公布日：2017.02.15