1.一种薄膜太阳能电池硫化镉膜层沉积装置，硫化隔膜层沉积装置依次安装的进片腔、高温硒化/硫化腔、硒化/硫化冷却腔、镀膜缓冲腔、电池基片镀膜腔、缓冲出片腔、出片腔内部均设置有带动电池基片移动的滚轮，其特征在于：完成硒化工艺或硒化/硫化工艺后的电池基片在经过镀膜缓冲腔而不暴露在大气中而直接衔接电池基片镀膜腔；电池基片镀膜腔采用磁控溅射沉积硫化镉膜层。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池硫化镉膜层沉积装置，其特征在于：所述的溅射电源采用中频交流电源与平面孪生阴极。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池硫化镉膜层沉积装置，其特征在于：所述的溅射电源采用射频电源，射频电源衔接有射频阻抗调节盒，阴极采用平面阴极。
4.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池硫化镉膜层沉积装置，其特征在于：所述的溅射电源采用直流脉冲电源，阴极采用平面阴极。
5.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池硫化镉膜层沉积装置，其特征在于：所述的进片腔、高温硒化/硫化腔、硒化/硫化冷却腔、镀膜缓冲腔、电池基片镀膜腔、缓冲出片腔、出片腔上面均设置有隔离阀门，镀膜缓冲腔、电池基片镀膜腔、缓冲出片腔的上方均安装有真空泵，镀膜缓冲腔、电池基片镀膜腔、缓冲出片腔均属于真空腔体。
6.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池硫化镉膜层沉积装置，其特征在于：所述的电池基片在硫化隔膜层沉积装置内水平放置。
7.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池硫化镉膜层沉积装置，其特征在于：所述的电池基片在硫化隔膜层沉积装置内垂直放置。
8.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池硫化镉膜层沉积装置，其特征在于：所述的电池基片在硫化隔膜层积装置内与垂直面倾斜放置，倾斜夹角为5度-10度。
9.一种薄膜太阳能电池硫化镉膜层沉积方法，其特征在于：电池基片在硒化/硫化冷却腔完成硒化工艺和硫化工艺进入镀膜缓冲腔，经过高温硒化/硫化腔、硒化/硫化冷却腔之后电池基片产生了铜铟镓硒四元相结晶的电池吸收层，电池吸收层不暴露在大气中，这样不会有氧化反应、水汽吸收或其他 杂质的污染，电池基片通过镀膜缓冲腔进入电池基片镀膜腔，即采用磁控溅射方式来沉积硫化镉膜层，电池吸收层后再覆盖上一层硫化镉膜层，组成了薄膜电池的最关键结构，从而形成了不受污染的P-N结，硫化镉薄膜层沉积完成后基片进入缓冲出片腔，关闭电池基片镀膜腔的隔离阀门，电池基片由缓冲出片腔进入出片腔。
10.根据权利要求9所述的一种薄膜太阳能电池硫化镉膜层沉积方法，其特征在于：镀膜缓冲腔和电池基片镀膜腔在镀膜工艺时为真空状态，真空压力为1mTorr至20mTorr，镀膜缓冲腔连接的硒化/硫化冷却腔可以为真空腔体，也可以为有气体保护的正气压，即1个大气压或大于1个大气压的气体保护腔体，保护气体采用氮气。