1.一种显示装置，其包含：
薄膜晶体管结构，且该薄膜晶体管结构包括沟道层，其中该沟道层包括第一金属氧化物半导体层，且该第一金属氧化物半导体层的组成包含(1)锡与(2)镓、铪和铝中的至少一种。
2.如权利要求1所述的显示装置，其还包含：
基板；
栅极，其位于该基板上；
栅极绝缘层，其位于该基板与该栅极上，
该沟道层位于该栅极绝缘层上并与该栅极对应；以及
源极和漏极，其分别接触该沟道层的两侧并延伸至该栅极绝缘层上。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中该第一金属氧化物半导体层为铟镓锌锡氧化物(IGZTO)。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中在铟镓锌锡氧化物(IGZTO)中，锡与铟的原子比例为1:1至1:1.5，锡与镓的原子比例为1:2至1:2.5，锡与锌的原子比例为1:3至1:4，且锡与氧的原子比例为1:7至1:10。
5.如权利要求3所述的显示装置，其中在铟镓锌锡氧化物(IGZTO)中，锡与铟的原子比例为1:1.2至1:1.4，锡与镓的原子比例为1:2.1至1:2.3，锡与锌的原子比例为1:3.3至1:3.6，且锡与氧的原子比例为1:8至1:9.5。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中该沟道层还包括第二金属氧化物半导体层，其介于该第一金属氧化物半导体层与该栅极绝缘层之间。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中该第二金属氧化物半导体层的组成包含镓、铪和铝中的至少一种。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中该第二金属氧化物半导体层包括铟镓锌氧化物(IGZO)。
9.如权利要求6所述的显示装置，其中该第二金属氧化物半导体层的组成不含镓、铪、或铝。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中该第二金属氧化物半导体层包括铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。
11.如权利要求1所述的显示装置，其中该源极和该漏极的组成含铝、铜、或钛。
12.如权利要求1所述的显示装置，其中该源极和该漏极为Mo/Al/Mo的三层结构、Cu/Ti的双层结构、Cu/Mo的双层结构、Al/Ti的双层结构、或Cu/Ti的双层结构。