光辐射加热刻蚀装置及方法与流程

文档序号:12369866阅读:来源:国知局
技术总结
本发明涉及半导体生产和加工领域。本发明揭示了一种光辐射加热刻蚀装置,通过光辐射对待刻蚀基板进行加热以实施刻蚀工艺,该光辐射加热刻蚀装置设置有刻蚀腔,该光辐射加热刻蚀装置还包括光辐射加热器,刻蚀腔内设置有承载台、冷却系统、进气装置和排放装置,承载台用于放置基板,承载台与冷却系统配合设置以使承载台被冷却系统冷却,进气装置供工艺所需的气体进入刻蚀腔;刻蚀腔与排放装置相连以排出气体;光辐射加热器面向基板并与基板的待刻蚀面相对设置,光辐射加热器照射并加热基板的待刻蚀面。另外,本发明还揭示了一种光辐射加热刻蚀方法。采用本发明提供的技术方案,能够消除传统刻蚀工艺中造成的侧边侵蚀现象,并带来其他有益效果。

技术研发人员:代迎伟;金一诺;王坚;王晖
受保护的技术使用者:盛美半导体设备(上海)有限公司
文档号码:201510243409
技术研发日:2015.05.13
技术公布日:2017.01.04

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