技术总结
本发明涉及一种多晶硅电容及制造方法，其中方法包括：在不掺杂的多晶硅层的底层注入导电杂质，形成多晶硅电容的低阻值的下极板，在不掺杂的多晶硅层的中层注入绝缘杂质，形成多晶硅电容的绝缘介质层，在不掺杂的多晶硅层的上层注入所述导电杂质，形成多晶硅电容的低阻值的上极板，形成多晶硅电容，只需要生成一层多晶硅层，从而缩短了制造时间，降低了制造成本，减少了多晶硅电容的厚度。
技术研发人员：贺冠中
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
文档号码：201510257420
技术研发日：2015.05.19
技术公布日：2017.01.04