技术总结
本发明提供一种静电放电保护装置和系统。静电放电保护装置，包括第一井、第二井、第一多晶硅区域、第二多晶硅区域以及第一保护层。第一井具有一第一传导类型并且位于基板。第二井具有一第二传导类型，位于基板且相邻第一井。第一多晶硅区域位于第一井，第二多晶硅区域位于第二井。第一保护层位于第一多晶硅区域以及第二多晶硅区域之间。第一保护层覆盖第一井的一部分、第二井的一部分、第一多晶硅区域的一部分以及第二多晶硅区域的一部分。在第一多晶硅区域以及第二多晶硅区域之间的第一保护层所覆盖的第一井的部分以及第二井的部分没有掺杂区域。本发明通过以上技术方案，可以有效地防止ESD电流的伤害。
技术研发人员：王畅资
受保护的技术使用者：联发科技股份有限公司
文档号码：201510298842
技术研发日：2015.06.03
技术公布日：2016.12.07