1.一种微电子结构，包括：
硅化物上的第一接触金属，所述硅化物与基板的源/漏区相接触，所述硅化物至少部分在所述源/漏区的顶表面之下；
第一接触金属的顶表面上的单个非层状第二接触金属，
其中，单个非层状第二接触金属在层间介质内，所述层间介质在栅的顶表面上，其中，所述栅包括直接邻近所述栅的间隙壁，并且其中，所述硅化物基本上被限制在邻近所述间隙壁的源/漏接触区域内，其中，所述第一接触金属、所述栅和所述间隙壁彼此平坦化；并且其中，单个非层状第二接触金属是锥形接触金属，所述锥形接触金属包括直径小于顶部直径的底部，其中，所述锥形接触金属的所述底部与第一接触金属相接触，并且其中，所述锥形接触金属的所述底部的直径小于第一接触金属的顶表面的直径。
2.如权利要求1所述的微电子结构，其中，第一接触金属包括非锥形第一接触金属。
3.如权利要求1所述的微电子结构，其中，单个非层状第二接触金属是锥形的，以促进增加接触至栅的配准窗口。
4.如权利要求1所述的微电子结构，其中，第一接触金属和单个非层状第二接触金属包括堆叠接触金属结构。
5.如权利要求1所述的微电子结构，其中，第一接触金属在所述硅化物和单个非层状第二接触金属之间。
6.如权利要求1所述的微电子结构，其中，第一接触金属和单个非层状第二接触金属彼此导电性地耦合，并且包括堆叠接触结构，其中，接触至栅的配准工艺窗口能够通过所述堆叠接触结构来增加。
7.如权利要求1所述的微电子结构，其中，所述硅化物包括硅化镍。
8.如权利要求1所述的微电子结构，其中，第一接触金属和单个非层状第二接触金属中的至少一个包括钨和钛中的至少一种。
9.如权利要求1所述的微电子结构，其中，第一接触金属的顶表面基本上与所述栅的顶表面共面。
10.一种微电子结构，包括：
基板上的栅；
邻近所述栅的间隙壁材料；
硅化物上的第一接触金属，所述硅化物与所述基板的源/漏区相接触，所述硅化物至少部分在所述源/漏区的顶表面之下，其中，第一接触金属邻近所述栅；
第一接触金属的顶表面上的单个非层状第二接触金属，其中，单个非层状第二接触金属在层间介质内，所述层间介质在所述栅的顶表面上，并且其中，所述硅化物基本上被限制在邻近所述间隙壁的源/漏接触区域内，其中，所述第一接触金属、所述栅和所述间隙壁彼此平坦化；并且
其中，单个非层状第二接触金属是锥形接触金属，其中所述锥形接触金属的底部的直径小于所述锥形接触金属的顶部的直径，其中，所述锥形接触金属的底部与第一接触金属相接触，并且其中所述锥形接触金属的底部的直径小于第一接触金属的顶表面的直径。
11.如权利要求10所述的微电子结构，其中，所述栅包括金属栅。
12.如权利要求10所述的微电子结构，其中，第一接触金属和单个非层状第二接触金属中的至少一个包括钨、钛、氮化钛和钛钨中的至少一种。
13.如权利要求10所述的微电子结构，其中，第一接触金属在所述硅化物和单个非层状第二接触金属之间。
14.如权利要求10所述的微电子结构，其中，所述硅化物包括硅化镍。
15.如权利要求10所述的微电子结构，其中，第一接触金属包括非锥形第一接触金属。
16.如权利要求10所述的微电子结构，其中，单个非层状第二接触金属是锥形的，以促进增加接触至栅的配准窗口。
17.如权利要求10所述的微电子结构，其中，第一接触金属和单个非层状第二接触金属彼此导电性地耦合，并且其中，第一接触金属和单个非层状第二接触金属形成堆叠接触结构。
18.一种用于形成微电子结构的方法，包括：
去除设置于栅的顶表面上的停止层的一部分以及去除设置在置于基板上的所述栅、邻近间隙壁和邻近氮化物刻蚀停止层nesl的顶表面上的第一层间介电ILD的一部分，其中接触开口形成；
去除所述nesl的一部分，以对基板中的源/漏接触区域进行开口；
在所述源/漏接触区域上形成硅化物；
在所述接触开口中形成第一接触金属；
抛光所述第一接触金属，以便按所述栅的顶表面平坦化所述第一接触金属，其中起因于所述接触开口中的非-配准误差的间隙壁材料的深度被去除；
在所述栅的平坦化的顶表面上且在所述第一接触金属的顶表面上形成额外栅刻蚀停止层；
在所述额外栅刻蚀停止层上沉积第二ILD；
在所述第二ILD和额外栅刻蚀停止层中形成第二接触开口；以及
在所述第二接触开口中形成第二接触金属。
19.如权利要求18所述的方法，还包括其中所述间隙壁材料的深度与用于刻蚀以去除所述停止层的一部分、所述第一ILD的一部分、和/或所述氮化物刻蚀停止层nesl的一部分的刻蚀时间相对应。
20.如权利要求18所述的方法，还包括其中所述第一接触金属包括非锥形接触金属。
21.如权利要求18所述的方法，还包括其中所述第二接触金属包括底部和顶部，其中所述底部具有比所述顶部的直径小的直径。
22.如权利要求18所述的方法，还包括其中所述第一和第二接触金属彼此导电性地耦合且包括堆叠接触结构。
23.如权利要求18所述的方法，还包括其中所述栅包括金属栅。
24.如权利要求23所述的方法，还包括其中所述金属栅是具有双金属栅的晶体管的一部分。