形成堆叠沟槽接触的方法及由此形成的结构与流程

技术总结
描述了形成微电子器件的方法和相关的结构。那些方法可包括形成一结构，该结构包括置于基板的源/漏接触上的第一接触金属，以及置于该第一接触金属的顶表面上的第二接触金属，其中该第二接触金属设置于ILD内，该ILD置于设置在该基板上的金属栅的顶表面上。

技术研发人员：B.塞尔;O.戈龙茨卡
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2009.06.26
技术公布日：2018.09.18