1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
形成位于所述半导体衬底表面的栅介质层和覆盖所述栅介质层的第一栅电极层；
形成覆盖所述栅介质层和第一栅电极层侧壁的侧墙；
形成分别位于所述侧墙两侧的半导体衬底内的源极和漏极；
形成牺牲层，所述牺牲层覆盖部分侧墙侧壁、半导体衬底表面、源极和漏极，但暴露出第一栅电极层顶部表面；
去除部分厚度的第一栅电极层，形成第二栅电极层；
形成第二栅电极层后，去除所述牺牲层；
形成覆盖第二栅电极层、侧墙、半导体衬底表面、源极和漏极的层间介质层；
形成贯穿所述层间介质层的多个开口，所述开口暴露出第二栅电极层、源极和漏极；
形成位于所述开口内，与第二栅电极层、源极和漏极相接触的导电插塞。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一栅电极层的厚度比第二栅电极层的厚度大50埃-100埃。
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一栅电极层的材料为多晶硅或金属材料；所述第二栅电极层的材料为多晶硅或金属材料。
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的第一栅电极层，形成第二栅电极层的工艺为干法刻蚀工艺。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述第一栅电极层的材料为金属材料时，去除部分厚度的第一栅电极层，形成第二栅电极层的工艺参数为：压强范围为0-20毫托；功率范围为400瓦-800瓦，刻蚀气体为氯气、溴化氢、氩气和氮气。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述第一栅电极层的材料为多晶硅时，去除部分厚度的第一栅电极层，形成第二栅电极层的工艺参数为：压强范围为0-20毫托；功率范围为400瓦-800瓦，刻蚀气体为氯气、溴化氢、氩气和氦气。
7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为无定形碳或有机绝缘材料。
8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在去除牺牲层后，形成层间介质层前，形成覆盖第二栅电极层、源极和漏极的接触层。
9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述接触层的材料为金属硅化物或具有掺杂离子的半导体材料。
10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成贯穿所述层间介质层的多个开口后，所述侧墙的高度至少为100埃-150埃。