1.一种等离子体产生装置，所述等离子体产生装置包括介质窗、环绕所述介质窗设置的感应线圈和阻抗匹配装置，其特征在于，所述等离子体产生装置还包括设置在所述介质窗和所述感应线圈之间的法拉第屏蔽件。
2.根据权利要求1所述的等离子体产生装置，其特征在于，所述法拉第屏蔽件包括筒状本体，所述筒状本体上形成有沿所述筒状本体的厚度方向贯穿所述筒状本体的槽。
3.根据权利要求2所述的等离子体产生装置，其特征在于，所述筒状本体由形成有所述槽的板状件绕所述介质窗的中心轴线折弯而成，且所述板状件的两端之间形成有间隙。
4.根据权利要求3所述的等离子体产生装置，其特征在于，多个所述槽的面积之和占所述板状件总面积的30％～40％。
5.根据权利要求2所述的等离子体产生装置，其特征在于，所述法拉第屏蔽件还包括至少一个固定件，所述固定件设置在所述筒状本体的上端或下端，且所述固定件用于将所述法拉第屏蔽件固定在预定位置。
6.根据权利要求5所述的等离子体产生装置，其特征在于，所述固定件由导体制成，且所述固定件接地。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的等离子体产生装置，其特征在于，所述法拉第屏蔽件与所述感应线圈之间形成有间隙。
8.根据权利要求7所述的等离子体产生装置，其特征在于，所 述法拉第屏蔽件与所述感应线圈之间的间隙为25～50nm。
9.根据权利要求1至6中任意一项所述的等离子体产生装置，其特征在于，所述等离子体产生装置包括功率供给模块，所述功率供给模块包括具有扫频功能的射频电源和匹配器，所述匹配器连接在所述射频电源和所述感应线圈的电流输入端之间，所述射频电源和所述匹配器均用作阻抗匹配装置。
10.一种半导体加工设备，所述半导体加工设备包括等离子体产生装置，其特征在于，所述等离子体产生装置为权利要求1至9中任意一项所述的等离子体产生装置。