1.一种MIM电容结构，其特征在于，包括：
介电层，所述介电层包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
位于所述第一表面上的第一电极，位于所述第二表面上的第二电极，所述第一电极、第二电极和位于所述第一电极和第二电极之间的介电层用于构成功能电容；
位于所述第一表面上的第三电极、位于所述第二表面上的第四电极，所述第三电极、第四电极以及位于所述第三电极和第四电极之间的介电层用于构成辅助电容；
所述第一、第二电极上加载有第一电压，用于在所述介电层中形成第一电场；所述第三、第四电极上加载有第二电压，用于在所述介电层中形成第二电场，所述第一电场与第二电场方向相反。
2.根据权利要求1所述的MIM电容结构，其特征在于，所述第一电极、介电层、第二电极形成于一衬底上。
3.根据权利要求2所述的MIM电容结构，其特征在于，所述第三电极和第一电极位于同层，所述第四电极和第二电极位于同层。
4.根据权利要求1所述的MIM电容结构，其特征在于，所述功能电容用于外接集成电路，所述功能电容的第一电极用于加载工作电位，第二电极与所述外接集成电路相连；
所述MIM电容结构还包括一控制开关，包括控制端、第一端与第二端，所述控制端用于在接收到控制信号时使第一端和第二端导通，控制端和第一端用于加载所述工作电位，加载于所述控制端的工作电位为所述控制开关的控制信号；
所述辅助电容的第三电极与所述第二端相连，第四电极用于加载基准电位。
5.根据权利要求4所述的MIM电容结构，其特征在于，所述控制开关为晶体管，所述控制端为所述晶体管的栅极，所述第一端为所述晶体管的源极；所述第二端为所述晶体管的漏极。
6.根据权利要求5所述的MIM电容结构，其特征在于，所述晶体管为NMOS。
7.根据权利要求1所述的MIM电容结构，其特征在于，所述第三电极包括多个独立的第三子电极，所述第四电极包括多个独立的第四子电极，所述辅助电容包括多个由所述第三子电极、所述介电层和与所述第三子电极对应的第四子电极组成的子电容。
8.根据权利要求7所述的MIM电容结构，其特征在于，所述多个子电容呈阵列式排布。
9.根据权利要求7所述的MIM电容结构，其特征在于，所述多个子电容围绕所述功能电容排布。
10.根据权利要求1所述的MIM电容结构，其特征在于，所述第三电极和第四电极之间的相对面积大于所述第一电极和第二电极之间的相对面积。
11.根据权利要求1所述的MIM电容结构，其特征在于，所述第一电极和第三电极为同层金属，所述第二电极和第四电极为同层金属。