技术总结
一种MIM电容结构，包括：介电层，所述介电层包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；位于第一表面上的第一电极，位于第二表面上的第二电极，第一电极、第二电极和介电层用于构成功能电容；位于第一表面上的第三电极、位于第二表面上的第四电极，所述第三电极、第四电极以及介电层用于构成辅助电容；第一、第二电极上用于加载第一电压，第三、第四电极上用于加载第二电压，第一电压在所述介电层中形成的电场与第二电压在介电层中形成的电场方向相反，能够有效抑制所述介电层在同一方向的持续电压作用下的电荷俘获现象，进而使得所述功能电容在工作时间较长的情况下，功能电容的电容值不容易发生变化，提高了本发明MIM电容结构的稳定性。
技术研发人员：冯军宏;甘正浩
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510493002
技术研发日：2015.08.12
技术公布日：2017.02.22