1.一种有机发光二极管器件，其包括：
阳极层、阴极层、位于所述阳极层与阴极层之间的有机发光层；
所述阳极层包括：
层叠设置地第一透明导电层和反射层；
所述第一透明导电层位于所述反射层的反射光出射的一侧；
其中，
所述反射层包括Ag层和AlNd层，所述Ag层更靠近所述第一透明导电层。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于：
所述反射层的厚度为1000～2000埃，其中，所述Ag层的厚度范围为300～500埃。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于：所述反射层的反射率为92％。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的有机发光二极管器件，其特征在于：所述第一透明导电层由氧化铟锡或氧化铟锌形成。
5.如权利要求1-3中任意一项所述的有机发光二极管器件，其特征在于：所述电极层还包括层叠设置地第二透明导电层，所述反射层位于所述第一透明导电层与第二透明导电层之间。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管器件，其特征在于：所述第二透明导电层由氧化铟锡或氧化铟锌形成。
7.一种有机发光显示器，其包括基底、缓冲层、驱动元件、平坦层、阳极层、阴极层、位于所述阳极层与阴极层之间的有机发光层、以及位于所述有机发光层的周围且与所述阳极层一起形成出光开口的像素定义层，其中，所述阳极层包括：
层叠设置地第一透明导电层和反射层；
所述第一透明导电层位于所述反射层的反射光出射的一侧；
其中，
所述反射层包括Ag层和AlNd层，所述Ag层更靠近所述第一透明导电 层。
8.如权利要求7所述的有机发光显示器，其特征在于：
所述像素定义层限定的出光开口的宽度小于或等于所述Ag层的线宽。
9.如权利要求7所述的有机发光显示器，其特征在于：所述反射层的厚度为1000～2000埃，其中，所述Ag层的厚度范围为300～500埃。
10.如权利要求7所述的有机发光显示器，其特征在于：所述反射层的反射率为92％。