1.一种形成鳍的方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有具有开口的第一掩膜层；
形成第二掩膜层，位于开口侧壁的第二掩膜层的厚度等于预设的鳍的宽度；
填充开口以形成平整表面；
去除开口侧壁处的第二掩膜层，以暴露所述衬底；
进行外延获得鳍。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充开口以形成平整表面包括：
在第二掩膜层之上填充第三掩膜层；
进行表面平坦化，暴露第二掩膜层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二掩膜层与所述第一掩膜层的选择刻蚀比≥50:1，所述第二掩膜层与所述第三掩膜层的选择刻蚀比≥50:1。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述鳍包括以下任一种：硅、锗、硅锗、三五族化合物半导体及其叠层。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述进行外延获得鳍还包括：
进行外延获得鳍之前对衬底进行预腐蚀露出衬底晶向和/或生长一定厚度缓冲层。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述鳍的材质与衬底的材质不同。
7.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述进行表面平坦化后第一掩膜层厚度为：8倍第二掩膜层厚度≥第一掩膜层厚度≥2倍第二掩膜层厚度。
8.一种包含鳍的器件结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上形成有具有开口的第一掩膜层；
位于所述开口的部分底部的第二掩膜层；
位于所述开口之内，且与所述开口侧壁的间隙宽度为第二掩膜层厚度的第三掩膜层；所述第三掩膜层与第一掩膜层的表面处于同一水平位置；
位于所述间隙之中及间隙之上的鳍形外延层。
9.根据权利要求8所述的器件结构，其特征在于，所述鳍形外延层包括以下任一种：硅、锗、硅锗或三五族化合物半导体及其叠层。
10.根据权利要求8所述的器件结构，其特征在于，所述鳍形外延层包括：缓冲层及外延层。
11.根据权利要求8所述的器件结构，其特征在于，所述第一掩膜层与第三掩膜层为低k介质层。