一种叠层片式ZnO压敏电阻器及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种叠层片式ZnO压敏电阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)向由ZnO，Bi₂O₃，Mn和Co的氧化物以及BN组成的混合物中加去离子水进行球磨，将所得浆料烘干、过筛得到粉体；混合物中，ZnO的摩尔分数为93％～98.7％，Bi₂O₃的摩尔分数为0.2％～5％，Mn和Co的氧化物摩尔分数均为0.01％～5％，BN的摩尔分数为0.1％～6％；

(2)向粉体中加入分散剂、消泡剂、溶剂和粘合剂，然后球磨混合，得到流延浆料；

(3)将流延浆料流延成型得到坯体，并以贱金属Ni作为内电极，叠层、压片和切片，得到成型样品；

(4)将成型样品在惰性气体或惰性气体和氢气的混合气体中850℃～1150℃下烧结，得到片式陶瓷电阻；

(5)在片式陶瓷电阻的两个端头涂覆电极后，在氧气或空气中500℃～800℃下热处理，得到叠层片式ZnO压敏电阻器。

2.如权利要求1所述的叠层片式ZnO压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，还向所述混合物中加入Al和/或Nb的氧化物，加入总量不超过所述混合物的4mol％。

3.如权利要求1或2所述的叠层片式ZnO压敏电阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，还向所述混合物中加入Cr、Sb、Si和V至少其中一种的氧化物，加入总量不超过所述混合物的8mol％。

4.一种由权利要求1至3任意一项所述的叠层片式ZnO压敏电阻器的制备方法制备的叠层片式ZnO压敏电阻器，其特征在于，由瓷片和Ni电极交替层压生成，两端涂有端电极；所述瓷片由ZnO，Bi₂O₃，Mn和Co的氧化物，以及BN构成，其中，ZnO的摩尔分数为93％～98.7％，Bi₂O₃的摩尔分数为0.2％～5％，Mn和Co的氧化物的摩尔分数均为0.01％～5％，BN的摩尔分数为0.1％～6％。

5.如权利要求4所述的叠层片式ZnO压敏电阻器，其特征在于，通过将瓷片和Ni电极交替层压的结构在惰性气体或惰性气体与氢气的混合气体中850℃～1150℃下烧结后，涂覆端电极，再在氧气或空气中500℃～800℃下热处理得到。

6.如权利要求5所述的叠层片式ZnO压敏电阻器，其特征在于，向所述瓷片中掺入Al和/或Nb的氧化物，加入总量不超过所述瓷片的4mol％。

7.如权利要求5所述的叠层片式ZnO压敏电阻器，其特征在于，向所述瓷片中掺入Cr、Sb、Si和V至少其中一种的氧化物，加入总量不超过所述瓷片的8mol％。