1.一种半导体加工设备，其特征在于，包含：
反应腔，所述反应腔内设置有载片台，所述载片台上放置待刻蚀晶圆；
圆柱形陶瓷窗，所述圆柱形陶瓷窗为中空结构，其一端与所述反应腔联通；
承载窗，设置在所述反应腔与圆柱形陶瓷窗之间，所述承载窗设有通孔，连通所述反应腔与圆柱形陶瓷窗；
进气环，与所述承载窗相对，设置在圆柱形陶瓷窗的另一端，所述进气环上设有若干通孔；
上盖，与所述圆柱形陶瓷窗相对设置在所述进气环的另一侧，所述进气环与上盖之间留有气体扩散腔，所述上盖上设有进气孔，其中进气环上的若干通孔及上盖的进气孔与进气环和上盖之间的气体扩散腔相联通；
法拉第屏蔽装置，套设在所述圆柱形陶瓷窗的外侧，且设置在所述承载窗与进气环之间；
线圈组件，套设在所述法拉第屏蔽装置的外侧，且设置在所述承载窗与进气环之间；
导向环，设置在所述圆柱形陶瓷窗内，且与所述进气环的底表面连接，所述导向环与圆柱形陶瓷窗之间留有等离子发生空间，所述的等离子发生空间一端与进气环上的通孔联通，另一端与反应腔联通。
2.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述的上盖的进气孔、进气环与上盖之间的气体扩散腔、进气环上的若干通孔及导向环与圆柱形陶瓷窗之间的等离子发生空间形成刻蚀气体的进气通道。
3.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述的承载窗内嵌入陶瓷块。
4.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述的圆柱形陶瓷窗的直径大于所述待刻蚀晶圆的直径。
5.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，进一步包含下支撑密封环，所述的下支撑密封环设置在承载窗与圆柱形陶瓷窗之间，且部分延伸至所述法拉第屏蔽装置的下方。
6.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，进一步包含上半支撑密封环，所述的上半支撑密封环套设在所述法拉第屏蔽装置的外侧，且位于进气环与线圈组件之间。
7.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，进一步包含缓冲密封，所述的缓冲密封设置在所述上盖与进气环接触的端面。
8.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述的线圈组件为螺旋线圈。
9.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述的线圈组件与法拉第屏蔽装置之间的间隙小于10毫米。
10.如权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述的导向环由铝制成，表面镀有抗等离子腐蚀材料。