技术总结
本发明提供一种等离子体处理装置，包括：处理腔室；设置在处理腔室上方的上电极板；多个电感耦合线圈，其设置于所述处理腔室的上方，且从所述上电极板伸出，并螺旋状地围绕所述上电极板；静电卡盘，其设置在所述处理腔室中，用于承载被处理体；下电极板，其位于所述静电卡盘下方，其中，所述上电极板与第一上射频电源连接，所述下电极板与下射频电源和直流偏压源连接。本发明的等离子体处理装置，兼具CCP和ICP等离子体的基础上，进一步增强了ICP的作用，使得等离子密度增加，并且通过施加同步射频偏压和异步直流偏压，可以调节ACP等离子体的能量集中分布于工艺需求的范围内，大大提高了设备的灵活性和和处理的精确性。
技术研发人员：张海洋;张城龙;袁光杰
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
文档号码：201510846236
技术研发日：2015.11.27
技术公布日：2017.06.09